一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法技术

技术编号:33353967 阅读:10 留言:0更新日期:2022-05-08 10:05
本发明专利技术公开了一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法,其特征在于,先在背板的焊接面等距设置多个标点,每个标点采用电钻形成一个标记孔,然后将电钻钻头更换为圆锥磨头进行扩孔处理,然后将圆锥磨头更换为球形磨头,对扩孔进行打磨至形成光滑的球形凹面,在凹面内继续钻孔,形成多个沿凹面径向方向分布的针孔,最后,对扩孔进行再次打磨,使孔内表面光滑,待所有孔位打磨好后,在背板上形成多个均匀布设的凹坑,再将背板焊接面的平整区打磨光滑。本发明专利技术通过在背板的焊接面打磨多个球形凹面,同时在凹面内钻有沿凹面径向方向的针孔,在焊料浇筑过程,焊料流入凹面和针孔内,冷却后加强焊料与背板的吸附强度,有效提高靶材的焊合率。有效提高靶材的焊合率。有效提高靶材的焊合率。

【技术实现步骤摘要】
一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法


[0001]本专利技术属于ITO靶材加工领域,具体是一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法。

技术介绍

[0002]镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话,靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料,用于高能激光武器中,不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时,会产生不同的杀伤破坏效应。例如:蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材,即可得到不同的膜系。各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。溅射靶材及溅射技术的同步发展,极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如,在半导体集成电路制造过程中,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线:在平面显示器产业中,各种显示技术的同步发展,有的已经用于电脑及计算机的显示器制造;在信息存储产业中,磁性存储器的存储容量不断增加,新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求,需求数量也逐年增加。
[0003]ITO薄膜的用处越来越广,而镀膜过程的主要原料需使用ITO靶材,ITO是一种N型氧化物半导体

氧化铟锡,作为纳米铟锡金属氧化物,具有很好的导电性和透明性,可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此,铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上,用作透明导电薄膜,同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。但在ITO靶材的加工过程,容易发生靶材焊合效果不佳的问题,导致ITO靶材的焊合率降低。为此,本领域技术人员现提供了一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
[0006]一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法,背板的处理中,先在背板的焊接面等距设置多个标点,每个标点采用电钻形成一个标记孔,标记孔的外径为0.5

1mm,钻孔深度1

2mm,然后将电钻钻头更换为圆锥磨头进行扩孔处理,扩孔深度为2.5

3mm,扩孔直径为5

6mm,然后将圆锥磨头更换为直径为3mm的球形磨头,对扩孔进行打磨至形成光滑的球形凹面,在凹面内继续钻孔,形成多个沿凹面径向方向分布的针孔,针孔内径为0.5

0.8mm,深度为2

3mm,最后,对扩孔进行再次打磨,使孔内表面光滑,待所有孔位打磨好后,在背板上形成多个均匀布设的凹坑,再将背板焊接面的平整区打磨光滑;将处理好的背板与ITO靶坯之间涂满焊料,高温压合后冷却得到ITO靶材。
[0007]作为本专利技术再进一步的方案:所述背板形状为矩形。
[0008]作为本专利技术再进一步的方案:还包括以下步骤:
[0009]A,ITO靶坯的焊接面在加热的真空环境中涂刷铟层,使铟层均匀的覆盖ITO靶坯的焊接面,后冷却硬化;
[0010]B,将打磨好的背板焊接面置于真空环境中进行加热,同时在背板焊接面涂抹熔化的焊料,使焊料布满所有凹坑,然后在背板表面铺设一层铜丝,继续涂抹焊料,使焊料刚好覆盖好铜丝,在表面形成一定厚度的焊料层;
[0011]C,将镀铟处理后的ITO靶坯镀铟面覆盖于涂满焊料层的背板焊接面,对ITO靶坯和背板同时施加压力,定位压合得到ITO靶材初品;
[0012]D,对压合好的ITO靶材初品进行匀速降温处理,冷却至室温后,得到焊合好的ITO靶材。
[0013]作为本专利技术再进一步的方案:步骤B中,在铺满铜丝后的焊料涂抹过程中采用多次涂抹的方式,从背板外圈向内侧反复涂抹,焊料层的厚度为0.3

