双面光伏电池制造工艺制造技术

技术编号:32506594 阅读:54 留言:0更新日期:2022-03-02 10:29
一种用于制造双面光伏电池的工艺,包括以下步骤:用含硼层涂覆衬底;在处于衬底的第二表面上的含硼层上方形成盖层;将含硼层从衬底的未覆盖有盖层的表面去除;在衬底的未被盖层覆盖的表面上实现含磷层的沉积,并且实现磷和硼到衬底中的扩散;去除含磷层;在没有盖层的地方对衬底进行纹理化;在衬底的第一表面上实现含磷层的沉积,并且实现磷到衬底中的扩散以形成第二n

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双面光伏电池制造工艺


[0001]本专利技术涉及光伏(PV)电池的领域,尤其涉及双面光伏电池的领域及其制造工艺。

技术介绍

[0002]能量消耗的增加引起了人们对现有能源(诸如石油和煤炭)预计会迅速枯竭的担忧。因此,替代能源作为现有能源的替代品,近年来一直是人们关注的焦点。在替代能源中,太阳能电池或光伏电池处于人们关注的中心。PV硅电池已经制造了多年。然而,仍然存在与PV电池的制造成本、转换效率和寿命相关的问题。对提高PV电池效率的需求催生了各种解决方案。一种这类解决方案是双面PV电池,其中PV电池的前侧和背侧两者均用于能量转换过程中。双面PV电池比单面PV电池的能量生产率高15%

40%。
[0003]常见类型的光伏电池基于具有p型或n型导电性的硅衬底。衬底在一个表面上掺杂有n

掺杂剂(例如,磷),因此形成n
+
层,并且第二表面掺杂有p

掺杂剂(例如,铝或硼),以便形成p
+
层。因此,经处理的p型衬底形成n+

p
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于双面光伏电池的所述制造的工艺,包括:a.用含硼层涂覆衬底;b.在处于所述衬底的所述第二表面上的所述含硼层上方形成盖层;c.将所述含硼层从所述衬底的未覆盖有盖层的所述表面去除;d.在所述衬底的未被所述盖层覆盖的所述表面上实现含磷层的所述沉积,并且实现所述磷和所述硼到所述衬底中的扩散;e.去除所述含磷层;f.在没有盖层的地方对所述衬底进行纹理化;g.在所述衬底的所述第一表面上实现含磷层的所述沉积,并且实现磷到所述衬底中的扩散以形成第二n

掺杂层;h.在所述衬底的第一表面上形成覆盖所述n

掺杂层的钝化和/或抗反射涂层。2.根据权利要求1所述的工艺,进一步包括从所述衬底的第二表面去除所述盖层,以及在衬底的第二表面上形成钝化和/或抗反射层的步骤,其中所述盖去除步骤先于第二表面钝化,并且所述步骤中的两个能够在步骤(f)之后进行,其中所述工艺包括所述以下步骤:a.用含硼层涂覆衬底;b.在处于所述衬底的所述第二表面上的所述含硼层上方形成盖层;c.将所述含硼层从所述衬底的未覆盖有盖层的所述表面去除;d.在所述衬底的未被所述盖层覆盖的所述表面上实现含磷层的所述沉积,并且实现所述磷和所述硼到所述衬底中的扩散;e.去除所述含磷层;f.在没有盖层的地方对所述衬底进行纹理化;随后是所述以下步骤;i.从所述衬底第二表面去除所述盖层,以及ii.在衬底第二表面上形成钝化和/或抗反射层;g.在所述衬底的所述第一表面上实现含磷层的所述沉积,并且实现磷到所述衬底中的扩散以形成第二n

掺杂层;h.在所述衬底的第一表面上形成覆盖所述n

掺杂层的钝化和/或抗反射涂层。3.根据权利要求2所述的工艺,包括:a.在所述气相中使用BCl3或BBr3用含硼层涂覆衬底,并且实现硼部分驱入所述衬底中;b.在处于所述衬底的所述第二表面上的所述含硼层上方形成盖层;c.从所述衬底的未覆盖有盖层的所述表面去除所述含硼层;d.在所述衬底的未被所述盖层覆盖的所述表面上实现含磷层的所述沉积,并且实现所述磷和所述硼到所述衬底中的扩散,其中所述含磷层的所述沉积通过在所述气相中使用POCl3实现;e.去除所述含磷层;f.对所述衬底的未覆盖有盖层的表面进行纹理化,其中所述纹理化还去除所述硼和所述磷掺杂的衬底层,随后是所述以下步骤:;i.从所述衬底第二表面去除所述盖层,以及ii.在所述衬底的第二表面上形成钝化和/或抗反射层;g.在所述衬底的所述第一表面上实现含磷层的所述沉积,并且实现磷到所述衬底中的
扩散以形成第二n

掺杂层,其中所述含磷层的所述沉积通过在所述气相中使用POCl3实现;h.在所述衬底的第一表面上形成覆盖所述n

掺杂层的涂层,其中所述涂层是钝化和/或抗反射层。4.根据前述权利要求中任一项所述的工艺,其中所述含磷层通过将所述衬底暴露于所述气相中的POCl3来实现。5.根据前述权利要求中任一项所述的工艺,其中使用700℃至1050℃的所述温度范围,优选在750℃至1020℃的所述范围内的温度实现所述硼和所述磷到...

【专利技术属性】
技术研发人员:列弗
申请(专利权)人:索拉昂德有限公司
类型:发明
国别省市:

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