一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其用于超低温离子注入平台，所述用于晶圆注入机构的升温静电吸盘包括静电吸盘主体(311)，静电吸盘主体(311)为圆盘状或板状，用于晶圆注入机构的升温静电吸盘至少为四层以上结构；静电吸盘主体(311)下部设置有真空升温平台(51)，真空升温平台(51)辐射加热静电吸盘主体(311)。其具有的多层结构，提升了静电吸盘的柔性，使其能够使用于超低温晶圆注入工艺；并且其中的印刷电极柔性层采用聚酰亚胺薄膜的介电质膜，使得用于晶圆注入机构的升温静电吸盘能够承受剧烈的温度变化，其具有从室温直至零下160度之间的工作温度。室温直至零下160度之间的工作温度。室温直至零下160度之间的工作温度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘


[0001]本技术属于半导体器件制造
，具体涉及一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘。

技术介绍

[0002]静电吸盘在半导体制造领域应用广泛，它是一种通过静电感应原理产生感应电荷来吸住晶圆的装置。传统的静电吸盘通常采用陶瓷薄膜作为电路柔性层，再将电极印刷到陶瓷薄膜上形成电极图案，通过共同烧结将两层带有印刷电极图案的电路柔性层粘连在一起，粘结在吸盘金属主体上，通过这种方法形成的静电吸盘为陶瓷型静电吸盘。
[0003]随着半导体器件制造技术的发展，为降低漏电，提高器件的性能，低温离子注入技术的应用逐步广泛化，其最低注入温度通常能达到
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100℃甚至以下。晶圆在低温注入之后，应当移送至常温环境进行存放。运送晶圆的静电吸盘需要经受到从超低温环境至常温环境的剧烈温度变化；由于静电吸盘的电极材料和陶瓷的热胀冷缩系数不一致，传统的陶瓷型静电吸盘在如此温度剧烈变化的环境中使用，经常因应力积累而出现翘曲甚至开裂现象，而无法应用于超低温离子注入工艺。
[0004]为了提升半导体制造工艺，向半导体先进制造的先进制程28nm 的高质量制造以及实现超低先进制程7nm以下进军，急需寻找一种可以适用于低温离子注入环境的静电吸盘。

