一种用于晶圆注入的真空注入模块制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于晶圆注入的真空注入模块，其适用于超低温晶圆注入平台，用于晶圆注入的真空注入模块包括真空工艺腔，真空工艺腔内设置有晶圆扫描机械手，晶圆扫描机械手的末端设置有晶圆注入承载盘，晶圆注入承载盘用于承载并固持晶圆，晶圆扫描机械手用于移动、翻转晶圆注入承载盘；在真空注入模块一侧壁外固定设置有离子源生成和离子束成形模块。本实用新型专利技术的真空注入模块实现了超低温晶圆注入，有效抑制了离子注入过程中的动态退火，使得间隙位置原子无法再回到晶格替代位置，使得非晶包数目变多、非晶包范围逐步扩大，最后所有非晶包的边界连接在一起形成完整的非晶层。层。层。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆注入的真空注入模块


[0001]本技术属于半导体制造加工领域，涉及一种用于晶圆注入的真空注入模块，其为一种适用于超低温晶圆注入平台的真空注入模块，其适用于离子注入设备。

技术介绍

[0002]半导体器件制造为了实现纳米或深纳米级半导体器件的制造，一般需要对晶圆表面进行非晶化处理。非晶化处理技术一般为使用碳、锗等不显电性的原子打乱晶圆表面单晶硅的原有晶体结构，使单晶硅变成非晶态(α
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Si)。离子注入是近年来半导体制造中使单晶硅变成非晶态获得广泛应用的技术之一。
[0003]目前公开的离子注入技术大多数采用的是常温离子注入技术，注入时的环境温度一般为20℃左右，常温离子注入技术不能在晶圆表面很好的形成所需要的非晶层。根据理论研究表明，采用超低温离子注入(温度为
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50℃以下)能够明显提升注入效果。而采用超低温离子注入工艺的设备，尤其是超低温晶圆注入平台，原有常温注入技术中使用的离子注入部件将无法正常使用；即使常温离子注入部件使用于
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20℃以上的浅低温注入工艺，但该离子注入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆注入的真空注入模块，其特征在于，其为一种适用于超低温晶圆注入平台的真空注入模块，用于晶圆注入的真空注入模块包括真空工艺腔，半导体晶圆在真空工艺腔中按超低温真空的工艺条件实现离子注入，真空工艺腔内设置有晶圆扫描机械手(41)，晶圆扫描机械手(41)的末端设置有晶圆注入承载盘(42)，晶圆注入承载盘(42)用于承载并固持晶圆，晶圆扫描机械手(41)用于移动、翻转晶圆注入承载盘(42)；在真空注入模块一侧壁外固定设置有离子源生成和离子束成形模块。2.根据权利要求1所述的用于晶圆注入的真空注入模块，其特征在于，所述超低温晶圆注入平台包括前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块，前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块相互配合且形成一个有机整体，该有机整体实现超低温晶圆离子注入；前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块均单独设有对应结构的腔室。3.根据权利要求1所述的用于晶圆注入的真空注入模块，其特征在于，晶圆注入承载盘(42)为超低温静电吸盘。4.根据权利要求3所述的用于晶圆注入的真空注入模块，其特征在于，离子源生成和离子束成形模块与真空注入模块的连...

【专利技术属性】
技术研发人员：王振辉，肖志强，肖嘉星，刘金涛，夏世伟，沈斌，张劲，卢合强，高国珺，贾礼宾，张欣，张彦彬，查泽奇，
申请(专利权)人：北京凯世通半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：