一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其用于超低温离子注入平台，所述用于晶圆注入机构的升温静电吸盘包括静电吸盘主体(311)，静电吸盘主体(311)为圆盘状或板状，用于晶圆注入机构的升温静电吸盘至少为四层以上结构；静电吸盘主体(311)下部设置有真空升温平台(51)，真空升温平台(51)辐射加热静电吸盘主体(311)。其具有的多层结构，提升了静电吸盘的柔性，使其能够使用于超低温晶圆注入工艺；并且其中的印刷电极柔性层采用聚酰亚胺薄膜的介电质膜，使得用于晶圆注入机构的升温静电吸盘能够承受剧烈的温度变化，其具有从室温直至零下160度之间的工作温度。室温直至零下160度之间的工作温度。室温直至零下160度之间的工作温度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘


[0001]本技术属于半导体器件制造
，具体涉及一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘。

技术介绍

[0002]静电吸盘在半导体制造领域应用广泛，它是一种通过静电感应原理产生感应电荷来吸住晶圆的装置。传统的静电吸盘通常采用陶瓷薄膜作为电路柔性层，再将电极印刷到陶瓷薄膜上形成电极图案，通过共同烧结将两层带有印刷电极图案的电路柔性层粘连在一起，粘结在吸盘金属主体上，通过这种方法形成的静电吸盘为陶瓷型静电吸盘。
[0003]随着半导体器件制造技术的发展，为降低漏电，提高器件的性能，低温离子注入技术的应用逐步广泛化，其最低注入温度通常能达到
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100℃甚至以下。晶圆在低温注入之后，应当移送至常温环境进行存放。运送晶圆的静电吸盘需要经受到从超低温环境至常温环境的剧烈温度变化；由于静电吸盘的电极材料和陶瓷的热胀冷缩系数不一致，传统的陶瓷型静电吸盘在如此温度剧烈变化的环境中使用，经常因应力积累而出现翘曲甚至开裂现象，而无法应用于超低温离子注入工艺。
[0004]为了提升半导体制造工艺，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其特征在于，其用于超低温离子注入平台，所述用于晶圆注入机构的升温静电吸盘包括静电吸盘主体(311)，静电吸盘主体(311)为圆盘状或板状，用于晶圆注入机构的升温静电吸盘至少为四层以上结构；静电吸盘主体(311)下部设置有真空升温平台(51)，真空升温平台(51)辐射加热静电吸盘主体(311)。2.根据权利要求1所述的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其特征在于，四层以上结构至少包括自下而上排列的静电吸盘主体(311)、第一印刷电极柔性层(312)、电极排列(313)或粘接填充层(314)、第二印刷电极柔性层(315)。3.根据权利要求1所述的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其特征在于，第一印刷电极柔性层(312)为介电质膜，第二印刷电极柔性层(315)为介电质膜。4.根据权利要求1所述的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其特征在于，真空升温平台(51)内置升温机构。5.根据权利要求2所述的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其特征在于，介电质膜为聚酰亚胺薄膜，聚酰亚胺薄膜膜厚为15微米至1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金涛，康劲，王振辉，雷晓刚，卢合强，王辉，夏世伟，高国珺，沈斌，贾礼宾，张劲，郑皓文，侯爽，张彦彬，李恒，
申请(专利权)人：北京凯世通半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：