光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质制造方法及图纸

本申请提供一种光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。可以大大提升光学邻近修正的准确性，以得到更为准确的掩膜版图案。为准确的掩膜版图案。为准确的掩膜版图案。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，为将集成电路(Integrated Circuit,IC)的电路图案转移至半导体芯片上，需将集成电路的电路图案设计为掩模版图案，再将掩模版图案从掩模版表面转移至半导体芯片。然而随着集成电路特征尺寸(Critical Dimension,CD)的缩小，以及受到曝光机台(Optical Exposure Tool,OET)的分辨率极限(Resolution Limit)的影响，在对高密度排列的掩模版图案进行曝光制程以进行图案转移时，便很容易产生光学邻近效应(Optical Proximity Effect,OPE)，使掩模板图形转移出现缺陷，造成抗蚀剂光刻之后的图案与设计图案出现差异。针对光学邻近效应的问题，目前业界普遍采用的一种方法为光学邻近修正(Optical Proximity Correction,OPC)，其通过改变原始掩模版图案图形的形状来减小曝光所获得的光刻图形的偏差。
[0003]通过光学邻近修正的掩膜版进行光刻工艺，应尽量使得抗蚀剂光刻之后各个图案处的线宽(光刻线宽)与设计线宽相同。但是抗蚀剂的厚度一般比较厚，光刻之后，在不同大小、不同类型的图案位置处的光刻线宽的测量受抗蚀剂图案的纵向轮廓和测量位置的影响较大，如果光刻线宽的测量位置不准确，将大大影响光学邻近修正的准确性。
[0004]因此，如何确定抗蚀剂图案的光刻线宽测量位置，是目前亟需解决的技术问题之一。

技术实现思路

[0005]针对上述问题，本申请提供了一种光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质，解决了现有技术中光学邻近修正过程中抗蚀剂图案的光刻线宽测量位置确定困难的技术问题。
[0006]第一方面，本申请提供一种光学邻近修正方法，包括：
[0007]获取目标图形；其中，所述目标图形包括至少两个不同的目标图案单元；
[0008]根据所述目标图形，确定初始掩膜版图形；
[0009]基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：
[0010]根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；
[0011]根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。
[0012]根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：
[0013]基于所述初始掩膜版图形，对目标膜层上的抗蚀剂进行模拟曝光，得到模拟曝光后的目标抗蚀剂图形；其中，所述目标抗蚀剂图形包括分别对应各个目标图案单元的各个目标抗蚀剂图案；
[0014]基于训练好的光刻线宽测量模型，根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置。
[0015]根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形，包括以下步骤：
[0016]根据各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置，对各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽进行测量；
[0017]基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，并输出修正后的掩膜版图形。
[0018]根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，并输出修正后的掩膜版图形，包括以下步骤：
[0019]基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，使得修正后的掩膜版图形对应的各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽分别与所述目标图形中对应的所述目标图案单元的设计线宽相同，并输出所述修正后的掩膜版图形。
[0020]根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，所述光刻线宽测量模型通过以下步骤构建而成：
[0021]在制备不同图案参数的实际图案单元的实际曝光工艺过程中，将每个实际图案单元对应的实际抗蚀剂图案，在不同的光刻线宽测量位置进行光刻线宽测量，以得到每个实际图案单元对应的在不同的光刻线宽测量位置测量得到的实际光刻线宽数据；
[0022]根据每个实际图案单元的实际线宽，从对应的所述实际光刻线宽数据中分别筛选出与每个实际图案单元的实际线宽相同的实际光刻线宽；其中，与每个实际图案单元的实际线宽相同的实际光刻线宽对应的光刻线宽测量位置为每个实际图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；
[0023]对不同图案参数的实际图案单元及其对应的最佳光刻线宽测量位置进行训练，以得到所述光刻线宽测量模型。
[0024]根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，所述目标图案单元的设计线宽包括所述目标图案单元的最小设计线宽。
[0025]根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，所述图案参数还包括所述目标图案单元与相邻的另一所述目标图案单元之间的间距。
[0026]根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，所述图案参数还包括所述目标膜层中与所述目标图案单元对应部分的膜层结构。
[0027]根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，所述目标图案单元的种
类包括孔状图案、沟槽状图案、线状图案和岛状图案中的至少一种。
[0028]第二方面，本申请提供一种光学邻近修正装置，包括：
[0029]图形获取模块，用于获取目标图形；其中，所述目标图形包括至少两个不同的目标图案单元；
[0030]掩膜确定模块，用于根据所述目标图形，确定初始掩膜版图形；
[0031]预测模块，用于基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：
[0032]根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；
[0033]修正模块，用于根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。
[0034]第三方面，本申请提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有计算机程序，该计算机程序被所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：获取目标图形；其中，所述目标图形包括至少两个不同的目标图案单元；根据所述目标图形，确定初始掩膜版图形；基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：基于所述初始掩膜版图形，对目标膜层上的抗蚀剂进行模拟曝光，得到模拟曝光后的目标抗蚀剂图形；其中，所述目标抗蚀剂图形包括分别对应各个目标图案单元的各个目标抗蚀剂图案；基于训练好的光刻线宽测量模型，根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置。3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形，包括以下步骤：根据各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置，对各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽进行测量；基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，并输出修正后的掩膜版图形。4.根据权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，并输出修正后的掩膜版图形，包括以下步骤：基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，使得修正后的掩膜版图形对应的各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽分别与所述目标图形中对应的所述目标图案单元的设计线宽相同，并输出所述修正后的掩膜版图形。5.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光刻线宽测量模型通过以下步骤构建而成：在制备不同图案参数的实际图案单元的实际曝光工艺过...

【专利技术属性】
技术研发人员：王茂林，李文章，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：