静电卡盘及半导体处理设备制造技术

本实用新型专利技术实施例提供了一种静电卡盘及半导体处理设备。其中，所述静电卡盘，包括：晶圆载置部及至少一组进液管路；其中，所述晶圆载置部具有容纳导热液体的内腔；通过所述内腔中导热液体对设置在所述晶圆载置部上的晶圆进行温度调节；所述至少一组进液管路中的每组均包括：至少两个进液子管路和至少一个混合管路；其中，所述至少两个进液子管路用于，将不同预设温度的导热液体分别传送至所述混合管路中；所述混合管路，用于将传送到的导热液体进行混合，并将混合后的导热液体至所述内腔。并将混合后的导热液体至所述内腔。并将混合后的导热液体至所述内腔。

【技术实现步骤摘要】
静电卡盘及半导体处理设备


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种静电卡盘及半导体处理设备。

技术介绍

[0002]在半导体工艺制程中，静电卡盘用于在晶圆的加工如，进行沉积或刻蚀等工艺时，承载该晶圆，并将该晶圆调节至工艺所期望的温度。
[0003]然而，相关技术中，对置于静电卡盘中晶圆载置部上的晶圆进行升温或降温时，存在温度调节不灵活的问题。

技术实现思路

[0004]为解决现有存在的技术问题，本技术实施例提出了一种静电卡盘及半导体处理设备。
[0005]本技术实施例提供的静电卡盘包括：晶圆载置部及至少一组进液管路；其中，
[0006]所述晶圆载置部具有容纳导热液体的内腔；通过所述内腔中导热液体对设置在所述晶圆载置部上的晶圆进行温度调节；
[0007]所述至少一组进液管路中的每组均包括：至少两个进液子管路和至少一个混合管路；其中，所述至少两个进液子管路用于，将不同预设温度的导热液体分别传送至所述混合管路中；所述混合管路，用于将传送到的导热液体进行混合，并将混合后的导热液体至所述内腔。
[0008]上述方案中，所述静电卡盘还包括控制器，用于根据目标温度值及所述进液子管路中导热液体的不同预设温度值，确定各进液子管路中通入的导热液体的流量比。
[0009]上述方案中，所述静电卡盘还包括温度检测部件，设置在所述内腔中，用于检测所述内腔中导热液体的温度，并将检测的温度发送给所述控制器；
[0010]所述控制器，还用于根据所述检测的温度与所述目标温度的差值，调整所述流速比。
[0011]上述方案中，所述静电卡盘还包括流量控制部件，设置在所述进液子管路中，用于在控制器的作用下，控制所述进液子管路中导热液体的流量。
[0012]上述方案中，所述静电卡盘包括并联设置的两组进液管路；其中，一组进液管路用于向所述内腔中供应用于升高所述晶圆温度的导热液体；另一组进液管路用于向所述内腔中供应用于降低所述晶圆温度的导热液体。
[0013]上述方案中，每组进液管路均包括：两个进液子管路和一个混合管路；其中，所述两个进液子管路用于，将第一预设温度的导热液体和第二预设温度的导热液体分别传送至所述混合管路中。
[0014]上述方案中，所述静电卡盘还包括止回阀，设置在所述进液子管路和/或混合管路中，用于防止所述导热液体向背离所述内腔的方向流动。
[0015]上述方案中，所述静电卡盘包括出液管路，与所述内腔连通，用于将内腔中的导热
液体排出。
[0016]本技术实施例还提供了一种半导体处理设备，包括如上所述的静电卡盘。
[0017]上述方案中，所述半导体处理设备包括刻蚀机台、沉积机台或者离子注入机台。
[0018]本技术实施例提供了一种静电卡盘装置及半导体处理设备。其中，所述静电卡盘包括：晶圆载置部及至少一组进液管路；其中，所述晶圆载置部具有容纳导热液体的内腔；通过所述内腔中导热液体对设置在所述晶圆载置部上的晶圆进行温度调节；所述至少一组进液管路中的每组均包括：至少两个进液子管路和至少一个混合管路；其中，所述至少两个进液子管路用于，将不同预设温度的导热液体分别传送至所述混合管路中；所述混合管路，用于将传送到的导热液体进行混合，并将混合后的导热液体至所述内腔。本技术实施例中，通过设置至少两个子管路，并利用两个子管路将不同预设温度的导热液体进行混合，之后将混合后的导热液体提供至晶圆载置部的内腔，以对设置在所述晶圆载置部上的晶圆进行温度调节。可以理解的是，本技术实施例中提供了至少两个子管路，可以通过两个不同预设温度的导热液体的混合灵活的实现不同温度的导热液体的供应，打破了使用单一温度的导热液体供给至内腔而存在温度调节单一的限制。
附图说明
[0019]图1为相关技术中静电卡盘的结构示意图；
