【技术实现步骤摘要】
一种负向显影光刻胶模型优化方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种负向显影光刻胶模型优化方法。
技术介绍
[0002]光刻工艺是现代极大规模集成电路制造过程中最重要的制造工艺，该制造工艺是通过光刻机将掩模上集成电路的设计图形转移到硅片上的重要手段。在该制造工艺中，随着特征尺寸逐渐缩小，可用于制造的工艺窗口也会越来越小，但因为整个光刻工艺过程都需要做到精准控制，所以对计算光刻精确程度的要求是越来越高的。而准确地计算光刻模型可以从理论上探索增大光刻分辨率和工艺窗口的途径，指导工艺参数的优化。
[0003]在目前的技术方案中，比较先进的光刻胶技术均是采用负向显影。负向显影所使用的光刻胶具有良好的粘附能力和阻挡作用，感光速度快，但是显影时会发生变形和膨胀，因此相比于正向显影，负向显影的热收缩效应更为强烈，热收缩效应会使显影过程中，显影溶液分布不同于光场分布，导致建模准确度下降；此外，对于芯片来说，一个芯片的尺寸最大可达32mmx26mm，其中最小图形的线宽可能只有10nm，一个光刻层的版图文件可达...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种负向显影光刻胶模型优化方法，其特征在于，包括以下步骤：获取初始负向显影光刻胶模型；基于初始负向显影光刻胶模型中的光场分布以及光刻胶中酸浓度，建立基于光场分布的光刻胶中酸浓度的分布函数S；基于光刻胶中酸浓度的分布的函数S建立显影溶液的浓度分布函数D；根据显影溶液的浓度分布函数D，构建显影溶液浓度扩散计算式R，用于计算不同浓度的显影溶液的扩散结果；用显影溶液浓度扩散计算式R来模拟显影过程，得到显影后的模拟负向显影光刻胶图形；将模拟负向显影光刻胶图形与预设图形中的相关数据进行对比，如果满足预设标准则以该模拟负向显影光刻胶图形作为正式负向显影光刻胶图形。2.如权利要求1所述的负向显影光刻胶计算模型优化方法，其特征在于，所述基于初始负向显影光刻胶模型中的光场分布以及光刻胶中酸浓度，建立基于光场分布的光刻胶中酸浓度的分布函数S，具体包括以下步骤：从初始负向显影光刻胶模型中获取以掩膜图形像素点作为位置基础的光场分布数据，根据获取的光场分布数据构造基于像素点位置信息相关的光场分布函数E(x，y)，E为与(x，y)相关的函数，(x，y)为像素点位置信息；基于光场分布函数E(x，y)建立光刻胶中的酸浓度分布函数S(x，y)，光刻胶中的酸浓度分布函数S(x，y)为光场分布函数E(x，y)的相关函数S(x，y)＝F(E(x，y))。3.如权利要求2所述的负向显影光刻胶计算模型优化方法，其特征在于：光刻胶中的酸浓度分布函数的表达式为S＝1
‑
G，其中G是光产酸剂的浓度，光产酸剂的浓度的即时消耗速率表达式为其中c代表暴露率常数，t代表时间。4.如权利要求1所述的负向显影光刻胶计算模型优化方法，其特征在于，所述基于光刻胶中酸浓度的分布的函数S建立显影溶液的浓度分布函数D，具体包括以下步骤：根据光刻胶中的酸与显影溶液的化学反应式确定显影溶液和光刻胶中的酸的消耗比例；根据光刻胶中的酸和显影溶液的消耗比例建...
【专利技术属性】
技术研发人员：高世嘉，
申请(专利权)人：东方晶源微电子科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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