一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法技术

本发明专利技术提供一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法，在通孔层上从下至上依次生长第一氮化硅层、第一氧化硅层、氮化钛层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、多晶硅层；将多晶硅层作为硬掩膜定义图形并刻蚀第二氮化硅层至第二氧化硅层上表面，将第二氮化硅层形成为多个氮化硅图形结构；在多个氮化硅图形结构的侧壁形成侧墙；去除侧墙内的所述氮化硅图形结构；以侧墙为硬掩膜刻蚀第二氧化硅层和氮化钛层；形成氮化钛图形结构；以氮化钛图形结构为硬掩膜刻蚀第一氧化硅层和第一氮化硅层，将第一氧化硅层和第一氮化硅层图形化。本发明专利技术通过对复合膜层整合，高温下各膜层间的应力得以匹配，彻底解决侧墙倾斜，实现二次成型的图形定义。实现二次成型的图形定义。实现二次成型的图形定义。

【技术实现步骤摘要】
一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法。

技术介绍

[0002]集成电路设计尺寸小于40nm以后，自对准二次成型工艺被专利技术并使用。现有的工艺整合存在明显的金属线变形现象。分析原因为一次成型中使用的薄膜组合在530℃高温下应力不匹配，侧墙刻蚀工艺后侧墙角度大约是87
°
但侧墙底部的NDC(SiCN)已发生明显变形，湿法拔除侧墙内的核心层SiO2后应力释放，侧墙发生明显倾斜，角度大约为82
°
。这种情况在后续工艺中无法定义准确的侧墙以下的氮化钛尺寸，进而影响到最终金属线的形状。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法，用于解决现有技术中的二次成型工艺中由于应力不匹配导致侧墙变形的问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法，至少包括：
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法，其特征在于，至少包括：步骤一、在通孔层上生长复合膜层；所述复合膜层从下至上依次为：第一氮化硅层、第一氧化硅层、氮化钛层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、多晶硅层；步骤二、将所述多晶硅层作为硬掩膜定义图形并按照所定义的图形刻蚀所述第二氮化硅层至所述第二氧化硅层上表面，将所述第二氮化硅层形成为多个氮化硅图形结构；步骤三、在所述多个氮化硅图形结构的侧壁分别形成侧墙；步骤四、去除所述侧墙内的所述氮化硅图形结构；步骤五、以所述侧墙为硬掩膜刻蚀所述第二氧化硅层和所述氮化钛层；形成氮化钛图形结构；步骤六、以所述氮化钛图形结构为硬掩膜刻蚀所述第一氧化硅层和所述第一氮化硅层，将所述第一氧化硅层和所述第一氮化硅层图形化。2.根据权利要求1所述的防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法，其特征在于：步骤一的所述通孔层包含多个通孔，通孔之间填充有介质层。3.根据权利要求1所述的防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法，其特征在于：步骤一中的所述第一、第二氧化硅层采用化学气相沉积的方法形成。4.根据权利要求3所述的防止...

【专利技术属性】
技术研发人员：林爱梅，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：