选择性发射极太阳能电池片及光伏组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种选择性发射极太阳能电池片及光伏组件，其中，选择性发射极太阳能电池片包括：硅片、设置在硅片正面的扩散掺杂混合层和设置在扩散掺杂混合层上的正电极；扩散掺杂混合层包括扩散层和重掺杂层；正电极设置在重掺杂层之上；重掺杂层包括第一重掺杂层和第二重掺杂层，扩散层上分布有若干凹槽，凹槽所在区域被分成位于硅片中心区域的第一凹陷区和围绕第一凹陷区外的第二凹陷区，第一重掺杂层设置在第一凹陷区内的凹槽内，第二重掺杂层设置在第二凹陷区内的凹槽内。本实用新型专利技术将重掺杂区分成不同的区域，并在不同的区域形成不同的重掺杂层，从而能够根据方阻差值对重掺杂进行调整，从而使掺杂后的方阻均匀性更好。好。好。

【技术实现步骤摘要】
选择性发射极太阳能电池片及光伏组件


[0001]本技术涉及光伏
，特别是一种选择性发射极太阳能电池片及光伏组件。

技术介绍

[0002]晶体硅太阳能电池是目前使用最为广泛的太阳电池，占据了全世界太阳电池市场的主要份额，提高晶体硅太阳电池的光电转换效率是提高行业竞争力的重要途径。
[0003]选择性发射极结构是提高晶体硅太阳电池转换效率的有效手段之一，选择性发射极(selective emitter,SE)太阳能电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命。最终提升太阳电池效率。这种结构的电池具有以下3点明显的优点：(1)降低串联电阻，提高填充因子；(2)减少载流子复合，提高表面钝化效果；(3)增强电池短波光谱响应，提高短路电流和开路电压。目前选择性发射极的主要实现方法为激光PSG掺杂法，因其与PERC技术产线的工艺及设备兼容性很高，得到广泛的使用。通过采用扩散时产生的磷硅玻璃层作为掺杂源进行激光扫描，形成重掺杂区。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种选择性发射极太阳能电池片，其特征在于，包括：硅片、设置在所述硅片正面的扩散掺杂混合层和设置在所述扩散掺杂混合层上的正电极；所述扩散掺杂混合层包括扩散层和重掺杂层；所述正电极与所述重掺杂层位置相对并设置在所述重掺杂层之上；所述重掺杂层包括第一重掺杂层和第二重掺杂层，所述扩散层上分布有若干凹槽，所述凹槽所在区域被分成位于所述硅片中心区域的第一凹陷区和围绕在所述第一凹陷区外的第二凹陷区；所述第一重掺杂层设置在所述第一凹陷区内的凹槽内，所述第二重掺杂层设置在所述第二凹陷区内的凹槽内。2.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池片，其特征在于：所述第一凹陷区呈矩形，所述第二凹陷区呈回字形。3.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池片，其特征在于：所述重掺杂层还包括第三重掺杂层，所述凹槽所在区域还具有围绕所述第二凹陷区外的第三凹陷区，所述第三重掺杂层设置在所述第三凹陷区内的凹槽内。4.根据权利要求3所述的选择性发射极太阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：易书令，唐步玉，姜大俊，
申请(专利权)人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：