一种晶硅电池发射极激光选择性发射极图案制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能电池生产领域。一种晶硅电池发射极激光选择性发射极图案，该晶硅电池结构从背面到正面依次为背银电极、全铝背场或铝栅线、背面钝化膜、背面激光开槽、基体P型硅、N型发射极、正面激光镂空槽、正面钝化膜、非连续镂空激光图案银电极，非连续镂空激光图案银电极对于处于正面激光镂空槽上，其中非连续镂空激光图案银电极由多条平行的激光镂空的银线构成，每条激光镂空的银线都有虚线段和实线段构成，相邻两条激光镂空的银线的虚线段与实线段彼此交错。本实用新型专利技术降低了金属化的串联电阻，从而可实现金属化区域局部的接触钝化，最终提高电池的转换效率。最终提高电池的转换效率。最终提高电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅电池发射极激光选择性发射极图案


[0001]本技术涉及太阳能电池生产领域。

技术介绍

[0002]当前，光伏制造产业中，PERC电池作为性价比比较高的光伏产品，进一步的发展依然面临转换效率瓶颈的问题，下一代新型电池技术包括HJT、TOPCon、IBC的量产则存在设备成本高、上下游配套不健全等问题，因此如何进一步提高PERC电池的转换效率，满足持续降低光伏制造产品度电成本的要求，是当下光伏制造技术的重要研究方向。

技术实现思路

[0003]本技术目的是提供一种新型晶硅PERC电池结构，且其制备方法简单，兼容性强，不过多增加成本的前提下，进一步提高PERC电池的转换效率，从而延长PERC电池运转周期。
[0004]本技术所采用的技术方案是：一种晶硅电池发射极激光选择性发射极图案，该晶硅电池结构从背面到正面依次为背银电极（1）、全铝背场或铝栅线（2）、背面钝化膜（3）、背面激光开槽（5）、基体P型硅（6）、N型发射极（7）、正面激光镂空槽（8）、正面钝化膜（9）、非连续镂空激光图案银电极（10），非连续镂空激光图案银电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶硅电池发射极激光选择性发射极图案，其特征在于：该晶硅电池结构从背面到正面依次为背银电极（1）、全铝背场或铝栅线（2）、背面钝化膜（3）、背面激光开槽（5）、基体P型硅（6）、N型发射极（7）、正面激光镂空槽（8）、正面钝化膜（9）、非连续镂空激光图案银电极（10），非连续镂空激光图案银电极（10）对于处于正面激光镂空槽（8）上，其中非连续镂空激光图案银电极（10）由多条平行的激光镂空的银线（4）构成，每条激光镂空的银线（4）都有虚线段（42）和实线段（41）构成，相邻两条激光镂空的银线（4）的虚线段（42）与实线段（41）彼此交错。2.根据权利要求1所述的一种晶硅电池发射极激光选择性发射极图案，其特征在于：每条激光镂空的银线（4）的每条虚线段（42）和每条实线段（4...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞飞，赵军龙，张波，张云鹏，杨旭彪，梁玲，常于思，牛旭霞，杜泽霖，李陈阳，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：