太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术提供一种太阳能电池，包括硅片、位于硅片正面的选择性发射极、正面金属电极，其特征在于，所述选择性发射极包括重掺杂区、轻掺杂区，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，所述正面金属电极位于所述重掺杂区的正面并与其接触。所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，扩大了正面的受光面积；且与传统的二次硼扩技术兼容性高，SE技术提效高。SE技术提效高。SE技术提效高。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池


[0001]本技术涉及光伏领域，尤其涉及一种太阳能电池。

技术介绍

[0002]选择性发射极(selective emitter,SE)技术，是指在硅片上与金属电极接触的金属化区域进行高浓度掺杂，在不与金属电极接触的其他区域进行低浓度掺杂；既可以降低硅片和电极之间的接触电阻，又可以降低表面复合，提高转换效率。
[0003]SE技术应用于传统的电池，可以使其增效0.2％以上，但是目前SE提效技术不甚明朗，仍然不能达成预期的提效目的。
[0004]有鉴于此，有必要提供一种改进的太阳能电池，以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]本技术旨在能够至少解决现有技术存在的技术问题之一，提供一种能够保护绒面不被破坏的太阳能电池。
[0006]为实现上述技术目的之一，本技术采用如下技术方案：
[0007]一种太阳能电池，包括硅片、位于硅片正面的选择性发射极、正面金属电极，所述选择性发射极包括重掺杂区、轻掺杂区，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，所述正面金属电极位于所述重掺杂区的正面并与其接触。
[0008]进一步地，所述硅片的正面具有凹槽，所述重掺杂区位于所述凹槽处。
[0009]进一步地，所述凹槽的宽度大于位于其正面的正面金属电极的宽度。
[0010]进一步地，所述正面金属电极包括主栅和副栅，所述凹槽位于与所述副栅对应的区域，或所述凹槽位于与副栅、主栅均对应的区域。
[0011]进一步地，所述凹槽的深度介于2μm～4μm之间。
[0012]进一步地，所述硅片的正面具有凹槽，所述轻掺杂区位于所述凹槽处。
[0013]进一步地，所述凹槽的深度不小于所述重掺杂区的结深。
[0014]进一步地，所述凹槽内与所述凹槽外均具有绒面结构。
[0015]进一步地，所述太阳能电池还包括位于所述选择性发射极正面的正面钝化层，所述正面金属电极穿过所述正面钝化层与所述重掺杂区接触；
[0016]或，所述电池还包括位于所述选择性发射极正面的正面减反层，所述正面金属电极穿过所述正面减反层与所述重掺杂区接触；
[0017]或，所述电池还包括位于所述选择性发射极正面的正面钝化层、位于所述正面钝化层正面的正面减反层，所述正面金属电极穿过所述正面钝化层、所述正面减反层与所述重掺杂区接触。
[0018]进一步地，所述太阳能电池还包括依次位于硅片背面的隧穿氧化层、N型掺杂多晶硅层、背面减反层和背面金属电极，所述背面金属电极穿过所述背面减反层与所述N型掺杂多晶硅层接触。
[0019]进一步地，所述太阳能电池还包括依次位于硅片背面的磷掺杂背场、背面减反层和背面金属电极，所述背面金属电极穿过所述背面减反层与所述磷掺杂背场接触
[0020]本技术的有益效果是：本技术的太阳能电池，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，扩大了正面的受光面积；且与传统的二次硼扩技术兼容性高，SE技术提效高。
附图说明
[0021]图1为本技术一较佳实施例的太阳能电池的结构示意图，未示意绒面结构；
[0022]图2为本技术另一较佳实施例的太阳能电池的结构示意图，未示意绒面；
[0023]图3为本技术又一较佳实施例的太阳能电池的结构示意图，未示意绒面；
[0024]图4为本技术又一较佳实施例的太阳能电池的结构示意图，未示意绒面；
[0025]图5示意本技术的太阳能电池制备方法中步骤S21第一次硼扩后的结构示意图；
[0026]图6示意本技术的太阳能电池制备方法中步骤S22去除第一次BSG层、再形成掩膜层后的结构示意图；
[0027]图7示意本技术的太阳能电池制备方法中步骤S23激光开窗后的结构示意图；
[0028]图8示意本技术的太阳能电池制备方法中步骤S24二次制绒后的结构示意图；
[0029]图9示意本技术的太阳能电池制备方法中步骤S25第二次硼扩后的结构示意图；
[0030]图10示意本技术的太阳能电池制备方法中步骤S3去除第二BSG层以及掩膜层后的结构示意图；
[0031]图11示意本技术的太阳能电池制备方法在图9基础上形成正面钝化层、正面减反层的结构示意图；
[0032]图12示意本技术的太阳能电池制备方法中步骤S4采用非接触制备工艺形成正面金属电极的结构示意图；
[0033]图13示意本技术的太阳能电池制备方法中步骤S4采用丝印工艺形成正面金属电极的结构示意图；
[0034]图14为本技术较佳实施例的太阳能电池制备方法流程图。
[0035]其中，100
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太阳能电池，1
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硅片，2
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选择性发射极，21
‑
重掺杂区，22
‑
轻掺杂区，3
‑
正面钝化层，4
‑
正面减反层，5
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正面金属电极，6
‑
背面钝化结构，61
‑
隧穿氧化层,62
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N型掺杂多晶硅层，63
‑
磷掺杂背场(BSF)，7
‑
背面减反层，8
‑
背面金属电极。
具体实施方式
[0036]以下将结合附图所示的具体实施方式对本技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。
[0037]在本技术的各个图示中，为了便于图示，结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构或部分夸大，因此，仅用于图示本技术的主题的基本结构。
[0038]专利技术人研究发现，常规的SE技术主要有一次硼扩技术与二次硼扩技术。一次硼扩
技术，技术难度要求高，会引入污染，提效不明显，提效潜力小，普遍很难达到0.2％的量产水平。二次硼扩技术，提效潜力大，如果优化太阳能电池100的结构或其制备工艺后，最佳提效幅度有可能达到0.4％以上。因此，本技术基于二次硼扩技术，对太阳能电池100的结构及其制备方法进行改进。
[0039]请参阅图1～图3所示，为本技术较佳实施例的一种太阳能电池100，其包括硅片1、位于硅片1正面的选择性发射极2、正面金属电极5。本技术主要对选择性发射极2及其与硅片1、正面金属电极5的关系进行优化，以使得提效幅度达到理想值0.4％以上。
[0040]所述硅片1为N型硅片1，电阻率介于0.3Ω
·
cm～8Ω
·
cm，且采用现有任意工艺制绒，至少在硅片1的正面形成绒面。
[0041]所述硅片1的正面具有与正面金属电极5接触的金属化区域、位于所述金属化区域之间的非金属化区域。当所述正面金属电极5包括主栅和副栅时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，包括硅片、位于硅片正面的选择性发射极、正面金属电极，其特征在于，所述选择性发射极包括重掺杂区、轻掺杂区，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，所述正面金属电极位于所述重掺杂区的正面并与其接触。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述硅片的正面具有凹槽，所述重掺杂区位于所述凹槽处。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述凹槽的宽度大于位于其正面的正面金属电极的宽度。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面金属电极包括主栅和副栅，所述凹槽位于与所述副栅对应的区域，或所述凹槽位于与副栅、主栅均对应的区域。5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述凹槽的深度介于2μm～4μm之间。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述硅片的正面具有凹槽，所述轻掺杂区位于所述凹槽处。7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于：所述凹槽的深度不小于所述重掺杂区的结深。8.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海燕，蒋方丹，邓伟伟，
申请(专利权)人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：