【技术实现步骤摘要】
掩模制造方法
[0001]本专利技术涉及掩模制造方法。更具体地,涉及一种可在掩模上稳定地形成掩模图案的掩模制造方法。
技术介绍
[0002]作为OLED(有机发光二极管)制造工艺中形成像素的技术,主要使用精细金属掩模(Fine Metal Mask,FMM)方法,该方法将薄膜形式的金属掩模(Shadow Mask,阴影掩模)紧贴于基板并且在所需位置上沉积有机物。
[0003]在现有的OLED制造工艺中,将掩模制造成条状、板状等后,将掩模焊接固定到OLED像素沉积框架并使用。一个掩模上可以具备与一个显示器对应的多个单元。
[0004]在超高画质的OLED中,现有的QHD画质为500
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600PPI(pixel per inch,每英寸像素),像素的尺寸达到约30
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50μm,而4KUHD、8KUHD高画质具有比之更高的
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860PPI,
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1600PPI等的分辨率。如此,考虑到超高画质的OLED的像素尺寸,需要将各单元之间的对准误差缩减为数 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩模制造方法,其用于制造OLED像素形成用掩模,该方法包括以下步骤:(a)准备掩模金属膜;(b)在掩模金属膜的至少第一面上形成图案化的第一绝缘部;(c)在掩模金属膜的第一面上通过第一绝缘部图案间的空间形成副掩模图案;(d)通过夹设隔板绝缘部来粘合形成有副掩模图案的掩模金属膜的第一面与支撑基板;(e)使用与掩模金属膜的第一面相对的第二面上形成的第二绝缘部图案间的空间,在掩模金属膜上形成主掩模图案,从而制造掩模。2.如权利要求1所述的掩模制造方法,其中,进一步包括:(f)将掩模从支撑基板剥离的步骤。3.如权利要求1所述的掩模制造方法,其中,在步骤(b)中,在第一面上形成图案化的第一绝缘部以及在与第一面相对的第二面上形成图案化的第二绝缘部。4.如权利要求1所述的掩模制造方法,其中,在步骤(c)中,副掩模图案以不贯穿掩模金属膜的方式形成。5.如权利要求1所述的掩模制造方法,其中,第一绝缘部的图案间隔小于第二绝缘部的图案间隔。6.如权利要求1所述的掩模制造方法,其中,在步骤(e)中,主掩模图案以贯穿掩模金属膜的方式形成,主掩模图案与副掩模图案之和构成掩模图案。7.如权利要求1所述的掩模制造方法,其中,步骤(a)包括以下步骤:(a1)准备掩模金属膜;(a...
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