一种镀膜返工片的处理方法技术

本发明专利技术提供一种镀膜返工片的处理方法，所述处理方法包括：待处理的镀膜返工片在管式镀膜装置中依次进行去膜处理和镀膜，得到镀膜电池片；所述去膜处理的通入气体为氨气和/或氮气，所述去膜处理的时间为1300

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜返工片的处理方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种镀膜返工片的处理方法。

技术介绍

[0002]随着太阳能电池技术的不断发展，钝化发射极背面接触太阳电池(Passivated Emitterand Rear Cell，PERC)以其明显的性能和成本优势，已逐渐成为主流的产品。
[0003]PERC电池的制造过程主要包括：制绒、扩散、刻蚀、镀膜、丝网印刷和烧结；其中，镀膜工序是在硅片的表面制作减反射膜，减反射薄膜通常使用氮化硅薄膜，一般采用硅烷和氨气作为原料并通过管式PECVD(等离子增强化学气相沉积)工艺得到。由于镀膜设备的限制、制程控制存在误差等原因，氮化硅薄膜可能存在厚度不均、折射率异常、膜色异常、外观不良的问题，无法达到工艺标准要求，这样的硅片称为镀膜返工片。在当前的工艺水平下，镀膜返工片的比例可高达5％左右。
[0004]通常来说，镀膜返工片采用清洗和重新镀膜的方式进行处理，例如CN112670166A公开了一种PERC电池PECVD镀膜不良片的返工清洗方法，具体包括如下步骤：将待返工镀膜不良片采用碱溶液进行清洗，去除硅片表面的多晶硅层；将清洗后的不良片采用含氢氟酸的酸液进行清洗，去除镀膜层；清洗镀膜层后的不良片再次采用碱溶液清除表面损伤，得到清洗后的硅片；清洗后的硅片重新进入PERC制备流转工序。CN108054243A公开一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法，具体步骤如下：(1)将返工片置于装有HCl/H2O2混合液的槽中清洗；(2)将清洗后的返工片置于装有去离子水的槽中清洗；(3)将清洗过的返工片放置于HF/HCl混合液中，去除氮化硅/氧化铝膜及金属离子；(4)将去膜的返工片放置于去离子水中清洗；(5)将清洗过的返工片置于HF/HNO3混合酸液中，腐蚀掉金字塔绒面并去除扩散PN结；(6)将清洗后的返工片置于装有热水的慢提拉槽中，清洗酸液及将返工片表面的水脱掉；将处理后的返工片吹干，制绒。CN103894362A公开了一种镀膜返工片的清洗方法，具体如下：(1)采用10
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20wt％的HF溶液中，浸泡900
‑
1800s，去除硅片表面沉积的氮化硅膜层；(2)在常温去离子水中鼓泡清洗；(3)放入H2O2和NH4OH的混合溶液，65
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85℃反应时间15
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200s，去除硅片表面附着的离子和颗粒，并改善绒面形貌；(4)在常温的去离子水中溢流清洗；(5)常温5wt％的HF溶液中反应210s，去除氧化层，使硅片表面呈疏水性；(6)将硅片依次放入常温的去离子水槽I和II中进行溢流清洗后，甩干，完成清洗。上述清洗和返工的方法都需要依赖于HF溶液，通常氮化硅膜的厚度为微米尺度，采用HF溶液去除则需要大量的高浓度HF溶液，不仅浪费酸液，带来极大的废液处理难度，而且HF具有高腐蚀性，操作危险性大。
[0005]在PERC电池的制程中，镀膜后因膜色异常的返工数量占总返工的70％左右，膜色异常的返工片需要在HF等酸液中清洗，整个清洗去膜的工序需要花费2h左右；然后将清洗的硅片重新制绒、扩散、刻蚀、镀膜、丝网，整个流程时间约12h，费时费力，严重影响了PERC电池的产能和效率。因此，研究一种生产成本低、工作效率高、环保性好的返工片处理工艺，是本领域亟待解决的问题。

