加热组件、基片承载组件及其等离子体处理装置制造方法及图纸

一种加热组件、基片承载组件及其等离子体处理装置，其中加热组件包括：第一绝缘层；第一副加热区域，位于所述第一绝缘层内，包括若干个第一加热器；第二绝缘层；第二副加热区域，位于所述第二绝缘层内，包括若干个第二加热器，一个第二加热器通过一根第一导线串联至一个第一加热器；若干个电源供应线，其中一个电源供应线电连接至若干个第一加热器；若干个电源返回线，其中一个电源返回线电连接至若干个第二加热器。所述加热组件能够在使用较少引出线的情况下使基片达到较好的温度分布。的情况下使基片达到较好的温度分布。的情况下使基片达到较好的温度分布。

【技术实现步骤摘要】
加热组件、基片承载组件及其等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种加热组件、基片承载组件及其等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]等离子体处理装置内为等离子体环境，基片在所述等离子体环境中实现表面的处理。在对基片进行表面处理的过程中，需严格控制基片各个位置的温度，使基片无论在径向上还是相位角方向上的温度分布都均匀，才能使基片的关键尺寸(Critical Dimension，CD)达到预期的效果。
[0003]然而，随着半导体技术的不断发展，期望基片的关键尺寸(CD)越来越小，即使小范围的温度波动可能使所形成的关键尺寸到难以接受的程度，因此，迫切需要一种加热组件能够精确控制基片温度分布的均匀性，同时，还能够使加热组件的引出线较少以减少滤波器的需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种加热组件、基片承载组件及其等离子体处理装置，能够在使用较少引出线的情况下使基片达到较好的温度分布稳定性。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种加热组件，包括：第一绝缘层；第一副加热区域，位于所述第一绝缘层内，包括若干个第一加热器；第二绝缘层；第二副加热区域，位于所述第二绝缘层内，包括若干个第二加热器，一个第二加热器通过一根第一导线串联至一个第一加热器；若干个电源供应线，其中一个电源供应线电连接至若干个第一加热器；若干个电源返回线，其中一个电源返回线电连接至若干个第二加热器。
[0006]可选的，所述第一副加热区域和第二副加热区域对应的区域为副加热区域；不同的副加热区域连接至不同对的电源供应线和电源返回线上。
[0007]可选的，同一个所述加热电路中，所述第一副加热区域在第一绝缘层上的投影与第二副加热区域在第一绝缘层上的投影部分重叠。
[0008]可选的，所述第一副加热区域在第一绝缘层上的投影面积大于第二副加热区域在第一绝缘层上的投影面积。
[0009]可选的，一个所述加热电路中的所述第一副加热区域在第一绝缘层上的投影与相邻的加热电路中的第二副加热区域在第一绝缘层上的投影部分重叠。
[0010]可选的，所述第一加热器为第一加热丝，所述第二加热器为第二加热丝。
[0011]可选的，所述第一加热丝和第二加热丝在第一绝缘层上的投影图形完全重叠。
[0012]可选的，每根所述电源供应线与第一加热器之间设置有第一开关；每根所述电源返回线与第二加热器之间设置有第二开关。
[0013]可选的，还包括：与每个所述第一开关对应设置的锁存器，锁存器连接到一个共用的控制总线，通过控制总线连接到控制器，并接受来自控制器的控制信号；所述控制信号包
括需要进行输出功率修正的副加热区域的地址信息，以及该地址下副加热区域的目标加热功率值，每个锁存器输出驱动信号至与其连接的第一开关，驱动信号用于控制所述第一开关在每个周期的工作时长。
[0014]可选的，还包括：第三绝缘层，位于所述第一绝缘层和第二绝缘层的上方或者位于所述第一绝缘层和第二绝缘层的下方；主加热区域，位于所述第三绝缘层内。
[0015]可选的，还包括：第四绝缘层；第三副加热区域，位于所述第四绝缘层内，包括若干个第三加热器，所述第三加热器通过第二导线与第一加热器和第二加热器电连接。
[0016]可选的，所述第三副加热区域在所述第一绝缘层上的投影与第一副加热区域和/或第二副加热区域在第一绝缘层上的投影部分重叠。
[0017]相应的，本专利技术还提供一种基片承载组件，包括：冷却板；加热组件，位于所述冷却板上；静电夹盘，位于所述加热组件的上方，用于吸附基片。
[0018]可选的，所述第一绝缘层位于冷却板上，所述第二绝缘层位于第一绝缘层上。
[0019]可选的，所述第二绝缘层位于冷却板上，所述第一绝缘层位于第二绝缘层上。
[0020]相应的，本专利技术还提供一种等离子体处理装置，包括：反应腔，其内为等离子体环境；上述基片承载组件，位于所述反应腔内的底部，所述等离子体环境中的等离子体用于对基片的表面进行处理。
[0021]可选的，所述等离子体处理装置为电感耦合等离子体处理装置或者电容耦合等离子体处理装置。
