分批型衬底处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种将在排放空间中分解的处理气体供应到处理空间中的分批型衬底处理设备，所述排放空间不同于处理空间。分批型衬底处理设备包含：反应管，配置成提供处理空间；等离子体形成部件，具有排放空间，所述排放空间通过分隔壁与处理空间区分开，且通过沿反应管的纵向方向延伸的多个电极在排放空间中产生等离子体。多个电极包含彼此间隔开的多个电源电极及设置于多个电源电极之间的多个接地电极。极。极。

【技术实现步骤摘要】
分批型衬底处理设备


[0001]本公开涉及一种分批型衬底处理设备，且更确切地说，涉及一种将在与处理空间分离的排放空间中分解的处理气体供应到处理空间中的分批型衬底处理设备。

技术介绍

[0002]一般来说，衬底处理设备将待处理的衬底定位在处理空间内以通过使用化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)或原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)来沉积注入到处理空间中的处理气体中所含有的反应粒子。衬底处理设备被分类为能够对一个衬底进行衬底处理工艺的单晶片型衬底处理设备和能够同时对多个衬底进行衬底处理工艺的分批型衬底处理设备。
[0003]在分批型衬底处理设备中，处理空间的壁表面以及衬底通过包围处理空间的热壁型加热单元增加温度。因此，非所需薄膜通过处理气体形成于处理空间的内壁表面上。具体地说，当处理空间中形成例如等离子体的处理环境时，通过等离子体生成空间中产生的磁场或电场将沉积于内壁上的薄膜分离成粒子以在衬底处理工艺期间充当污染物。因此，衬底上的薄膜的品质可能劣化，以及衬底处理工艺的效率可能劣化。
[0004][现有技术文献][0005][专利文献][0006]韩国专利第10
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1145538号