技术实现思路

[0005]基于现有技术中存在的问题，本技术提供一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，
[0006]依据本技术的技术方案，提供一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其用于超低温离子注入平台，所述用于晶圆注入机构的升温静电吸盘包括静电吸盘主体，静电吸盘主体为圆盘状或板状，用于晶圆注入机构的升温静电吸盘至少为四层以上结构；静电吸盘主体下部设置有真空升温平台，真空升温平台辐射加热静电吸盘主体。
[0007]其中用于晶圆注入机构的升温静电吸盘包含的四层以上结构至少包括自下而上排列的静电吸盘主体、第一印刷电极柔性层、电极排列或粘接填充层、第二印刷电极柔性层。
[0008]进一步地，第一印刷电极柔性层为介电质膜，第二印刷电极柔性层为介电质膜。
[0009]更进一步地，真空升温平台内置升温机构。
[0010]优选地，介电质膜为聚酰亚胺薄膜，聚酰亚胺薄膜膜厚为15微米至100微米中之任一厚度。第一印刷电极柔性层上表面紧贴电极排列，或电极排列紧贴在第二印刷电极柔性层下表面。电极排列印制在第一印刷电极柔性层上表面，或电极排列印制在第二印刷电极柔性层下表面。
[0011]更优选地，电极排列粘结在第一印刷电极柔性层上表面，或电极排列粘结在第二
印刷电极柔性层下表面。静电吸盘主体通过胶层与第一印刷电极柔性层粘接固定。
[0012]更进一步地，第一印刷电极柔性层上远离静电吸盘主体的一面上设置有至少2组电极排列。升温机构为石墨灯丝。
[0013]与现有技术相比较，本技术的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘的技术有益效果如下：
[0014]1、用于晶圆注入机构的升温静电吸盘的多层结构，提升了静电吸盘的柔性，使其能够使用于超低温晶圆注入工艺；
[0015]2、用于晶圆注入机构的升温静电吸盘采用印刷电极柔性层，使得电极产生足够的静电吸引力，确保了静电吸盘的工作稳定性；
[0016]3、印刷电极柔性层采用聚酰亚胺薄膜的介电质膜，使得用于晶圆注入机构的升温静电吸盘能够承受剧烈的温度变化，其具有从室温直至零下160度之间的工作温度。
附图说明
[0017]图1为依据本技术的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘的剖面结构示意图；
[0018]图2为依据本技术的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘的俯视结构示意图；
[0019]图3为夹持用于晶圆注入机构的升温静电吸盘的示意图；
[0020]图4为带有升温装置的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘的剖面结构示意图；
[0021]图5为用于晶圆注入机构的升温静电吸盘的第二实施例剖面结构示意图；
[0022]图6为用于晶圆注入机构的升温静电吸盘的第三实施例剖面结构示意图；
[0023]图7为用于晶圆注入机构的升温静电吸盘的第四实施例剖面结构示意图。
[0024]图中附图标记所指示的部件名称如下：
[0025]S：晶圆；311：静电吸盘主体；312：第一印刷电极柔性层；313：电极排列；314：粘接填充层；315：第二印刷电极柔性层；316：间隙；318：灯丝；51：真空升温平台。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术专利实施例中的附图，对本技术专利实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术专利的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术专利中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术专利保护的范围。
[0027]下面结合附图1和附图2来说明本技术的一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘。所述用于晶圆注入机构的升温静电吸盘适用于半导体制造中的真空低温冷却平台上，超低温为用于晶圆注入机构的升温静电吸盘能够承受低于零下50摄氏度之下、甚至直至零下160 摄氏度低温。升温幅度为子晶圆的低温温度升温至常温(室温)。
[0028]如图1和图2所示，一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘包括静电吸盘主体311，其用于超低温离子注入平台，静电吸盘主体311 为圆盘状或板状，用于晶圆注入机构的升温静电吸盘至少为四层以上结构。静电吸盘主体311的厚度不影响其工作性能。静电吸盘主体 311的材料一般为金属，例如铝、钛等。现有技术的静电吸盘主体一般为陶瓷，其存在低温与常温之间转换时因其热容量不高，容易发生龟裂或折损，本申请的静电吸盘主体采用的金属具有足够的热容量，解决了现有技术中的技术问题。
[0029]所述的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘的四层以上结构至少包括自下而上排列的静电吸盘主体311、第一印刷电极柔性层312、电极排列313或粘接填充层314、第二印刷电极柔性层315。第一印刷电极柔性层312上表面紧贴电极排列313，或电极排列313紧贴在第二印刷电极柔性层315下表面。在另外的实施例中，电极排列313 印制在第一印刷电极柔性层312上表面，或电极排列313印制在第二印刷电极柔性层315下表面。进一步地，电极排列313粘结在第一印刷电极柔性层312上表面，或电极排列313粘结在第二印刷电极柔性层315下表面。
[0030]本技术中的第一印刷电极柔性层312为介电质膜，第二印刷电极柔性层315为介电质膜。优选地，介电质膜为聚酰亚胺薄膜，聚酰亚胺薄膜膜厚为15微米至100微米中之任一厚度。静电吸盘主体311通过胶层与第一印刷电极柔性层312粘接固定。第一印刷电极柔性层312上远离静电吸盘主体311的一面上设置有至少2组电极排列 313。
[0031]进一步地，用于晶圆注入机构的升温静电吸盘的静电吸盘主体 311下部设置有真空升温平本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其特征在于，其用于超低温离子注入平台，所述用于晶圆注入机构的升温静电吸盘包括静电吸盘主体(311)，静电吸盘主体(311)为圆盘状或板状，用于晶圆注入机构的升温静电吸盘至少为四层以上结构；静电吸盘主体(311)下部设置有真空升温平台(51)，真空升温平台(51)辐射加热静电吸盘主体(311)。2.根据权利要求1所述的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其特征在于，四层以上结构至少包括自下而上排列的静电吸盘主体(311)、第一印刷电极柔性层(312)、电极排列(313)或粘接填充层(314)、第二印刷电极柔性层(315)。3.根据权利要求1所述的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其特征在于，第一印刷电极柔性层(312)为介电质膜，第二印刷电极柔性层(315)为介电质膜。4.根据权利要求1所述的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其特征在于，真空升温平台(51)内置升温机构。5.根据权利要求2所述的用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其特征在于，介电质膜为聚酰亚胺薄膜，聚酰亚胺薄膜膜厚为15微米至1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金涛，康劲，王振辉，雷晓刚，卢合强，王辉，夏世伟，高国珺，沈斌，贾礼宾，张劲，郑皓文，侯爽，张彦彬，李恒，
申请(专利权)人：北京凯世通半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：