【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及掩模与支撑部的连接体及其制造方法。更具体地，涉及一种在半导体晶片上形成像素时使用且能够精密地形成超高分辨率的掩模图案的掩模与支撑部的连接体及其制造方法。
技术介绍
1、作为oled制造工艺中形成像素的技术，主要使用fmm(fine metal mask，精细金属掩模)方法，该方法将薄膜形式的金属掩模(shadow mask，阴影掩模)紧贴到基板且在所需位置上沉积有机物。
2、现有oled制造工序中在制造掩模薄膜之后，通过将掩模焊接到oled像素沉积框架并使用，但是固定的过程中存在很难对大面积掩模进行对准的问题。此外，在焊接固定到框架的过程中由于掩模膜的厚度过薄且为大面积，因此存在掩模基于荷重下垂或者扭曲的问题。
3、在超高画质的oled制造工序中，1μm以下细微的对准误差也会导致像素沉积失败，因此需要开发能够防止掩模的下垂或者扭曲等变形并使对准精确的技术等。
4、另外，最近vr(virtual reality，虚拟现实)机器中使用的微显示器(microdisplay)备受关注。为了在vr...
【技术保护点】
1.一种掩模与支撑部的连接体，该连接体在半导体晶片上形成OLED像素的工艺中使用，包括：
2.如权利要求1所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述掩模的至少一部分布置于所述支撑部下陷形成的沟槽部上。
3.如权利要求1所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述支撑部由硅晶片形成，所述掩模通过电铸方式形成于所述硅晶片上，所述掩模包括因瓦合金或者超因瓦合金材质。
4.如权利要求3所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述第一面和所述第二面的成分相较于所述第三面的成分，镍含量丰富。
5.如权利要求3所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述支...
【技术特征摘要】
1.一种掩模与支撑部的连接体，该连接体在半导体晶片上形成oled像素的工艺中使用，包括：
2.如权利要求1所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述掩模的至少一部分布置于所述支撑部下陷形成的沟槽部上。
3.如权利要求1所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述支撑部由硅晶片形成，所述掩模通过电铸方式形成于所述硅晶片上，所述掩模包括因瓦合金或者超因瓦合金材质。
4.如权利要求3所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述第一面和所述第二面的成分相较于所述第三面的成分，镍含量丰富。
5.如权利要求3所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述支撑部与所述掩模之间夹设有包含ni和si的连接部，或者包含f、ni和si的连接部。
6.如权利要求1所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述掩模的表面形成有磁畴。
7.如权利要求6所述的掩模与支撑部的连接体，其中，形成于所述第三面上的所述磁畴具有包括水平的一侧面的立体形状。
8.如权利要求3所述的掩模与支撑部的连接体，其中，相邻的所述掩模图案之间的掩模部分的成分通过垂直方向和水平方向上的电铸生长组合发生变化。
9.如权利要求8所述的掩模与支撑部的连接体，其中，相邻的所述掩模图案之间的掩模部分包括以预定角度倾斜的结晶形态。
10.如权利要求1所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述支撑部和所述掩模具有圆形形状，
11.如权利要求10所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述虚设部与所述边缘部共同使用同一上部面。
12.如权利要求10所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述栅格部上形成有下陷形成的虚设沟槽部，对应所述划分部的所述掩模部分布置于所述虚设沟槽部内，所述划分部与所述栅格部至少共同使用同一上部面。
13.如权利要求3所述的掩模与支撑部的连接体，其中，所述硅晶片的100面或者111面结晶方向与所述第一栅格部或者第二栅格部的长度方向不平...
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