一种半导体结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的制作方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体层，半导体层包括位于顶层的硅层，硅层中设有第一沟槽，第一沟槽中设有二氧化硅填充层；形成多晶硅保护层于半导体层的预设区域表面，多晶硅保护层未遮盖第一沟槽；对半导体层进行湿法刻蚀以减薄二氧化硅填充层的至少一部分；氧化多晶硅保护层以得到二氧化硅牺牲层；去除二氧化硅牺牲层。本发明专利技术采用多晶硅保护层代替光阻作为阻挡层，可以完美地挡住不需要被刻蚀的部分，蚀刻液不会从侧面渗透而造成器件质量出现问题。此外，相对于直接去除多晶硅保护层的方案，本发明专利技术将多晶硅保护层氧化后再去除的方案可以很好地避免产生颗粒或其它缺陷而影响机台。好地避免产生颗粒或其它缺陷而影响机台。好地避免产生颗粒或其它缺陷而影响机台。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制作方法


[0001]本专利技术属于半导体器件
，涉及一种半导体结构的制作方法。

技术介绍

[0002]在集成电路制造过程中，尤其在功率器件的沟槽结构制造工艺中，必须用湿法刻蚀工艺去除硅片表面和沟槽里面部分区域的二氧化硅。因为若用干法刻蚀，由于干法刻蚀的特性会导致沟槽侧壁和剩下二氧化硅的硅损伤。所以现有的工艺方法都是通过湿法刻蚀。现有方法如下：在晶圆表面涂布一层光刻胶，通过光刻和显影工艺将需要刻蚀的部分裸露出来，并利用光刻胶保护工艺需要的区域，然后经过湿刻工艺BOE溶液（氟化铵与氢氟酸的混合液），去除硅片表面和沟槽里面需要除去的二氧化硅，最后去除光刻胶并对硅片进行清洗。
[0003]在实际中，这种工艺方法存在很大的缺陷，由于硅片表面二氧化硅薄膜的亲水性作用导致光刻胶和保护部位的粘合度不够紧密，而在湿法刻蚀的时候由于BOE溶液在容器内部会不停的打循以保证溶液温度、浓度的均匀性，这就导致晶圆在浸泡刻蚀的过程中会受到一定的冲刷，进而产生“浮胶”现象，BOE就会沿着光刻胶与硅之间的缝隙渗透进去把需要保护区域的二氧化硅刻蚀，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体层，所述半导体层包括位于顶层的硅层，所述硅层中设有第一沟槽，所述第一沟槽中设有二氧化硅填充层；形成多晶硅保护层于所述半导体层的预设区域表面，所述多晶硅保护层未遮盖所述第一沟槽；对所述半导体层进行湿法刻蚀以减薄所述二氧化硅填充层；氧化所述多晶硅保护层以得到二氧化硅牺牲层；去除所述二氧化硅牺牲层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述半导体层还包括氧化硅共形层及第一多晶硅层，所述氧化硅共形层覆盖所述第一沟槽的内壁，所述第一多晶硅层填充于所述第一沟槽中，所述第一沟槽内的所述第一多晶硅层位于所述二氧化硅填充层下方。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述硅层中还设有与所述第一沟槽间隔设置的第二沟槽，所述多晶硅保护层遮盖所述第二沟槽，所述氧化硅共形层还覆盖所述第二沟槽的内壁，所述第一多晶硅层还填充于所述第二沟槽中。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成多晶硅保护层于所述半导体层的预设区域表面包括：形成多晶硅层于所述半导体层表面；形成光刻胶层于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧志文，朱红波，唐斌，龙思阳，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：