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本发明提供一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法，在通孔层上从下至上依次生长第一氮化硅层、第一氧化硅层、氮化钛层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、多晶硅层；将多晶硅层作为硬掩膜定义图形并刻蚀第二氮化硅层至第二氧化硅层上表面，将第二氮化硅层形成...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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