一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法，按照组成成分及含量：包括20～25g/L硝酸银、100～120g/L甲酰乙内脲、10～15g/L支持电解质、40～50g/LpH调节剂、200～480mg/L电镀添加剂、1.5～5g/L光刻胶保护剂和去离子水，所述电镀添加剂包括0.06～0.07g/L表面活性剂、0.22～0.25g/L主光亮剂、0.08～0.10g/L次级光亮剂和0.03～0.05g/L细化剂。本发明专利技术中，通过调整镀液组分与配比，使得镀液处于中性或者弱碱性条件下，避免镀液对光刻胶的酸碱腐蚀，同时，通过添加一定量的光刻胶保护剂，并调整光刻胶保护剂的用量适配于镀液性能不受影响，而又对引线框架表面的光刻胶具备防腐蚀保护作用，从而提高引线框架后期经曝光后形成图案纹路的光滑性。曝光后形成图案纹路的光滑性。曝光后形成图案纹路的光滑性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法


[0001]本专利技术涉及先进电子电镀
，尤其涉及一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法。

技术介绍

[0002]作为集成电路的芯片载体，引线框架除了具有固定芯片的作用，也为焊接提供引线和导脚，保证引线框架与芯片及金属丝间的可焊性，确保元件的电性能，在高端电子制造领域，为获得导电性良好、焊接性优良和稳定性较高的芯片，通常需要在引线框架上电镀一层致密的银层。
[0003]首先，传统的引线框架镀银是利用的氰化镀银工艺，氰化镀银具有稳定性好、效率高、维护性佳等特点。其一般工作在pH值大于9.5的碱性范围。然而，由于集成电路电镀加工精度逐步提高，特别是近年来随着光刻技术的进步，先进的加工技术已经进入到数纳米的尺度。因此，传统的机械冲压的引线框架因其存在较大的内应力和机械冲压带来的细微形变，而无法满足精细集成电路制造技术的要求。
[0004]其次，近年来，基于掩膜
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曝光
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显影
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蚀刻等序列工艺的蚀刻引线框架技术正在逐步替本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液，其特征在于，按照组成成分及含量：包括20～25g/L硝酸银、100～120g/L甲酰乙内脲、10～15g/L支持电解质、40～50g/L pH调节剂、200～480mg/L电镀添加剂、1.5～5g/L光刻胶保护剂和去离子水，所述电镀添加剂包括0.06～0.07g/L表面活性剂、0.22～0.25g/L主光亮剂、0.08～0.10g/L次级光亮剂和0.03～0.05g/L细化剂；所述光刻胶保护剂包括3
‑
氯
‑4‑
羟基
‑
2(1H)
‑
吡啶酮、6
‑
苯基
‑2‑
羟基吡啶酮和4
‑
(4
‑
氯苯基)
‑2‑
羟基噻唑中的一种；所述表面活性剂包括聚氧乙烯胺、聚氧乙烯酰胺和烷基醇酰胺中的一种；所述主光亮剂包括聚醚胺D
‑
230、炔丙胺、N,N
’‑
双(3
‑
胺丙基)
‑
1,4
‑
丁二胺四盐酸盐中的一种或几种；所述次级光亮剂包括丙基哌
‑
N
‑
氨基磺酸、8
‑
氨基
‑
1,3,6
‑
萘三磺酸二钠盐、5
‑
巯基四氮唑
‑1‑
甲烷磺酸二钠盐中的一种或几种。2.根据权利要求1所述的一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液，其特征在于，所述细化剂包括异硫脲丙磺酸内盐、3

【专利技术属性】
技术研发人员：赵健伟，顾雪林，于晓辉，顾梦茹，
申请(专利权)人：嘉兴瀚伦电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：