碳化硅籽晶制造技术

本实用新型专利技术公开了一种碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶形成有在厚度方向相对的第一表面和第二表面，所述第一表面用于生长碳化硅晶体，所述第二表面形成有多个凹槽，在所述碳化硅籽晶的径向从内向外的方向上，多个所述凹槽的截面面积逐渐减小。根据本实用新型专利技术实施例的碳化硅籽晶，根据热传递原理可知，气相热传导低于固相热传导，通过在第二表面设置凹槽，使得凹槽内具有比碳化硅籽晶导热率低的气体，由此设置凹槽处的导热速率较慢，与未设置凹槽的其他位置相比可以减少籽晶热量的耗散，减小了碳化硅籽晶表面的径向温差，实现了碳化硅蒸气在碳化硅籽晶表面均匀沉积，从而得到平整的碳化硅晶体，降低了碳化硅晶体中的整体缺陷。降低了碳化硅晶体中的整体缺陷。降低了碳化硅晶体中的整体缺陷。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅籽晶


[0001]本技术涉及半导体
，尤其是涉及一种碳化硅籽晶。

技术介绍

[0002]相关技术中，利用PVT法制备碳化硅晶体，碳化硅蒸气在传输过程中，由于受热不均匀会在籽晶表面形成径向温差，会导致出现碳化硅蒸气从籽晶边缘向籽晶中心传输的现象，最终得到凸形的碳化硅晶体，这种晶体中很可能存在大量的缺陷。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术在于提出一种碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶有利于制备平整的碳化硅晶体。
[0004]根据本技术实施例的碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶形成有在厚度方向相对的第一表面和第二表面，所述第一表面用于生长碳化硅晶体，所述第二表面形成有多个凹槽，在所述碳化硅籽晶的径向从内向外的方向上，多个所述凹槽的截面面积逐渐减小。
[0005]根据本技术实施例的碳化硅籽晶，根据热传递原理可知，气相热传导低于固相热传导，通过在第二表面设置凹槽，使得凹槽内具有比碳化硅籽晶导热率低的气体，由此设置凹槽处的导热速率较慢，与未设置凹槽的其他位置相比可以减少籽晶热量的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶形成为片状，其特征在于，所述碳化硅籽晶形成有在厚度方向相对的第一表面和第二表面，所述第一表面用于生长碳化硅晶体，所述第二表面形成有多个凹槽，在所述碳化硅籽晶的径向从内向外的方向上，多个所述凹槽的截面面积逐渐减小。2.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶，其特征在于，在所述碳化硅籽晶的径向从内向外的方向上，多个所述凹槽在所述第二表面上的排布密度逐渐减小。3.根据权利要求2所述的碳化硅籽晶，其特征在于，多个所述凹槽形成为多个凹槽组，每个所述凹槽组包括环绕所述碳化硅籽晶的中心均匀间隔设置的多个凹槽，每个所述凹槽组中的多个所述凹槽的截面面积相同，且每个所述凹槽组中的多个所述凹槽与所述碳化硅籽晶的中心的距离相等。4.根据权利要求3所述的碳化硅籽晶，其特征在于，相邻两个所述凹槽组中的多个所述凹槽在所述碳化硅籽晶的周向方向错开设置。5.根据权利要求3所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述凹槽组包括3
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【专利技术属性】
技术研发人员：燕靖，陈俊宏，
申请(专利权)人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：