一种双面SE电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双面SE电池，包括由下至上依次设置的背面背电极、背面背电场、背镀氮化硅层、Al2O3钝化层、背面SE推进氧化层、SiO2层、P型硅基底、PN结层、正面SE激光推进层、氧化修复层、正镀氮化硅减反射膜层、正面副栅线电极、正面主栅线电极。在扩散后的硅片两面分别进行激光推进，正面SE激光推进层后增加了一层二氧化硅介质层，可修复激光扫描之后对硅片表面造成的损伤，同时能提高PN结表层载流子的钝化，减少复合。背面SE激光推进能增加金属栅线与硅基体的更深接触。正背面均进行SE激光推进，印刷的副栅与SE激光推进位置完全重叠之后，形成更好的欧姆接触，提高光生载流子的收集并输出，进而提高电池的短路电流和开路电压。压。压。

【技术实现步骤摘要】
一种双面SE电池


[0001]本技术涉及太阳能电池
，更具体的说是涉及一种双面SE电池。

技术介绍

[0002]太阳能是目前全球发展的能源之一，它利用光伏电池吸收太阳的光能转换为电能，具有非常大的潜力和前途来替代传统能源。在各种太阳能电池中，硅基太阳能电池占到了市场总份额的90％。然而，较高的生产成本和低效率一直是困扰硅基电池发展的因素，与传统的石化能源相差还是很大。
[0003]为克服限制硅基太阳能电池发展的难题，需要提高太阳能电池的转化效率，并降低其生产成本。但是，现有的电池制备多采用如下工艺：绒
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扩散
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SE激光推进
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刻蚀
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退火
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ALD
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正面镀膜(氮化硅蓝膜)
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背面镀膜(氮化硅蓝膜)
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消融激光
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丝网印刷
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烧结
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抗LID
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测试分选。其并不能同时解决上述问题，硅基太阳能电池不仅原料成本高，而且制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面SE电池，其特征在于，包括由下到上依次设置的背面背电极、背面背电场、背镀氮化硅层、Al2O3钝化层、背面SE推进氧化层、SiO2层、P型硅基底、PN结层、正面SE激光推进层、氧化修复层、正镀氮化硅减反射膜层、正面副栅线电极、正面主栅线电极；所述背面SE推进氧化层与所述Al2O3钝化层接触的一面开设有多个平行的第一凹槽；所述氧化修复层与所述正面SE激光推进层接触的一面开设有多个平行的第二凹槽；所述正面SE激光推进层把所述PN结层向所述P型硅基底方向进一步推进加深，所述正面副栅线电极位置与所述正面SE激光推进层位置重叠；所述正面副栅线电极与所述正面主栅线电极之间连续垂直接触；所述背面SE推进氧化层把所述SiO2层向所述P型硅基底方向进一步推进加深，所述背面背电极位置与所述背面SE推进氧化层位置重叠。2.根据权利要求1所述的一种双面SE电池，其特征在于，所述背镀氮化硅层厚度为80
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100nm。3.根据权利要求1所述的一种双面SE电池，其特征在于，所述Al2O3钝化层厚度为5
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15nm。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王成，张伟，郭海志，孙长红，武建园，薛少强，李巧玮，
申请(专利权)人：晋能光伏技术有限责任公司，
类型：新型
国别省市：