[0022]与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：
[0023]本专利技术技术方案提供的等离子体处理装置中，所述第一副加热区域位于所述第一绝缘层内，所述第二副加热区域位于所述第二绝缘层内，所述第一副加热区域包括若干个第一加热器，所述第二副加热区域包括若干个第二加热器，一个第二加热器通过一根第一导线与一个第一加热器连接，一个电源供应线连接至若干个第一加热器，一个电源返回线连接至若干个第二加热器，使得整体上电源供应线和电源返回线的个数较少，因此，有利于减少滤波器的个数需求。并且，通过一对电源供应线和电源返回线控制第一副加热区域和第二副加热区域对基片相应区域进行加热，有利于对基片进行较好的温度控制，使基片的温度分布均匀性较好。
[0024]进一步，在冷点位置，使第一副加热区域与第二副加热区域在第一绝缘层上的投影重叠面积较大，有利于提高小范围冷点位置的温度；在热点位置，使第一副加热区域与第二副加热区域在第一绝缘层上的投影重叠面积较小，有利于防止热点位置的温度过高。综上，能够提高基片表面温度分布的均匀性。
附图说明
[0025]图1为本专利技术一种等离子体处理装置的结构示意图；
[0026]图2是本专利技术等离子体处理装置中一种基片承载组件的结构示意图；
[0027]图3是本专利技术基片承载组件中一种加热组件的剖面示意图；
[0028]图4为图3沿A
‑
A1线的俯视图；
[0029]图5为图3沿B
‑
B1线的仰视图；
[0030]图6是本专利技术中一种第一副加热区域与第二副加热区域的位置关系示意图；
[0031]图7是本专利技术中另一种第一副加热区域与第二副加热区域的位置关系示意图；
[0032]图8为一种第一加热器和第二加热器在第一绝缘层上的投影示意图。
具体实施方式
[0033]本专利技术技术方案提供一种加热组件、基片承载组件及其等离子体处理装置，包括：第一副加热区域，位于所述第一绝缘层内，包括若干个第一加热器；第二绝缘层；第二副加热区域，位于所述第二绝缘层内，包括若干个第二加热器，一个第二加热器通过一根第一导线串联至一个第一加热器；若干个电源供应线，其中一个电源供应线电连接至若干个第一加热器；若干个电源返回线，其中一个电源返回线电连接至若干个第二加热器。所述加热组件能够减少电源供应线和电源返回线的个数，且能够使基片的温度均匀性较好。
[0034]为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。
[0035]图1是本专利技术一种等离子体处理装置的结构示意图。
[0036]请参考图1，等离子体处理装置100包括：反应腔101，其内为等离子体环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于基片承载组件的加热组件，所述基片承载组件用于承载基片，其特征在于，包括：第一绝缘层；第一副加热区域，位于所述第一绝缘层内，包括若干个第一加热器；第二绝缘层；第二副加热区域，位于所述第二绝缘层内，包括若干个第二加热器，一个第二加热器通过一根第一导线串联至一个第一加热器；若干个电源供应线，其中一根电源供应线连接若干个第一加热器构成一行；若干个电源返回线，其中一根电源返回线连接若干个第二加热器构成一列；一个电源供应线、第一加热器、第一导线、第二加热器和一个电源返回线形成一个加热电路，用于调节所述基片上对应区域的温度。2.如权利要求1所述的加热组件，其特征在于，所述第一副加热区域和第二副加热区域对应的区域为副加热区域；不同的副加热区域连接至不同对的电源供应线和电源返回线上。3.如权利要求1所述的加热组件，其特征在于，同一个所述加热电路中，所述第一副加热区域在第一绝缘层上的投影与第二副加热区域在第一绝缘层上的投影部分重叠。4.如权利要求1所述的加热组件，其特征在于，所述第一副加热区域在第一绝缘层上的投影面积大于第二副加热区域在第一绝缘层上的投影面积。5.如权利要求1所述的加热组件，其特征在于，一个所述加热电路中的所述第一副加热区域在第一绝缘层上的投影与相邻的加热电路中的第二副加热区域在第一绝缘层上的投影部分重叠。6.如权利要求1所述的加热组件，其特征在于，所述第一加热器为第一加热丝，所述第二加热器为第二加热丝。7.如权利要求6所述的加热组件，其特征在于，所述第一加热丝和第二加热丝在第一绝缘层上的投影图形完全重叠。8.如权利要求2所述的加热组件，其特征在于，每根所述电源供应线与第一加热器之间设置有第一开关；每根所述电源返回线与第二加热器之间设置有第二开关。9.如权利要求8所述的加热组件，其特征在于，还包括：与每个所述第一开关对应设置的锁存器，所述锁存器...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜银鑫，张辉，蔡楚洋，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：