降低太阳能电池裂片损伤的方法、太阳能电池及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种降低太阳能电池裂片损伤的方法、太阳能电池及制备方法，其中所涉及降低太阳能电池裂片损伤的方法包括：扩散制结步骤，掩膜制作步骤，刻槽步骤，去掩膜步骤，去杂质玻璃步骤，正、背面钝化步骤，电极形成步骤，以及裂片步骤，本发明专利技术中基于掩膜制作步骤与刻槽步骤的设置，在获取分片电池时，其裂片位置处的边缘结区会被第一钝化层覆盖而不会直接暴露于外界环境中，如此能够有效抑制分片电池的边缘复合，进而提高分片电池的FF、VOC、JSC及效率。JSC及效率。JSC及效率。

【技术实现步骤摘要】
降低太阳能电池裂片损伤的方法、太阳能电池及制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能光伏
，尤其涉及一种降低太阳能电池裂片损伤的方法、太阳能电池及制备方法。

技术介绍

[0002]为了实现平价上网，光伏组件亟需持续提高输出功率并降低成本，推动组件技术不断创新，同时加速新技术的产业化应用。近年来，较为成熟的组件产品主要以切半组件和叠瓦组件为代表，这两种技术均需要将整片电池切成分片电池后再以串并联的方式实现正负极相连，由于分片电池的电流降低，可有效降低组件内部的热损耗。具体而言，切半组件一般是将整片电池对切后串联起来，每块分片电池的电流降低为整片电池的1/2，因此电流带来的失配损失减小，且电流在组件内部的自身损耗减少，相对普通组件输出功率提高10W左右；叠瓦组件则是将整片电池切成4片、5片、6片或者更多，如此使得分片电池的电流能够更为大幅的降低，而且作为高密度组件的代表，叠瓦组件不再使用焊带，相同组件面积内放置的电池片数量增加13％以上，进而使得叠瓦组件具有转换效率高、内阻小、热斑性能优异等特点。
[0003]然现有技术中，对于分片电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低太阳能电池裂片损伤的方法，其特征在于，包括以下步骤：扩散制结步骤，在硅片正面形成扩散层及位于所述扩散层上的杂质玻璃层；掩膜制作步骤，在所述杂质玻璃层上形成掩膜层，所述掩膜层于待裂片位置处具有第一镂空区；刻槽步骤，经所述掩膜层在所述第一镂空区位置处形成贯穿所述杂质玻璃层与所述扩散层的凹槽；去掩膜步骤，去除所述杂质玻璃层上的所述掩膜层；去杂质玻璃步骤，去除所述扩散层上的所述杂质玻璃层；正、背面钝化步骤，在所述硅片的正面一侧形成覆盖所述凹槽内壁的第一钝化层，在所述硅片的背面一侧形成第二钝化层；电极形成步骤，在所述第一钝化层、第二钝化层表面分别形成正面电极、背面电极；裂片步骤，在所述凹槽位置处对所述硅片进行裂片以形成分片电池。2.根据权利要求1所述的降低太阳能电池裂片损伤的方法，其特征在于，所述掩膜制作步骤中，所述掩膜层还具有供所述硅片正面所述杂质玻璃层边缘暴露的第二镂空区。3.根据权利要求2所述的降低太阳能电池裂片损伤的方法，其特征在于，所述第二镂空区的宽度为1
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5mm。4.根据权利要求1所述的降低太阳能电池裂片损伤的方法，其特征在于，所述第一镂空区的宽度为0.5
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5mm。5.根据权利要求1
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4任意一项所述的降低太阳能电池裂片损伤的方法，其特征在于，所述掩膜制作步骤中，采用丝网印刷或喷墨方式将掩膜浆料成型于所述杂质玻璃层上以形成所述掩膜层。6.根据权利要求5所述的降低太阳能电池裂片损伤的方法，其特征在于，所述掩膜浆料包括烷烃类有机物；所述去掩膜步骤中，采用4wt％
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10wt％的NaOH或KOH溶液去除所述掩膜层。7.根据权利要求1
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4任意一项所述的降低太阳能电池裂片损伤的方法，其特征在于，所述刻槽步骤中，采用混合酸液刻蚀所述杂质玻璃层与所述扩散层，所述混合酸液包括25wt％
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65wt％的HNO3以及5wt％
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15wt％的HF；或，所述混合酸液包括25wt％
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65wt％的HNO3、5wt％
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15wt％的HF以及10wt％
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【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：