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本发明公开了一种改善InGaAs表面沉积SiO2脱落的方法，包括以下步骤：（1）当晶圆片完成外延结构生长之后，先用盐酸腐蚀表面的INP材料，再放入氟化铵溶液中，将裸露出来的InGaAs腐蚀3min，随后冲水干净后用氮气枪吹干，并烘干，保证晶...
该专利属于福建中科光芯光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建中科光芯光电科技有限公司授权不得商用。

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