本申请实施例提供了一种芯片输出特性的调整方法和装置，在对待测芯片的输出特性进行调整时，先根据各电可编程熔丝的状态确定待测芯片的输出特性是否已经进行过调整，并在确定该待测芯片的输出特性未经过调整时，根据待测芯片的输出表现在多个调整方案中，有针对性地确定芯片对应的目标调整方案；并根据目标调整方案对待测芯片中的电可编程熔丝进行熔断处理，从而实现对待测芯片的输出特性进行调整，实现了在测试过程中对芯片的输出特性进行调整，以保证调整后的芯片的输出特性的一致性。以保证调整后的芯片的输出特性的一致性。以保证调整后的芯片的输出特性的一致性。
【技术实现步骤摘要】
芯片输出特性的调整方法和装置
[0001]本专利技术涉及半导体芯片
，尤其涉及一种芯片输出特性的调整方法和装置。
技术介绍
[0002]在芯片制造过程中，受工艺偏差、电路失配以及芯片生产批次不同等因素的影响，生产出的芯片的特性与设计仿真模拟值有较大的偏差，从而导致芯片的输出特性与预期存在较大的偏差。
[0003]为了提高芯片输出特性的一致性，在现有技术中，通常是采用统一的调整方案对芯片中的电可编程熔丝(electrically programmable fuse，E-fuse)进行烧录，但后端测试过程中大量的芯片特性表现各异，无法保证芯片输出特性的一致性，从而难以实现对芯片出货质量的把控。
[0004]因此，如何在测试过程中对芯片的输出特性进行调整，以保证调整后的芯片的输出特性的一致性，是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例提供了一种芯片输出特性的调整方法和装置，实现了在测试过程中对芯片的输出特性进行调整，以保证调整后的芯片的输出特性的一致性。
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种芯片输出特性的调整方法，该芯片输出特性的调整方法可以包括：
[0007]检测待测芯片中的各电可编程熔丝的状态。
[0008]若检测到所述各电可编程熔丝均未被熔断，则根据所述待测芯片的输出表现在多个调整方案中确定所述芯片对应的目标调整方案。
[0009]根据所述目标调整方案对所述待测芯片中的电可编程熔丝进行熔断处理，以对所述待测芯片的输出特性进行调整。
[0010]在一种可能的实现方式中，所述根据所述目标调整方案对所述待测芯片中的电可编程熔丝进行熔断，包括：
[0011]对所述待测芯片中，与所述目标调整方案对应的电可编程熔丝进行熔断。
[0012]在一种可能的实现方式中，所述对所述待测芯片中，与所述目标调整方案对应的电可编程熔丝进行熔断，包括：
[0013]根据调整方案与电可编程熔丝之间的映射关系，在所述待测芯片中确定所述目标调整方案对应的目标电可编程熔丝。
[0014]对所述目标电可编程熔丝进行熔断，并关闭所述待测芯片中除所述目标电可编程熔丝之外的其他电可编程熔丝。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述输出表现为一个时钟信号输出两组数据描述，所述根据所述待测芯片的输出表现在多个调整方案中确定所述芯片对应的目标调整方案，包
括：
[0016]分别采用所述多个调整方案计算所述待测芯片两组数据的差值绝对值。
[0017]根据多个差值绝对值，在所述多个调整方案中确定所述待测芯片对应的所述目标调整方案。
[0018]在一种可能的实现方式中，所述根据多个差值绝对值，在所述多个调整方案中确定所述待测芯片对应的所述目标调整方案，包括：
[0019]在所述多个差值绝对值中确定最小的差值绝对值。
[0020]将所述最小的差值绝对值对应的调整方案确定为所述待测芯片对应的所述目标调整方案。
[0021]在一种可能的实现方式中，所述芯片输出特性的调整方法还包括：
[0022]若检测到所述芯片中存在至少一个电可编程熔丝被熔断，则关闭所述待测芯片。
[0023]在一种可能的实现方式中，所述根据所述目标调整方案对所述待测芯片中的电可编程熔丝进行熔断处理之后，所述芯片输出特性的调整方法还包括：
[0024]再次检测所述待测芯片中的各电可编程熔丝的状态。
[0025]根据所述各电可编程熔丝的状态，对电可编程熔丝的熔断结果进行检测。
[0026]在一种可能的实现方式中，所述芯片输出特性的调整方法还包括：
[0027]测试所述待测芯片的初始输出特性；所述初始输出特性是在对所述待测芯片中的电可编程熔丝进行熔断处理之前测试得到的。
[0028]将所述初始输出特性与所述调整后的待测芯片的输出特性进行比较，确定调整的功效。
[0029]在一种可能的实现方式中，所述根据所述目标调整方案对所述待测芯片中的电可编程熔丝进行熔断处理之后，所述芯片输出特性的调整方法还包括：
[0030]将所述待测芯片的输出特性恢复至熔断处理之前的初始输出特性。
[0031]第二方面，本申请实施例还提供了一种芯片输出特性的调整装置，该芯片输出特性的调整装置可以包括：
