三维存储器、三维存储器的制备方法及三维存储器系统技术方案

本申请提供了一种三维存储器、三维存储器的制备方法以及三维存储器系统。制备三维存储器的方法包括：形成包括多个阶梯台阶的叠层结构，其中，每个所述阶梯台阶包括电介质层和位于所述电介质层上的牺牲层；在所述阶梯台阶上形成预设层；去除所述预设层的至少一部分形成第一凹槽，其中，所述第一凹槽暴露所述牺牲层的一部分；经由所述第一凹槽在所述牺牲层暴露的部分上覆盖导电层；以及去除所述牺牲层，并在去除所述牺牲层后形成的空隙内填充栅极层。在去除所述牺牲层后形成的空隙内填充栅极层。在去除所述牺牲层后形成的空隙内填充栅极层。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器、三维存储器的制备方法及三维存储器系统


[0001]本申请涉及半导体设计及制造领域，更具体地，涉及一种三维存储器(3D NAND)结构、制备方法以及三维存储器系统。

技术介绍

[0002]3D NAND存储器是一种存储单元以三维堆叠的方式构造的闪存器件，在3D NAND存储器结构中，通常包括具有存储功能的堆叠结构以及具有相互连通功能的外部电路结构。其中，堆叠结构可由栅极层和电介质层交替叠置形成。一般地，通过位于叠层结构的阶梯区域的字线接触部将字线引出实现存储单元与外部电路的电连接。
[0003]应当理解，该
技术介绍
部分描述的内容仅用于帮助理解本申请公开的技术方案，而并非一定属于本申请的申请日之前的现有技术。

技术实现思路

[0004]根据本申请的第一方面，本申请提供了一种制备三维存储器的方法。所述方法包括：形成包括多个阶梯台阶的叠层结构，其中，每个所述阶梯台阶包括电介质层和位于所述电介质层上的牺牲层；在所述阶梯台阶上形成预设层；去除所述预设层的至少一部分形成第一凹槽，其中，所述第一凹槽暴露所述牺牲层的一部分；经本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制备方法，其中，所述方法包括：形成包括多个阶梯台阶的叠层结构，其中，每个所述阶梯台阶包括电介质层和位于所述电介质层上的牺牲层；在所述阶梯台阶上形成预设层；去除所述预设层的至少一部分形成第一凹槽，其中，所述第一凹槽暴露所述牺牲层的一部分；经由所述第一凹槽在所述牺牲层暴露的部分上覆盖导电层；以及去除所述牺牲层，并在去除所述牺牲层后形成的空隙内填充栅极层。2.根据权利要求1所述的方法，在暴露部分所述牺牲层之前，所述方法还包括：形成覆盖每个所述阶梯台阶顶面和侧壁的绝缘层，并在所述绝缘层上形成所述预设层；在所述绝缘层的靠近所述预设层的一侧形成包覆所述预设层的台阶区介质层；形成贯穿所述台阶区介质层、所述预设层、所述绝缘层和所述叠层结构的虚设沟道孔；以及经由所述虚设沟道孔去除所述预设层和所述绝缘层的一部分以暴露所述牺牲层的一部分。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：经由所述虚设沟道孔去除所述预设层的一部分形成所述第一凹槽；经由所述虚设沟道孔去除所述牺牲层的靠近所述虚设沟道孔一侧的部分形成第二凹槽。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述预设层的刻蚀速率快于所述牺牲层的刻蚀速率，从而在所述第二凹槽刻蚀完成时，所述第一凹槽在第一方向上的尺寸大于所述第二凹槽在相同方向上的尺寸，其中，所述第一方向包括与所述叠层结构堆叠方向垂直的方向。5.根据权利要求4所述的方法，在暴露部分所述牺牲层之前，还包括：在所述第一凹槽、第二凹槽以及所述虚设沟道孔内形成初始隔离层，其中，所述初始隔离层包括形成于所述第二凹槽内的第一隔离层，形成于所述第一隔离层和所述电介质层的靠近所述虚设沟道孔一侧的第二隔离层，以及形成于所述第一凹槽内的第三隔离层。6.根据权利要求5所述的方法，其中，暴露部分所述牺牲层的步骤包括：去除所述第三隔离层以暴露所述绝缘层的一部分；以及去除所述绝缘层的暴露部分形成第三凹槽，其中，所述第三凹槽将所述牺牲层的一部分暴露。7.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述预设层的步骤包括：形成覆盖所述绝缘层的顶面和侧壁的初始预设层；以及去除所述初始预设层的与所述绝缘层侧壁相接触的部分形成所述预设层。8.根据权利要求6所述的方法，在暴露部分所述牺牲层的过程中，所述方法还包括：去除所述第二隔离层；以及在暴露所述牺牲层的一部分之后，所述方法还...

【专利技术属性】
技术研发人员：张中，孔翠翠，韩玉辉，王迪，周文犀，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：