一种用于晶圆的胶刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种用于晶圆的胶刻蚀方法，涉及刻蚀技术领域。胶刻蚀方法包括：将所述晶圆置于预设腔体中；将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体；采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引，以去除所述遮挡层。通过本发明专利技术，能够提升刻蚀的均匀性。能够提升刻蚀的均匀性。能够提升刻蚀的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆的胶刻蚀方法


[0001]本专利技术涉及刻蚀
，特别是涉及一种用于晶圆的胶刻蚀方法。

技术介绍

[0002]现有的半导体刻蚀方法都是采用高微波轰击来达到去胶的目的，这样的刻胶方法无法保证整片晶圆上胶刻蚀的均匀性，另外，由于高微波的各向同性的特点，导致无法保证有图像条件下，胶刻蚀后的图像形貌，使得侧面刻蚀比较严重，对图形边缘的Micro Lens损害严重，同时也直接影响其成品后的性能。
[0003]因此，如何改进刻胶方法以提升刻蚀的均匀性，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种用于晶圆的胶刻蚀方法，能够提升刻蚀的均匀性。
[0005]本专利技术提供了如下方案：
[0006]一种用于晶圆的胶刻蚀方法，所述晶圆上从下至上依次覆盖胶刻蚀层和遮挡层，所述胶刻蚀方法包括：
[0007]将所述晶圆置于预设腔体中；
[0008]将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体；
[0009]采用第一预设射频波轰击所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆的胶刻蚀方法，所述晶圆上从下至上依次覆盖胶刻蚀层和遮挡层，其特征在于，所述胶刻蚀方法包括：将所述晶圆置于预设腔体中；将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体；采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引，以去除所述遮挡层。2.根据权利要求1所述的胶刻蚀方法，其特征在于，所述第一预设射频波为15
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50MHz的射频波，所述第二预设射频波为0.5
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10MHz的射频波。3.根据权利要求2所述的胶刻蚀方法，其特征在于，所述第一预设射频波为27MHz的射频波，所述第二预设射频波为2MHz的射频波。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兆丰，王世宽，宋永辉，
申请(专利权)人：无锡尚积半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：