薄膜沉积方法技术

本发明专利技术涉及一种薄膜沉积方法，更具体而言，涉及一种可以薄膜沉积方法，通过导入脉冲型等离子体吹扫工艺，从而防止超细微薄膜的厚度增加和生成的颗粒导致的物性变化。本发明专利技术中的薄膜沉积方法可将RF电源施加至腔室，并利用了在上述腔室内部产生等离子体而在基板上形成薄膜的基板处理装置，其包括：向上述腔室内部准备基板的步骤；在上述腔室内部生成第一等离子体，供应源气体而在上述基板上形成薄膜层的薄膜形成步骤；以及向上述腔室内生成提前预设好占空率的第二等离子体，供应惰性气体而在上述腔室内部将残留源气体清除的脉冲型等离子体吹扫步骤。子体吹扫步骤。子体吹扫步骤。

【技术实现步骤摘要】
薄膜沉积方法


[0001]本专利技术涉及一种薄膜沉积方法，具体而言，提供一种薄膜沉积方法，该方法通过导入脉冲性等离子吹扫工艺，来防止超细微薄膜的厚度增加和止颗粒化导致的物性变化。

技术介绍

[0002]随着电子元件的集成化趋势，为了利用EUV而制造数埃乃至数十埃【angstrom()】水平的超微薄膜(ultra
‑
thin film)的，正在积极开发薄膜制造工艺技术。特别是等离子体增强化学气相沉积方法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)是在反应腔室中产生等离子体，在源气体的化学反应下沉积薄膜的方法。对于PECVD方法，源气体在等离子体作用影响下获得能量，因此可在低温状态完成沉积，因此该特点被广泛利用。
[0003]更具体而言，PECVD方法是向腔室施加高压，使腔室内产生等离子体。并且，注入源气体后由于腔室内已经产生了等离子体，源气体则变为离子状态即等离子体状态。当安装在腔室内的晶圆被加热至预设温度时，要沉积的材料与对象物表面就发生化学反应。在化学反应的作用下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积方法，可将RF电源施加至腔室，并利用了在上述腔室内部产生等离子体而在基板上形成薄膜的基板处理装置，其特征在于，包括：向上述腔室内部准备基板的步骤；在上述腔室内部生成第一等离子体，供应源气体而在上述基板上形成薄膜层的薄膜形成步骤；以及向上述腔室内生成提前预设好占空率的第二等离子体，供应惰性气体而在上述腔室内部将残留源气体清除的脉冲型等离子体吹扫步骤。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，上述薄膜层是碳硬膜层。3.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，上述薄膜形成步骤，施加50至150W的RF电源。4.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，上述第一等离子体，是与上述第二等离子体的占空率不同的脉冲型等离子体。5.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，上述脉冲型等离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：申晙惺，崔暎喆，金东鹤，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：