技术实现思路

[0007]本公开提供一种将在排放空间中分解的处理气体供应到处理空间中的分批型衬底处理设备，所述排放空间与所述处理空间分离。
[0008]根据示例性实施例，一种分批型衬底处理设备包含：反应管，配置成提供其中容纳多个衬底的处理空间；以及等离子体形成部件，具有排放空间，所述排放空间通过在反应管的纵向方向上延伸的分隔壁与处理空间区分开，且配置成通过在反应管的纵向方向上延伸的多个电极在排放空间中产生等离子体，其中所述多个电极包括：彼此间隔开的多个电源电极；以及设置于多个电源电极之间的多个接地电极。
[0009]多个接地电极可设置成与多个电源电极间隔开，且多个电极可配置成在彼此间隔开的电源电极与接地电极之间的每一空间中产生电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma；CCP)。
[0010]多个接地电极可彼此间隔开。
[0011]多个接地电极之间的间隔距离可小于或等于电源电极与接地电极之间的间隔距离。
[0012]分批型衬底处理设备可还包括配置成保护多个电源电极及多个接地电极的电极保护部件，其中所述电极保护部件可包含：多个第一电极保护管，配置成分别包围多个电源电极；多个第二电极保护管，配置成分别包围多个接地电极；以及桥部件，配置成将彼此面
对的第一电极保护管及第二电极保护管彼此连接。
[0013]桥部件可配置成允许第一电极保护管及第二电极保护管彼此连通，且所述分批型衬底处理设备可还包含：保护气体供应部件，连接到通过桥部件彼此连通的第一电极保护管及第二电极保护管中的一个电极保护管以供应保护气体；以及保护气体排放部件，连接到第一电极保护管及第二电极保护管中的另一电极保护管以排放供应到所述一个电极保护管中的保护气体。
[0014]保护气体可包含惰性气体。
[0015]分批型衬底处理设备可还包含：高频电源部件，配置成供应高频功率；以及功率分配部件，设置于高频电源部件与多个电源电极之间，且配置成分配从高频电源部件供应的高频功率，以便将所分配的高频功率提供到多个电源电极中的每一个。
[0016]功率分配部件可包含设置于分配点与多个电源电极中的至少一个之间的可变电容器，在所述分配点处将高频功率分配给多个电源电极中的每一个。
[0017]分批型衬底处理设备可还包含控制部件，其配置成根据等离子体的状态选择性地调整施加到多个电源电极中的每一个的高频功率。
[0018]分批型衬底处理设备可还包含多个气体供应管，其配置成通过排放孔朝向电源电极与接地电极之间的空间中的每一个供应由等离子体分解的处理气体。
[0019]等离子体形成部件可包含多个注入孔，其设置成相对于排放孔的排放方向错位，且布置在反应管的纵向方向上以将由等离子体分解的处理气体的自由基供应到处理空间。
[0020]分批型衬底处理设备可还包含多个气体供应管，其沿反应管的圆周方向设置在多个电极的两侧外部，以通过排放孔将由等离子体分解的处理气体供应到排放空间中。
[0021]多个气体供应管可对称地安置于从反应管的中心轴延伸到排放空间的中心的径向方向的两侧处。
附图说明
[0022]根据结合附图进行的以下描述可更详细地理解示例性实施例，在所述附图中：
[0023]图1是根据示例性实施例的衬底处理设备的水平横截面图。
[0024]图2是根据示例性实施例的衬底处理设备的侧视横截面图。
[0025]图3是用于解释根据示例性实施例的取决于多个电极的数目而感应到接地电极中的电压波形的概念图。
[0026]图4是用于解释根据示例性实施例的电极保护部件的概念图。
[0027]图5是用于解释根据示例性实施例的高频功率的供应的概念图。
[0028]图6是示出根据示例性实施例的多个气体供应管的实例的水平横截面图。
[0029]附图标号说明
[0030]10：衬底；
[0031]50：衬底舟；
[0032]100：分批型衬底处理设备；
[0033]110：反应管；
[0034]111：处理空间；
[0035]115：分隔壁；
[0036]115a、115b：子侧壁；
[0037]115c：主侧壁；
[0038]120：等离子体形成部件；
[0039]121：电源电极/电极；
[0040]121a、121b：电源电极；
[0041]122：接地电极/电极；
[0042]122a、122b：接地电极；
[0043]123：注入孔；
[0044]125：排放空间；
[0045]130：电极保护部件；
[0046]131：第一电极保护管；
[0047]132：第二电极保护管；
[0048]133：桥部件；
[0049]141：保护气体供应部件；
[0050]142：保护气体排放部件；
[0051]150、150a、150b：高频电源部件；
[0052]155：功率分配部件；
[0053]155a：可变电容器；
[0054]155b：分配点；
[0055]155c：固定电容器；
[0056]160：控制部件；
[0057]170：气体供应管；
[0058]171：排放孔；
[0059]175：源气体供应管；
[0060]180：排气部件；
[0061]181：排出构件；
[0062]182：排气管线；
[0063]183：排气孔；
[0064]A
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分批型衬底处理设备，包括：反应管，配置成提供其中容纳多个衬底的处理空间；以及等离子体形成部件，具有排放空间，所述排放空间通过在所述反应管的纵向方向上延伸的分隔壁与所述处理空间区分开，且配置成通过在所述反应管的所述纵向方向上延伸的多个电极在所述排放空间中产生等离子体，其中所述多个电极包括：彼此间隔开的多个电源电极；以及设置于所述多个电源电极之间的多个接地电极。2.根据权利要求1所述的分批型衬底处理设备，其中所述多个接地电极设置成与所述多个电源电极间隔开，以及所述多个电极配置成在彼此间隔开的所述电源电极与所述接地电极之间的每一空间中产生电容耦合等离子体。3.根据权利要求2所述的分批型衬底处理设备，其中所述多个接地电极彼此间隔开。4.根据权利要求3所述的分批型衬底处理设备，其中所述多个接地电极之间的间隔距离小于或等于所述电源电极与所述接地电极之间的间隔距离。5.根据权利要求1所述的分批型衬底处理设备，还包括配置成保护所述多个电源电极及所述多个接地电极的电极保护部件，其中所述电极保护部件包括：多个第一电极保护管，配置成分别包围所述多个电源电极；多个第二电极保护管，配置成分别包围所述多个接地电极；以及桥部件，配置成将彼此面对的所述第一电极保护管及所述第二电极保护管彼此连接。6.根据权利要求5所述的分批型衬底处理设备，其中所述桥部件配置成允许所述第一电极保护管及所述第二电极保护管彼此连通，以及所述分批型衬底处理设备还包括：保护气体供应部件，连接到通过所述桥部件彼此连通的所述第一电极保护管及所述第二电极保护管中的一个电极保护管以供应保护气体；以及保护气体排放部件，连接到所述第一电极保护管及所述第二电极保护管中的另一电极保护管以排放供应到所述一个电极保...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵政熙，金苍乭，
申请(专利权)人：株式会社尤金科技，
类型：发明
国别省市：