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本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种负向显影光刻胶模型优化方法，包括以下步骤：获取初始负向显影光刻胶模型；基于初始负向显影光刻胶模型中的光场分布以及光刻胶中酸浓度，建立基于光场分布的光刻胶中酸浓度的分布函数S；基于光刻胶中酸浓度的分布的函...
该专利属于东方晶源微电子科技(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东方晶源微电子科技(北京)有限公司授权不得商用。

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