集成电路植球装置制造方法及图纸

一种集成电路植球装置。所述集成电路植球装置包括承载板、第一真空管道、第二真空管道和第一控制阀门。所述承载板经配置以承载待加工工件。所述承载板包括内圈区域以及包围所述内圈区域的内环区域，其中所述内圈区域设置有第一真空吸孔，所述内环区域设置有第二真空吸孔。所述第一真空管道和所述第二真空管道分别耦接至所述第一真空吸孔以及所述第二真空吸孔。所述第一控制阀门连接至所述第二真空管道。所述第一控制阀门经配置以选择性地导通所述第二真空管道。述第二真空管道。述第二真空管道。

【技术实现步骤摘要】
集成电路植球装置


[0001]本申请是有关于一种装置，详细来说，是有关于一种集成电路植球装置。

技术介绍

[0002]在现有技术中，要对晶圆进行植球工艺时，必须将晶圆放置在用以承载晶圆的承载板上，承载板上的真空吸孔会在晶圆进行工艺时对晶圆产生吸力以使得晶圆表面维持水平。目前的植球装置中，必须根据不同尺寸的晶圆更换承载板才能在进行工艺时晶圆表面维持水平。然而，频繁的更换承载板较耗费时间，使得作业效率降低。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提出一种集成电路植球装置来解决上述问题。
[0004]依据本申请的一实施例，提出一种集成电路植球装置。所述集成电路植球装置包括承载板、第一真空管道、第二真空管道和第一控制阀门。所述承载板经配置以承载待加工工件。所述承载板包括内圈区域以及包围所述内圈区域的内环区域，其中所述内圈区域设置有第一真空吸孔，所述内环区域设置有第二真空吸孔。所述第一真空管道和所述第二真空管道分别耦接至所述第一真空吸孔以及所述第二真空吸孔。所述第一控制阀门连接至所述第二真空管道。所述第一控制阀门经配置以选择性地导通所述第二真空管道。
[0005]依据本申请的一实施例，所述集成电路植球装置还包括真空设备。所述真空设备耦接至所述第一控制阀门以及所述第一真空管道。所述真空设备经配置以产生吸力。
[0006]依据本申请的一实施例，所述承载板还包括包围所述内圈区域和所述内环区域的外环区域，其中所述外环区域设置有第三真空吸孔。
[0007]依据本申请的一实施例，所述集成电路植球装置还包括第三真空管道。所述第三真空管道耦接至所述第三真空吸孔。
[0008]依据本申请的一实施例，所述集成电路植球装置还包括第二控制阀门。所述第二控制阀门连接至所述第三真空管道。所述第二控制阀门经配置以选择性地导通所述第三真空管道。
[0009]依据本申请的一实施例，所述真空设备还耦接所述第二控制阀门。
[0010]依据本申请的一实施例，所述集成电路植球装置还包括第一传感器。所述第一传感器设置于所述内环区域并电性连接至所述第一控制阀门。所述第一传感器经配置以感测所述内环区域是否承载所述待加工工件并在所述内环区域承载所述待加工工件时启动所述第一控制阀门。
[0011]依据本申请的一实施例，所述集成电路植球装置还包括第二传感器。所述第二传感器设置于所述外环区域并电性连接至所述第二控制阀门。所述第二传感器经配置以感测所述外环区域是否承载所述待加工工件并在所述外环区域承载所述待加工工件时启动所述第二控制阀门。
[0012]依据本申请的一实施例，所述第一真空管道埋设于所述承载板中的部分包括多个
同心圆图案。
[0013]依据本申请的一实施例，所述第二真空管道埋设于所述承载板中的部分包括圆形图案。
附图说明
[0014]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：
[0015]图1演示依据本申请一实施例的集成电路植球装置的方块示意图。
[0016]图2演示依据本申请一实施例的集成电路植球装置的示意图。
[0017]图3演示依据本申请一实施例的第一真空管道和第二真空管道的示意图。
[0018]图4演示依据本申请一实施例的承载板承载待加工工件的示意图。
[0019]图5演示依据本申请一实施例的承载板承载待加工工件的示意图。
[0020]图6演示依据本申请一实施例的集成电路植球装置的示意图。
[0021]图7演示依据本申请一实施例的集成电路植球装置的示意图。
[0022]图8演示依据本申请一实施例的集成电路植球装置的示意图。
[0023]图9演示依据本申请一实施例的承载板承载待加工工件的示意图。
[0024]图10演示依据本申请一实施例的集成电路植球装置的示意图。
具体实施方式
[0025]以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
[0026]再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
[0027]虽然用以界定本申请较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本申请所属
中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的
说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
[0028]图1演示依据本申请一实施例的集成电路植球装置1的方块示意图。在某些实施例中，集成电路植球装置1用以对待加工工件(如晶圆)进行植球工艺。在某些实施例中，集成电路植球装置1包括承载板11、第一真空管道12、第二真空管道13以及第一控制阀门14。在某些实施例中，承载板11经配置以承载待加工工件。在某些实施例中，承载板11包括内圈区域以及包围所述内圈区域的内环区域。在某些实施例中，所述内圈区域设置有第一真空吸孔，所述内环区域设置有第二真空吸孔。在某些实施例中，第一真空管道12耦接至所述内圈区域的第一真空吸孔。在某些实施例中，第二真空管道13耦接至所述内环区域的第二真空吸孔。在某些实施例中，第一控制阀门14耦接至第二真空管道13。在某些实施例中，第一控制阀门14经配置以选择性地导通第二真空管道13本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路植球装置，其特征在于，包括：承载板，经配置以承载待加工工件，所述承载板包括内圈区域以及包围所述内圈区域的内环区域，其中所述内圈区域设置有第一真空吸孔，所述内环区域设置有第二真空吸孔；第一真空管道以及第二真空管道，分别耦接至所述第一真空吸孔以及所述第二真空吸孔；以及第一控制阀门，连接至所述第二真空管道，经配置以选择性地导通所述第二真空管道。2.如权利要求1所述的集成电路植球装置，其特征在于，还包括：真空设备，耦接至所述第一控制阀门以及所述第一真空管道，经配置以产生吸力。3.如权利要求2所述的集成电路植球装置，其特征在于，所述承载板还包括包围所述内圈区域和所述内环区域的外环区域，其中所述外环区域设置有第三真空吸孔。4.如权利要求3所述的集成电路植球装置，其特征在于，还包括：第三真空管道，耦接至所述第三真空吸孔。5.如权利要求4所述的集成电路植球装置，其特征在于，还包括：第二控制阀门，连接至所述第三真空管道，经...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯学伦，黄中朋，李楠，
申请(专利权)人：日月新半导体苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：