一种半导体结构及栅极的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及栅极的制作方法。一种半导体结构包括：半导体衬底有源区设有栅极，栅极由栅介质层、第一多晶硅层、第二多晶硅层、金属层依次堆叠而成，并且第二多晶硅层掺杂有碳和锗。栅极的制作方法包括：在半导体衬底上形成浅槽隔离，然后沉积栅介质层；在第栅介质层表面沉积第一多晶硅层；在第一多晶硅层的表面沉积第二多晶硅层，并向第二多晶硅层掺杂碳和锗；然后依次进行第二多晶硅层的N型或P型掺杂、沉积金属层和盖层，经过光刻和刻蚀形成栅极。本发明专利技术达到的效果是：细化栅极多晶硅晶粒，降低机械应力；降低漏电现象，提高栅极层间接合稳定性。栅极层间接合稳定性。栅极层间接合稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及栅极的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体生产工艺领域，特别涉及一种半导体结构及栅极的制作方法。

技术介绍

[0002]栅极是晶体管中很重要的结构，栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过。以NPN型MOS管为例，在半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N区，并用金属引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面覆盖一层很薄的介质层(通常为SiO2)，在这个介质层膜上制作栅极G，这就构成了一个NMOS管。目前栅极广泛采用堆叠结构，以增加对沟道的控制或提高驱动电流，堆叠结构包括在栅介质层上形成的多晶硅和多层金属，顶层还覆盖有盖层。在多晶硅的沉积过程中会对底部栅介质层产生应力，引起漏电或栅极金属层结合不稳定等问题。
[0003]为此，提出本专利技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种栅极的制作方法，该方法采用非掺杂多晶硅硅层和C&Ge掺杂的多晶硅层复合成的材料作为栅极底部的电阻连接，能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底设置有源区；所述半导体衬底的有源区设置栅极，所述栅极由栅介质层、第一多晶硅层、第二多晶硅层和金属层依次堆叠而成，并且所述第二多晶硅层掺杂有碳和锗。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，按摩尔量计，所述第二多晶硅层中碳的掺杂量为多晶硅的2～7％，锗的掺杂量为多晶硅的20～40％。3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为所述第二多晶硅层的厚度为4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层包括依次堆叠的钛层、氮化金属层、钨层，所述钛层位于所述第二多晶硅层的表面。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极为NMOS栅极，所述第二多晶硅层中包括N型掺杂离子；或栅极为PMOS栅极，所述第二多晶硅层中包括P型掺杂离子。6.一种栅极的制作方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成浅槽隔离，然后...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔锺武，刘金彪，杨涛，孔真真，余嘉晗，项金娟，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：