用于处理基板的装置和用于处理基板的方法制造方法及图纸

本发明专利技术构思提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：处理室，其具有内部处理空间；支撑单元，其在处理空间中支撑基板；气体供应单元，其将处理气体供应至处理空间中；和RF电源，其提供RF信号以将处理气体激发成等离子体状态，其中支撑单元包括：边缘环，其环绕基板；耦合环，其设置在边缘环下方并在其中包括电极；和线缆，其与电极连接，其中将线缆的端部接地。其中将线缆的端部接地。其中将线缆的端部接地。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和用于处理基板的方法


[0001]本文描述的本专利技术构思的示例性实施方式涉及一种用于处理基板的装置和一种用于处理基板的方法。更具体地，本文公开的专利技术构思的实施方式涉及用于控制等离子体处理期间产生的谐波的基板处理装置和方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件制造工艺期间，通过执行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积、清洁等多种工艺在基板上形成所需的图案。其中，蚀刻工艺是选择性地去除形成在基板上的膜的至少一部分的工艺，并且使用湿蚀刻和干蚀刻。对于干蚀刻，采用使用等离子体的蚀刻装置。
[0003]通常，为了产生等离子体，在处理室的内部空间中形成电磁场，并且电磁场将提供在处理室中的处理气体激发成等离子体状态。等离子体是指包含离子、电子、自由基等的电离气体状态。等离子体由非常高的温度、强电场或RF电磁场产生。
[0004]对于等离子体蚀刻器，RF信号被施加到静电卡盘以产生等离子体。在这种情况下，由于静电卡盘的面积有限，等离子体密度分布不均匀，因此在静电卡盘的边缘设置聚焦环或边缘环。这种聚焦环或边缘环只能控制边本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，包括：处理室，在所述处理室中具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元用于在所述处理空间中支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元用于将处理气体供应至所述处理空间中；和RF电源，所述RF电源用于提供RF信号以将所述处理气体激发成等离子体状态，其中所述支撑单元包括：边缘环，所述边缘环环绕所述基板；耦合环，所述耦合环设置在所述边缘环下方并在其中包括电极；和线缆，所述线缆的一端与所述电极连接，相反端接地。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述线缆设置为长度可变。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述线缆的长度被设置为关于要在处理室中去除的谐波分量具有低阻抗。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中所述线缆在长度上设置为具有约50Ω到1000Ω的阻抗。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，还包括电路单元，所述电路单元连接在所述线缆和地面之间。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中所述电路单元包括与所述线缆串联连接的电阻器。7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中所述电路单元包括仅使特定波长通过的滤波电路。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中所述滤波电路包括带通滤波器、低通滤波器、高通滤波器或其组合中的至少一种。9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中所述滤波电路是所述带通滤波器、所述高通滤波器、或所述带通滤波器和所述高通滤波器的组合中的任一种。10.一种基板处理装置，包括：处理室，在所述处理室中具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元用于在所述处理空间中支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元用于将处理气体供应至所述处理空间中；和RF电源，所述RF电源用于提供RF信号以将所述处理气体激发成等离子体状态...

【专利技术属性】
技术研发人员：金永国，S，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：