一种碳化硅单晶生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于碳化硅技术领域，尤其涉及一种碳化硅单晶生长装置。本发明专利技术通过用于盛放碳化硅单晶生长原料的坩埚，以及加热筒，还包括设置在坩埚上的升降杆单元，设置在升降杆单元上的箱体单元，以及设置在箱体单元上并用于调整升降杆单元位置的转盘单元起到了灵活调整加热温度的技术效果。本发明专利技术具有结构简单，安装方便，通过升降杆调整坩埚与加热筒的相对位置以实现温度控制，并且设置挤压杆部使得坩埚上升到一定高度便实现自锁功能停止上升避免与加热筒脱离导致温度过低，以及设置伸缩柱部使得坩埚下降到一定高度亦可实现自锁功能避免与加热筒接触导致温度过高，同时设置了弹簧、传动杆、传动绳等传动结构用于实现自动锁定和自动解锁的优点。自动解锁的优点。自动解锁的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅单晶生长装置


[0001]本专利技术属于碳化硅
，尤其涉及一种碳化硅单晶生长装置。

技术介绍

[0002]碳化硅是一种无机物，是用石英砂、石油焦、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是现今最受关注的第三代半导体材料之一，其在高温、高压、高频等条件下性能优异，在半导体照明光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件、太阳能电池和生物传感器等其他器件等方面展现出了巨大的潜力，碳化硅晶型的稳定与生长环境密切相关，一般加热温度在2000℃
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2300℃的范围条件下，而传统的碳化硅单晶生长装置加热温度较为固定，使得生长过程中的碳化硅晶体很不稳定，容易发生相变，所以市场上急需一种可以灵活调整加热温度的碳化硅单晶生长装置。
[0003]公开号为CN113622016A，公开日为2021
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09的中国专利技术专利公开了一种碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法。碳化硅晶体生长装置包括坩埚和网状件；网状件设置在坩埚的坩埚体中，且网状件的周缘与坩埚体的内壁抵持；网状件呈朝向坩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶生长装置，包括用于盛放碳化硅单晶生长原料的坩埚（11），以及加热筒（12），其特征在于，还包括设置在所述坩埚（11）上的升降杆单元（1），设置在所述升降杆单元（1）上的箱体单元（2），以及设置在所述箱体单元（2）上并用于调整所述升降杆单元（1）位置的转盘单元（3）。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述升降杆单元（1）包括连接在所述坩埚（11）上的升降杆（101），设置在所述升降杆（101）上的升降板（102），以及设置在所述升降板（102）上并用于螺接所述转盘单元（3）的内螺纹孔（103）；所述箱体单元（2）包括箱体（201），设置在所述箱体（201）上并用于安装所述升降杆（101）的升降杆孔（202）；所述转盘单元（3）包括设置在所述箱体（201）内侧面上并用于螺接所述内螺纹孔（103）的螺纹杆（301）。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述箱体单元（2）包括还包括设置在所述箱体（201）上并用于安装所述转盘单元（3）的转盘柱孔（203）；所述转盘单元（3）还包括设置在所述螺纹杆（301）上的转盘柱（302），以及设置在所述转盘柱（302）上的转盘（303）。4.根据权利要求2所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述箱体单元（2）还包括设置在所述箱体（201）并用于安装所述转盘单元（3）的挤压杆孔（204），以及设置在所述挤压杆孔（204）内环面上的挤压杆限位槽（205）；所述转盘单元（3）还包括设置在所述螺纹杆（301）上且安装在所述挤压杆孔（204）中并用于卡合所述挤压杆限位槽（205）的挤压杆部（304）。5.根据权利要求2所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述升降杆单元（1）还包括设置在所述升降杆（101）上的升降杆限位槽（104）；所述箱体单元（2）还包括设置在所述箱体（201）上并用于卡合所述升降杆限位槽（104）的伸缩柱部（206）。6.根据权利要求4所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述挤压杆部（304）包括挤压杆（304a），设置在所述挤压杆（304a）上的挤压杆空腔（304b），设置在所述挤压杆（304a）上并与所述挤压杆空腔（304b）连通的挤压杆限位柱孔（304c），设置在所述挤压杆限位柱孔（304c）上的挤压杆限位柱（304d），设置在所述挤...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈晓宇，叶国伟，刘博浩，肯尼斯，
申请(专利权)人：浙江东尼电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：