温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体结构的制作方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体层，半导体层包括位于顶层的硅层，硅层中设有第一沟槽，第一沟槽中设有二氧化硅填充层；形成多晶硅保护层于半导体层的预设区域表面，多晶硅保护层未遮盖第一沟槽；对半导体层进行湿法刻...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。