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本发明公开了一种用于晶圆的胶刻蚀方法，涉及刻蚀技术领域。胶刻蚀方法包括：将所述晶圆置于预设腔体中；将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体；采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波...
该专利属于无锡尚积半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡尚积半导体科技有限公司授权不得商用。

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