一种硅片、硅片绒面结构及其制备方法技术

技术编号:33991024 阅读:30 留言:0更新日期:2022-07-02 09:41
本发明专利技术提供了一种硅片、硅片绒面结构及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:(1)碱液中对硅片进行各向异性碱制绒处理,烘干后得到第一硅片;(2)在步骤(1)所得第一硅片的电极设置区域丝网印刷纳米金属颗粒浆料,烘干后得到第二硅片;(3)对步骤(2)所得第二硅片依次进行酸蚀处理与酸洗处理,烘干后完成硅片绒面结构的制备。本发明专利技术利用丝网印刷在电极设置区域设置纳米金属颗粒,然后通过酸蚀处理得到纳米级孔洞绒面,便于在电极设置区域实现高浓度掺杂并在非电极设置区域实现低浓度掺杂;而且,通过使丝网印刷所用网版与设置电极栅线所用网版相同,使电极与高浓度掺杂区域准确对应,保证了电池的填充因子。证了电池的填充因子。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片、硅片绒面结构及其制备方法


[0001]本专利技术属于新能源
,涉及一种硅片的处理方法,尤其涉及一种硅片、硅片绒面结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]太阳能以其清洁环保、取之不竭在全球范围内受到追捧,被认为是21世纪最重要的新能源之首。在太阳能光伏领域,晶体硅太阳能电池的转换效率较高,原材料来源简单,当前仍是太阳能电池行业的主力。
[0003]传统的硅太阳能电池中,扩散的浓度需要适应印刷电极的要求,通常要求扩散由较高的掺杂浓度,在较高的掺杂浓度下,硅片表面载流子复合率较高,会减小短路电流密度,从而使效率下降。
[0004]从电池开路电压和短路电流角度考虑,则需要进行低浓度掺杂;而从填充因子及电极与电池片接触角度考虑,应当进行高浓度掺杂,SE工艺能够很好地解决两者之间的矛盾:即在电极接触区域采用高浓度掺杂,在光吸收区域采用低浓度掺杂。
[0005]在光吸收区域采用低浓度掺杂,可以在高载流子产生率的区域获得高的收集率,提高电池的短路电流。在电极接触区域,即电极栅线设置区域进行高浓度掺杂,在设置电极时容易形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片绒面结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:(1)碱液中对硅片进行各向异性碱制绒处理,水洗烘干后得到第一硅片;(2)在步骤(1)所得第一硅片的电极设置区域丝网印刷纳米金属颗粒浆料,烘干后得到第二硅片;(3)对步骤(2)所得第二硅片依次进行酸蚀处理与酸洗处理,水洗烘干后完成硅片绒面结构的制备。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述各向异性碱制绒处理的温度为60

85℃;优选地,步骤(1)所述各向异性碱制绒处理的时间为200

600s。3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,以质量百分数计,步骤(1)所述碱液包括:4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述碱性盐包括氢氧化钠和/或氢氧化钾。优选地,所述有机溶剂包括无水乙醇和/或异丙醇;优选地,所述硅酸盐为硅酸钠和/或硅酸钾。5.根据权利要求1

4任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述纳米金属颗粒浆料由水溶性纳米金属颗粒、有机粘结剂以及溶剂组成;优选地,所述水溶性纳米金属颗粒、有机粘结剂与溶剂的质量比为(50

90):(1

5):(10

30);优选地,所述水溶性纳米金属颗粒包括水溶性纳米金颗粒、水溶性纳米银颗粒或水溶性纳米铜颗粒中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述水溶性纳米金属颗粒的平均粒径为1

50nm;优选地,所述有机粘结剂包括树脂粘结剂;优选地,所述溶剂包括丁基溶酐乙酸脂和/或二乙二醇丁醚醋酸酯;优选地,步骤(2)所述烘干的温度为50

200℃;优选地,步骤(2)烘干后得到的浆料层厚度为20

100nm。6.根据权利要求1

5任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述酸蚀处理所用酸液为氢氟酸与氧化性酸的混合酸;优选地,所述混合酸中氢氟酸的质量浓度为5

20wt%;优选地,所述混合酸中氧化性酸的质量浓度为1

10wt%;
优选地,所述氧化性酸包括硝酸、双氧水或臭氧水中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述氧化性酸中臭氧水的浓度为10

30ppm;优选地,步骤(3)所述酸蚀处理的温度为20...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶晓亚周思洁曹芳邹帅王栩生
申请(专利权)人:阿特斯阳光电力集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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