【技术实现步骤摘要】
一种LaSm共掺杂ITO靶材及其制备方法与应用
[0001]本专利技术属于
ITO
靶材
,具体涉及一种
LaSm
共掺杂
ITO
靶材及其制备方法与应用
。
技术介绍
[0002]ITO(
氧化铟锡
)
靶材是一种用于物理蒸发或磁控溅射等薄膜制备技术的材料,在电子工业中具有重要作用
。ITO
靶材是由铟和锡的氧化物按照适当的比例组成,具有透明导电性,因此可以用于制作透明电极,例如液晶显示器
、
有机发光二极管
、
触摸屏和太阳能电池等
。
[0003]在太阳能电池板的制备过程中,其硅片一般需要经过清洗
、
制绒
、
扩散和减反射膜沉积等工艺处理
。
减反膜是一种用于减少光学器件表面反射的薄膜涂层,以提高光学元件的透过率和性能,常用的减反射膜由氮化硅制成,虽然
ITO
膜也具有较好的透光性,但是其反射率比氮化硅膜,减反效果不如氮化硅膜,会影响太阳能电池的效率
。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的之一在于提供一种
LaSm
共掺杂
ITO
靶材,解决常规
ITO
膜透光率;目的之二在于提供一种
LaSm
共掺杂
ITO
靶材的制备方;目的之三在于提供一种
LaSm
共掺杂
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种
LaSm
共掺杂
I TO
靶材的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一:将六水合硝酸镧
、
六水合硝酸钐
、
甘氨酸
、
硼酸和去离子水加入反应釜中,
200
‑
500r/min
搅拌
30
‑
60min
,得到混合液后装入坩埚并转移至马弗炉中,按照3‑
5℃/min
的速率升温至
800
‑
850℃
并保温3‑
4h
,自然冷却,球磨粉碎,过筛,得到纳米
LaSm(BO3)2粉末;步骤二:将纳米
ITO
粉末
、
纳米
LaSm(BO3)2粉末和
60wt
%的乙酸溶液球磨混合,调节固含量为
65
‑
70wt
%,得到浆料后转移至模具中,在
480
±
5MPa
的压力下,按照
10℃/min
的速率升温至
400
‑
420℃
并保温保压
60
‑
80min
,自然冷却,得到坯体;步骤三:将坯体转移至烧结炉中,在氧气氛围下,按照2‑
5℃/min
的速率升温至
1350
‑
1400℃
并保温3‑
3.5h
,然后按照
10℃/min
的速率降温至
350
‑
400℃
,自然冷却,得到
LaSm
共掺杂
I TO
靶材
。2.
根据权利要求1所述的一种
LaSm
共掺杂
I TO
靶材的制备方法,其特征在于,步骤一中所述六水合硝酸镧
、
六水合硝酸钐
、
甘氨酸
、
硼酸和去离子水的用量比为
34.3g
:
44.45g
:
25g
:
12.37g
:
250
‑
300mL。3.
根据权利要求1所述的一种
LaSm
...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐安泰,唐智勇,程波,
申请(专利权)人:株洲火炬安泰新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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