0.5mm。
[0014]作为本专利技术再进一步的方案:所述背板形状为圆柱形。
[0015]作为本专利技术再进一步的方案:包括以下步骤:
[0016]a,将打磨好的背板焊接面置于真空环境中进行加热,同时在背板焊接面涂抹熔化的焊料,使焊料布满所有凹坑后,在背板的外侧等距缠绕一圈铜丝,然后继续涂抹焊料,使焊料刚好覆盖好铜丝,使铜丝沾附于背板表面;
[0017]b,将ITO靶坯卷在沾附好铜丝的背板表面,并在ITO靶坯和背板之间留有间隙;
[0018]c,将ITO靶坯与背板贴合的一端密封处理,从另一端向间隙内继续浇筑焊料,待焊料填满间隙后,密封浇筑端,对ITO靶坯的表面施加压力,定位压合得到ITO靶材初品;
[0019]d,对压合好的ITO靶材初品进行匀速降温处理,冷却至室温后,得到焊合好的ITO靶材。
[0020]作为本专利技术再进一步的方案:所述背板材料为铜或铝的合金。
[0021]作为本专利技术再进一步的方案:所述焊料为铟或锡与粘黏剂混合制成。
[0022]作为本专利技术再进一步的方案:压合过程保持150~160℃的真空环境,施压方式为超声施压。
[0023]作为本专利技术再进一步的方案:步骤b中,ITO靶坯和背板之间的间隙宽度为2

3mm。
[0024]与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:通过在背板的焊接面打磨多个球形凹面,同时在凹面内钻有沿凹面径向方向的针孔,在焊料浇筑过程,焊料流入凹面和针孔内,冷却后加强焊料与背板的吸附强度,有效提高靶材的焊合率;通过在背板表面设置铜丝,同时焊料采用熔点低的铟或锡和粘黏剂混合制成,进一步加强ITO靶材的焊合强度。
附图说明
[0025]为了便于本领域技术人员理解,下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0026]图1为背板形状为矩形的ITO靶材;
[0027]图2为背板形状为圆柱形的ITO靶材。
具体实施方式
[0028]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术,并不
用于限定本专利技术,即所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0029]因此,以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围,而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0030]实施例1
[0031]一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法,取一块10cm*30cm的矩形铜合金背板材料,在背板的焊接面等距设置多个标点,每个标点采用电钻形成一个标记孔,标记孔的外径为0.5mm,钻孔深度为1mm,然后将电钻钻头更换为圆锥磨头进行扩孔处理,扩孔深度为2.5mm,扩孔直径为5本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法,其特征在于,背板的处理中,先在背板的焊接面等距设置多个标点,每个标点采用电钻形成一个标记孔,标记孔的外径为0.5

1mm,钻孔深度1

2mm,然后将电钻钻头更换为圆锥磨头进行扩孔处理,扩孔深度为2.5

3mm,扩孔直径为5

6mm,然后将圆锥磨头更换为直径为3mm的球形磨头,对扩孔进行打磨至形成光滑的球形凹面,在凹面内继续钻孔,形成多个沿凹面径向方向分布的针孔,针孔内径为0.5

0.8mm,深度为2

3mm,最后,对扩孔进行再次打磨,使孔内表面光滑,待所有孔位打磨好后,在背板上形成多个均匀布设的凹坑,再将背板焊接面的平整区打磨光滑;将处理好的背板与ITO靶坯之间涂满焊料,高温压合后冷却得到ITO靶材。2.根据权利要求1所述的一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法,其特征在于,所述背板形状为矩形。3.根据权利要求2所述的一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法,其特征在于,包括以下步骤:A,ITO靶坯的焊接面在加热的真空环境中涂刷铟层,使铟层均匀的覆盖ITO靶坯的焊接面,后冷却硬化;B,将打磨好的背板焊接面置于真空环境中进行加热,同时在背板焊接面涂抹熔化的焊料,使焊料布满所有凹坑,然后在背板表面铺设一层铜丝,继续涂抹焊料,使焊料刚好覆盖好铜丝,在表面形成一定厚度的焊料层;C,将镀铟处理后的ITO靶坯镀铟面覆盖于涂满焊料层的背板焊接面,对ITO靶坯和背板同时施加压力,定位压合得到ITO靶材初品;D,对压合好的ITO靶材初品进行匀速降温处理,冷却至室温后,得到焊合...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐安泰
申请(专利权)人:株洲火炬安泰新材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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