基板处理装置制造方法及图纸

一种基板处理装置，包括：腔室，所述腔室具有处理空间；第一电源，所述第一电源连接至设置在所述处理空间中的第一部件且向所述第一部件传输具有第一频率的功率；第二电源，所述第二电源设置在所述处理空间中，连接至不同于所述第一部件的第二部件，并且向所述第二部件传输具有小于所述第一频率的第二频率的功率；及耦合阻挡结构，所述耦合阻挡结构安装在连接至所述第二电源及所述第二部件的电力线上，其中所述耦合阻挡结构电连接至所述电力线且包括具有线圈形状的导线。括具有线圈形状的导线。括具有线圈形状的导线。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本文所述的本专利技术构思的实施方式关于一种基板处理装置。

技术介绍

[0002]等离子体是指离子化气态，包括离子、自由基、电子等。等离子体由极高温度、强电场或射频(Radio Frequency；RF)电磁场产生。半导体装置制造工艺可包括使用等离子体移除形成在基板诸如晶片上的薄膜的蚀刻工序。蚀刻工序被执行为包含在等离子体中的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应。
[0003]用于使用等离子体处理基板诸如晶片的装置包括：处理腔室，所述处理腔室具有处理空间；RF电源，所述RF电源用于产生上述电场或RF电磁场；及加热器，所述加热器用于调节经处理的基板的温度。此外，加热器经由加热器管线连接至向加热器传输功率的加热器电源。以此方式，在用于使用等离子体处理基板的装置中，由于由RF电源施加的高频功率通过加热器流入加热器电源，因此加热器电源可能会发生故障或失效。此外，图1例示根据当加热器管线从加热器移除时与基板的中心的距离的蚀刻速率“A”及根据当加热器及加热器管线连接至彼此时与基板的中心的距离的蚀刻速率“B”。如从图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其包括：腔室，所述腔室具有处理空间；第一电源，所述第一电源为高频电源且被配置为向设置在所述处理空间中的第一部件施加功率；第二电源，所述第二电源为交流电(AC)电源或直流电(DC)电源且被配置为向设置在所述处理空间中的第二部件施加功率；和耦合阻挡结构，所述耦合阻挡结构安装在连接至所述第二电源及所述第二部件的电力线上且被配置为阻挡由所述第一电源产生的高频功率耦合至所述第二电源，其中所述耦合阻挡结构电连接至所述电力线且包括具有线圈形状的导线。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述耦合阻挡结构进一步包括介电质，所述介电质具有柱状形状，所述导线围绕所述介电质缠绕。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中在所述介电质中形成螺旋沟槽，在所述螺旋沟槽中设置所述导线。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述耦合阻挡结构进一步包括导电部分，所述导电部分电连接至所述导线的一端及所述电力线的一端。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中在所述导电部分中形成销槽，连接至所述电力线的所述一端的导电销插入所述销槽中。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述耦合阻挡结构进一步包括：介电质，所述介电质具有柱状形状，所述导线围绕所述介电质缠绕；导电部分，所述导电部分电连接至所述导线的一端及所述电力线的一端；及绝缘体，所述绝缘体被配置为环绕所述导电部分、所述介电质及所述导线。7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其中所述第二部件为加热器，所述加热器被配置为加热所述处理空间或在所述处理空间中处理的基板。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中所述第一部件为电极板，所述电极板被配置为在所述处理空间中产生等离子体。9.一种基板处理装置，其包括：腔室，所述腔室具有处理空间；第一电源，所述第一电源被配置为产生射频(RF)电磁场；第二电源，所述第二电源被配置为向设置在所述处理空间中的加热器传输功率；及耦合阻挡结构，所述耦合阻挡结构安装在设置于所述第二电源与所述加热器之间的电力线上，其中所述耦合阻挡结构电连接至所述电力线且包括具有线圈形状的导线。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中所述耦合阻挡结构进一步包括介电质，所述介电质具有柱状形状，所述导线围绕所述介电质缠绕。11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中在所述介电质中形成螺旋沟槽，在所述螺旋沟槽中设置所述导线。12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中所述电力线包括：第一电力线，所述第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贞焕，李承杓，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：