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本发明涉及一种薄膜沉积方法，更具体而言，涉及一种可以薄膜沉积方法，通过导入脉冲型等离子体吹扫工艺，从而防止超细微薄膜的厚度增加和生成的颗粒导致的物性变化。本发明中的薄膜沉积方法可将RF电源施加至腔室，并利用了在上述腔室内部产生等离子体而在基...
该专利属于圆益IPS股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆益IPS股份有限公司授权不得商用。

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