一种改善InGaAs表面沉积SiO2脱落的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善InGaAs表面沉积SiO2脱落的方法，包括以下步骤：（1）当晶圆片完成外延结构生长之后，先用盐酸腐蚀表面的INP材料，再放入氟化铵溶液中，将裸露出来的InGaAs腐蚀3min，随后冲水干净后用氮气枪吹干，并烘干，保证晶圆片完全干燥；（2）通过在沉积SiO2的预清洗阶段增加笑气清洗，并适当增加清洗的流量和射频功率。本发明专利技术的方法解决了PECVD在InGaAs表面沉积SIO2脱落的问题，对InGaAs衬底表面进行预处理，优化生长SIO2的recipe，使得SIO2膜与晶圆上的InGaAs粘附更好，减少其它SIO2膜异常的出现。膜异常的出现。膜异常的出现。

【技术实现步骤摘要】
一种改善InGaAs表面沉积SiO2脱落的方法


[0001]本专利技术属于半导体芯片制造
，具体涉及一种改善InGaAs表面沉积SiO2脱落的方法。

技术介绍

[0002]目前在InGaAs表面沉积SiO2主要是采用纯盐酸腐蚀液将晶圆表面的INP材料腐蚀数秒，露出InGaAs材料，冲水干净后用氮气枪吹干，即准备送入PECVD腔室进行SIO2薄膜沉积。这一层作为脊型腐蚀前的掩膜保护层，但现有技术存在以下问题：当脊型腐蚀工艺完成后，作为表面掩膜层的SIO2会出现大量脱落，主要分布在脊槽两侧边缘；以上SIO2脱落现象会导致腐蚀液会进入脊上的表面材料，造成不同程度的腐蚀，影响芯片制造的性能甚至是可靠性。

技术实现思路

[0003]出现SiO2脱落现象的原因大概在于InGaAs/SiO2的界面粘附性差导致；同时，PECVD中SiO2的Recipe的设置不合理；最后与InGaAs的表面特性也有关。为了解决上述技术中的不足，本专利技术的目的在于提供一种改善InGaAs表面沉积SiO2脱落的方法，沉积SiO2之前对晶圆片表面材料分别进行盐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善InGaAs表面沉积SiO2脱落的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、晶圆片预处理：当晶圆片完成外延结构生长之后，先用盐酸腐蚀表面的INP材料，再放入氟化铵溶液中，将裸露出来的InGaAs腐蚀3min，随后冲水干净后用氮气枪吹干，并烘干，保证晶圆片完全干燥；步骤二、沉积SIO2：（1）按流量为700sccm，向腔室通入N2，腔压1400mTorr，持续时间60s；（2）预清洗第一阶段：N2流量充入500
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1000sccm，腔压1000
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1500mTorr，射频功率50
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120w，持续时间30s；清洗完，再按流量为700
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1000sccm，向腔室通入N2，腔压1300
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1500mTorr，持续时间60s；（2）预清洗第二阶段：N2O流量充入500
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1000sccm，腔压1000
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1500mTorr，射频功率50
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120w，持续时间30s；清洗完，再按流量为700
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1000sccm，向腔室通入N2，腔压1300
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1500mTorr，持续时间60s；（3）预清洗第三阶段：N2流量充入500
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1000sccm，NH3流量充入10
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30sccm，腔压1000
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1500mTorr，射频功率50
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120w，持续时间30s；清洗完，再按流量为700
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1000sccm，向腔室通入N2，腔压1300
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1500mTorr，持续时间60s；（4）SIO2薄膜沉积准备阶段：N2流量充入700sccm，SiH4流量充入100sccm，N2O流量充入700
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800scc...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄惠莺，薛正群，
申请(专利权)人：福建中科光芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：