[0020]图2为本技术实施例提供的一种静电卡盘的结构示意图；
[0021]图3为本技术实施例提供的另一种静电卡盘的结构示意图；
[0022]图4为本技术的静电卡盘进行温度调节的原理示意图；
[0023]图5为利用相关技术中的静电卡盘进行刻蚀沟道孔或栅缝隙刻蚀时三维存储芯片的剖面结构示意图；
[0024]图6为利用相关技术中的静电卡盘进行刻蚀沟道孔或栅缝隙刻蚀时三维存储芯片的立体结构示意图；
[0025]图7为本技术中一个示例中的CH2F2/C
x
F
y
随刻蚀深度的比例曲线示意图；
[0026]图8为本技术中一个示例中不同刻蚀深度对应的步骤中晶圆所需的温度示意图；
[0027]图9为相关技术中和本技术的静电卡盘进行温度调节的对照曲线示意图；
[0028]图10为利用本技术实施例提供的静电卡盘进行刻蚀沟道孔或栅缝隙刻蚀时三维存储芯片的剖面结构示意图。
具体实施方式
[0029]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0030]在本技术的描述中，术语“内”、“外”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“顶”、“底”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术而不是要求本技术必须以特定的方位构造和操作，因此不应当理解为对本技术的限制。
[0031]在半导体工艺制程中，静电卡盘用于在晶圆的加工如，进行沉积或刻蚀等工艺时，承载该晶圆，并将该晶圆调节至工艺所期望的温度。
[0032]相关技术中，结合图1所示，图1为相关技术中静电卡盘10的结构示意图。该静电卡盘10主要包括：晶圆载置部110、混合管路120、第一输入管路130、第二管路140以及输出管路150，其中，在静电卡盘10中，对置于晶圆载置部110上的晶圆(图1中未示出)进行温度调节包括升温和降温两种情况。
[0033]当需要对晶圆进行升温时，向第一输入管路130中通入高温的流体，该热流体进入混合管路120中，随后进入晶圆载置部110中的内腔，经过对置于晶圆载置部110上的晶圆进行升温后，再经由输出管路150排出。这里，当第一输入管路130中通入相对热的流体时，与其并联的第二输入管路140中不通入任何流体。这样，通过单个管路实现了对晶圆的升温。
[0034]当需要对晶圆进行降温时，向第二输入管路140中通入低温的流体，该冷流体进入混合管路120中，随后进入晶圆载置部110中的内腔(未示出)，经过对置于晶圆载置部110上的晶圆进行降温后，再经由输出管路150排出。这里，当第二输入管路140中通入相对低温的流体时，与其并联的第一输入管路130 中不通入任何流体。这样，通过单个管路实现了对晶圆的降温。
[0035]可以看出，第一输入管路130和与之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘，其特征在于，包括：晶圆载置部及至少一组进液管路；其中，所述晶圆载置部具有容纳导热液体的内腔；通过所述内腔中导热液体对设置在所述晶圆载置部上的晶圆进行温度调节；所述至少一组进液管路中的每组均包括：至少两个进液子管路和至少一个混合管路；其中，所述至少两个进液子管路用于，将不同预设温度的导热液体分别传送至所述混合管路中；所述混合管路，用于将传送到的导热液体进行混合，并将混合后的导热液体至所述内腔。2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述静电卡盘还包括控制器，用于根据目标温度值及所述进液子管路中导热液体的不同预设温度值，确定各进液子管路中通入的导热液体的流量比。3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述静电卡盘还包括温度检测部件，设置在所述内腔中，用于检测所述内腔中导热液体的温度，并将检测的温度发送给所述控制器；所述控制器，还用于根据所述检测的温度与所述目标温度的差值，调整所述流量比。4.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述静电卡盘还包括流量控制部件，设置在所述进液子管路中，用于在控...

【专利技术属性】
技术研发人员：王星，王浙辉，周鹏，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：