一种低损伤去胶装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供了一种低损伤去胶装置，涉及半导体技术领域。该低损伤去胶装置包括装置本体、耦合装置和载气装置；装置本体包括依次连通的等离子体产生室和去胶反应室；耦合装置设置于装置本体上，用以使得进入等离子体产生室内的气体解离形成等离子体；载气装置设置于等离子体产生室和去胶反应室之间，用于向等离子体产生室内通入载气，以稀释产生于等离子体产生室内的等离子体，能够减轻等离子体对器件造成的损伤，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种低损伤去胶装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种低损伤去胶装置。

技术介绍

[0002]等离子体划分成三类：高温等离子体（热核聚变等离子体），热等离子体（等离子体弧、等离子体矩等）；冷等离子体（低气压交直流、射频、微波等离子体以及高气压介质阻挡放电、电晕放电、RF放电）。
[0003]相比直流辉光放电，交流放电可以克服直流放电带来的等离子体的不均匀。而在交流放电中又有低频和高频区分，低频交流等离子放电会因为裸露的电极造成对等离子体的污染，高频等离子体可以改变处理的均匀性，并且无论有没有介质阻挡可以维持持续、均匀、有效的放电。同时电子和离子在放电的半周期内到达不了电极，大大降低了带电粒子的损耗；高频RF放电可以产生较均匀的等离子体，这主要是由于高频放电过程中，电子在电场中往复运动，分子和电子发生碰撞，电子将能量传递给分子，使分子变为激发态，发生电离形成等离子体。如果RF功率低就会导致等离子体还未到达器件表面就已经能量衰减完，反应处理效果大幅降低。而RF功率过高，虽可以保证等离子体充分电离，也就意味着等离子体密度大，在到达器件表面时因密度过大导致对器件造成过量的轰击，形成对器件损伤严重，降低了后续器件的使用寿命，造成产品良率低，附加值低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种低损伤去胶装置，其能够减轻等离子体对器件造成的损伤，提高产品良率。
[0005]本专利技术的实施例可以这样实现：本专利技术的实施例提供了一种低损伤去胶装置，其包括装置本体、耦合装置和载气装置；所述装置本体包括依次连通的等离子体产生室和去胶反应室；所述耦合装置设置于所述装置本体上，用以使得进入所述等离子体产生室内的气体解离形成等离子体；所述载气装置设置于所述等离子体产生室和所述去胶反应室之间，用于向所述等离子体产生室内通入载气，以稀释产生于所述等离子体产生室内的等离子体。
[0006]可选的，所述装置本体包括气体管路，所述气体管路具有进气端和出气端；所述耦合装置包括耦合线圈，所述耦合线圈绕设于所述气体管路靠近所述进气端的位置，绕设有所述耦合线圈的气体管路段形成所述等离子体产生室，所述去胶反应室连通设置于所述出气端上。
[0007]可选的，所述出气端上设置有网格装置，用以对产生于所述等离子体产生室内的等离子体进行分散。
[0008]可选的，所述耦合线圈的频率为12
‑
14MHz。
[0009]可选的，所述载气装置内部设置有加热丝，用于对载气进行加热。
[0010]可选的，所述载气为惰性气体。
[0011]可选的，所述去胶反应室内设置有晶圆载台，用以承载晶圆。
[0012]可选的，所述去胶反应室内设置有通有冷却水的冷却管路，所述冷却管路与所述晶圆载台相连接。
[0013]可选的，所述冷却管路为循环冷却管路。
[0014]可选的，所述去胶反应室上设置有抽气装置，用以对去胶反应室进行抽气。
[0015]本专利技术实施例的低损伤去胶装置的有益效果包括，例如：将气体通入等离子体产生室后，利用耦合装置高频电感耦合放电促使等离子体反应室中的电子与气体分子发生非弹性碰撞，形成解离充分的等离子体；同时向等离子体产生室内通入载气，载气汇入产生于等离子体产生室内的等离子体中，能够稀释等离子体的密度，稀释后的等离子体再进入去胶反应室内，便能够减轻对晶圆表面的轰击，减轻对晶圆的损伤，提高产品良率。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0017]图1为本申请实施例中去胶装置的结构示意图。
[0018]图标：100
‑
装置本体；110
‑
等离子体产生室；120
‑
去胶反应室；121
‑
晶圆载台；122
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冷却管路；123
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抽气装置；130
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气体管路；131
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进气端；132
‑
出气端；200
‑
耦合装置；300
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载气装置；400
‑
网格装置；500
‑
晶圆。
具体实施方式
[0019]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0020]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0022]在本专利技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0023]此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0024]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术的实施例中的特征可以相互结合。
[0025]本申请的专利技术人发现，原有的去胶装置产生的等离子体密度较大，在到达器件表面时因密度过大导致对器件造成过量的轰击，形成对器件损伤严重，降低了后续器件的使用寿命，造成产品良率低，附加值低；本申请实施例提供了一种低损伤去胶装置，用以解决上述技术问题。
[0026]请参考图1，本实施例提供的低损伤去胶装置包括装置本体100、耦合装置200和载气装置300；装置本体100包括依次连通的等离子体产生室110和去胶反应室120；耦合装置200设置于装置本体100上，用以使得进入等离子体产生室110内的气体解离形成等离子体；载气装置300设置于等离子体产生室110和去胶反应室120之间，用于向等离子体产生室110内通入载气，以稀释产生于等离子体产生室110内的等离子体。
[0027]需要说明的是，耦合装置200能够进行高频RF（射频）放电，在高频放电过程中，电子在电场中往复运动，分子和电子发生碰撞，电子将能量传递给分子，使分子变为激本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低损伤去胶装置，其特征在于，包括装置本体、耦合装置和载气装置；所述装置本体包括依次连通的等离子体产生室和去胶反应室；所述耦合装置设置于所述装置本体上，用以使得进入所述等离子体产生室内的气体解离形成等离子体；所述载气装置设置于所述等离子体产生室和所述去胶反应室之间，用于向所述等离子体产生室内通入载气，以稀释产生于所述等离子体产生室内的等离子体。2.根据权利要求1所述的低损伤去胶装置，其特征在于，所述装置本体包括气体管路，所述气体管路具有进气端和出气端；所述耦合装置包括耦合线圈，所述耦合线圈绕设于所述气体管路靠近所述进气端的位置，绕设有所述耦合线圈的气体管路段形成所述等离子体产生室，所述去胶反应室连通设置于所述出气端上。3.根据权利要求2所述的低损伤去胶装置，其特征在于，所述出气端上设置有网格装置，用以对产生于所述等离子体产生室内...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭轲科，林政勋，
申请(专利权)人：无锡邑文电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：