[0032]检测单元，用于检测待测芯片中的各电可编程熔丝的状态。
[0033]处理单元，用于若检测到所述各电可编程熔丝均未被熔断，则根据所述待测芯片的输出表现在多个调整方案中确定所述芯片对应的目标调整方案；并根据所述目标调整方案对所述待测芯片中的电可编程熔丝进行熔断处理，以对所述待测芯片的输出特性进行调整。
[0034]在一种可能的实现方式中，所述处理单元，具体用于对所述待测芯片中，与所述目标调整方案对应的电可编程熔丝进行熔断。
[0035]在一种可能的实现方式中，所述处理单元，具体用于根据调整方案与电可编程熔丝之间的映射关系，在所述待测芯片中确定所述目标调整方案对应的目标电可编程熔丝；并对所述目标电可编程熔丝进行熔断，并关闭所述待测芯片中除所述目标电可编程熔丝之外的其他电可编程熔丝。
[0036]在一种可能的实现方式中，所述输出表现为一个时钟信号输出两组数据描述，所述处理单元，具体用于分别采用所述多个调整方案计算所述待测芯片两组数据的差值绝对值；并根据多个差值绝对值，在所述多个调整方案中确定所述待测芯片对应的所述目标调
整方案。
[0037]在一种可能的实现方式中，所述处理单元，具体用于在所述多个差值绝对值中确定最小的差值绝对值；并将所述最小的差值绝对值对应的调整方案确定为所述待测芯片对应的所述目标调整方案。
[0038]在一种可能的实现方式中，所述处理单元，还用于若检测到所述芯片中存在至少一个电可编程熔丝被熔断，则关闭所述待测芯片。
[0039]在一种可能的实现方式中，所述检测单元，还用于再次检测所述待测芯片中的各电可编程熔丝的状态。
[0040]所述处理单元，还用于根据所述各电可编程熔丝的状态，对电可编程熔丝的熔断结果进行检测。
[0041]在一种可能的实现方式中，所述芯片输出特性的调整装置还包括测试单元。
[0042]所述测试单元，还用于测试所述待测芯片的初始输出特性；所述初始输出特性是在对所述待测芯片中的电可编程熔丝进行熔断处理之前测试得到的。
[0043]所述处理单元，还用于将所述初始输出特性与所述调整后的待测芯片的输出特性进行比较，确定调整的功效。
[0044]在一种可能的实现方式中，所述处理单元，还用于将所述待测芯片的输出特性恢复至熔断处理之前的初始输出特性。
[0045]第三方面，本申请实施例还提供了一种芯片输出特性的调整装置，该芯片输出特性的调整装置包括存储器和处理器；其中，
[0046]所述存储器，用于存储计算机程序。
[0047]所述处本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片输出特性的调整方法，其特征在于，包括：检测待测芯片中的各电可编程熔丝的状态；若检测到所述各电可编程熔丝均未被熔断，则根据所述待测芯片的输出表现在多个调整方案中确定所述芯片对应的目标调整方案；根据所述目标调整方案对所述待测芯片中的电可编程熔丝进行熔断处理，以对所述待测芯片的输出特性进行调整。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标调整方案对所述待测芯片中的电可编程熔丝进行熔断，包括：对所述待测芯片中，与所述目标调整方案对应的电可编程熔丝进行熔断。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述待测芯片中，与所述目标调整方案对应的电可编程熔丝进行熔断，包括：根据调整方案与电可编程熔丝之间的映射关系，在所述待测芯片中确定所述目标调整方案对应的目标电可编程熔丝；对所述目标电可编程熔丝进行熔断，并关闭所述待测芯片中除所述目标电可编程熔丝之外的其他电可编程熔丝。4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述输出表现为一个时钟信号输出两组数据描述，所述根据所述待测芯片的输出表现在多个调整方案中确定所述芯片对应的目标调整方案，包括：分别采用所述多个调整方案计算所述待测芯片两组数据的差值绝对值；根据多个差值绝对值，在所述多个调整方案中确定所述待测芯片对应的所述目标调整方案。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据多个差值绝对值，在所述多个调整方案中确定所述待测芯片对应的所述目标调整方案，包括：在所述多个差值绝对值中确定最小的差值绝对值；将所述最小的差值绝对值对应的调整方案确定为所述待测芯片对应的所述目标调整方案。6.根据权利要求1-3任一项所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，尹扬扬，陈柏宏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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