技术实现思路

[0006]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种镀膜返工片的处理方法，所述处理方法可在管式镀膜装置中完成去膜和返工处理，无需清洗和重新制绒等流程，节省返工流程时间，降低返工成本。
[0007]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0008]本专利技术提供一种镀膜返工片的处理方法，所述处理方法包括：待处理的镀膜返工片在管式镀膜装置中依次进行去膜处理和镀膜，得到镀膜电池片。
[0009]所述去膜处理的通入气体为氨气和/或氮气，所述去膜处理的时间为1300
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2300s。
[0010]本专利技术提供的镀膜返工片的处理方法中，去膜处理的过程在管式镀膜装置中进行，通入氨气和/或氮气，采用离子溅射的方法去除镀膜返工片上的异常膜层；去膜处理后的硅片进行镀膜，形成新的氮化硅层(减反射膜)，得到镀膜电池片。所述处理方法无需采用酸液清洗，也无需重新制绒，有效简化了镀膜返工片的处理工艺，节省返工流程时间，降低返工成本，处理得到的镀膜电池片与同期生产的正常片的各项性能基本相当；而且避免了酸液清洗和重新制绒对硅片造成的损伤，也不会产生废液的处理问题。更为重要的是，所述去膜处理的通入气体为氨气和/或氮气，其为管式PECVD工艺的常规气体种类，无需引入新的部件(气体发生/容纳部件)和供气管路，采用镀膜的管式镀膜装置完成了全部返工的工艺，大大降低了物料和设备成本，显著提升了镀膜返工片的处理效率。
[0011]优选地，所述镀膜返工片包括镀氮化硅膜后存在缺陷的硅片，优选镀氮化硅膜后膜色异常的硅片。
[0012]本专利技术中，所述去膜处理的时间为1300
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2300s，例如可以为1400s、1500s、1600s、1700s、1800s、1900s、2000s、2100s或2200s，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值；所述去膜处理的时间可根据镀膜返工片的异常膜层的厚度进行调整，优选为1500
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2100s。
[0013]优选地，所述去膜处理的气体流量为9000
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11000sccm，例如可以为9200sccm、9500sccm、9800sccm、10000sccm、10200sccm、10500sccm或10800sccm，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
[0014]优选地，所述去膜处理的压强为1600
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1800mTorr，例如可以为1630mTorr、1650mTorr、1680mTorr、1700mTorr、1720mTorr、1750mTorr或1780mTorr，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值，进一步优选1650
‑
1750mTorr。
[0015]优选地，所述去膜处理的温度为450
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550℃，例如可以为460℃、470℃、480℃、490℃、500℃、510℃、520℃、530℃或540℃，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值，进一步优选490
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510℃。
[0016]优选地，所述去膜处理的时间为1500
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2100s。
[0017]优选地，所述去膜处理的射频功率为12000
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20000W，例如可以为13000W、14000W、15000W、16000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜返工片的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：待处理的镀膜返工片在管式镀膜装置中依次进行去膜处理和镀膜，得到镀膜电池片；所述去膜处理的通入气体为氨气和/或氮气，所述去膜处理的时间为1300
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2300s。2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述去膜处理的气体流量为9000
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11000sccm；优选地，所述去膜处理的压强为1600
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1800mTorr；优选地，所述去膜处理的温度为450
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550℃；优选地，所述去膜处理的时间为1500
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2100s。3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述去膜处理的射频功率为12000
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20000W；优选地，所述去膜处理的通入气体为氨气，所述去膜处理的射频功率为13000
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15000W；优选地，所述去膜处理的通入气体为氮气，所述去膜处理的射频功率为16000
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20000W；优选地，所述去膜处理的占空比为(30
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50):(200
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280)。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的处理方法，其特征在于，所述镀膜包括第一次镀膜和第二次镀膜。5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述第一次镀膜的氨气流量为7000
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9000sccm，硅烷流量为1800
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2200sccm；优选地，所述第一次镀膜的压强为1600
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1800mTorr；优选地，所述第一次镀膜的射频功率为12000
‑
14000W；优选地，所述第一次镀膜的占空比为(30
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50):(550
‑
650)；优选地，所述第一次镀膜的温度为450
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550℃；优选地，所述第一次镀膜的时间为150
‑
250s。6.根据权利要求4或5所述的处理方法，其特征在于，所述第二次镀膜的氨气流量为9000
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11000sccm，硅烷流量为900
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1100sccm；优选地，所述第二次镀膜的压强为1600
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1800mTorr；优选地，所述第二次镀膜的射频功率为12000
‑
14000W；优选地，所述第二次镀膜的占空比为(30
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50):(550
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650)；优选地，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘恩华，姜大俊，潘励刚，郑旭然，
申请(专利权)人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：