金属互连结构的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种金属互连结构的制作方法，包括：提供下层互连层以及位于下层互连层上的层间介质层，层间介质层内具有导电柱与靶标；去除靶标周围的层间介质层形成孔洞；在层间介质层、导电柱以及靶标上形成电镀用供电层；在电镀用供电层上以及孔洞的洞口处形成牺牲层，对牺牲层进行图形化形成若干开口；图形化使用的掩模版参照靶标的位置进行对准；在开口内电镀金属形成上层金属块。根据本发明专利技术的实施例，掩模版与靶标的位置进行对准时，孔洞使电镀用供电层形成暗环，能区分开靶标与周围结构，可提高层间对位精准度，从而提高产品集成度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
金属互连结构的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种金属互连结构的制作方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着电路集成技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高集成度、高性能以及高可靠性方向发展。多层金属互连结构可提高产品集成度。
[0003]产品需求多层金属互连结构时，层间的对位精准度会限制产品的设计规格。在相同电导通性能需求情况下，层间对位精准度越高，用于层间导通的导电柱的横截面积就可以做的越小，而层间对位精准度越低，该导电柱的横截面积就必须做的越大，不利于提高产品的集成度。
[0004]有鉴于此，实有必要提供一种新的金属互连结构的制作方法，以提高层间对位精准度，从而提高产品集成度。

技术实现思路

[0005]本专利技术的专利技术目的是提供一种金属互连结构的制作方法，以提高层间对位精准度，从而提高产品集成度。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种金属互连结构的制作方法，包括：
[0007]提供下层互连层以及位于所述下层互连层上的层间介质层，所述层间介质层内具有导电柱与靶标；
[0008]至少去除所述靶标周围的所述层间介质层形成孔洞；
[0009]在所述层间介质层、所述导电柱以及所述靶标上形成电镀用供电层；在所述电镀用供电层上以及所述孔洞的洞口处形成牺牲层，对所述牺牲层进行图形化形成若干开口；所述图形化使用的掩模版参照所述靶标的位置进行对准；
[0010]在所述开口内电镀金属形成上层金属块。
>[0011]可选地，所述层间介质层为有机绝缘层，去除所述靶标周围的所述层间介质层采用激光灼烧法。
[0012]可选地，所述有机绝缘层的材料为ABF。
[0013]可选地，所述下层互连层包括第一介质层以及位于所述第一介质层内的下层金属块与伪下层金属块；去除所述靶标周围的所述层间介质层时，还去除承载所述靶标的伪下层金属块周围的所述第一介质层。
[0014]可选地，所述伪下层金属块落在所述靶标在所述下层互连层上的正投影内。
[0015]可选地，所述伪下层金属块的边界距离所述靶标在所述下层互连层上的正投影的边界的尺寸范围为：10μm～30μm。
[0016]可选地，在所述孔洞的径向上，所述靶标在所述下层互连层上的正投影的边界距离所述靶标周围的层间介质层在所述下层互连层上的正投影的边界的尺寸范围为：100μm～200μm。
[0017]可选地，所述电镀用供电层采用物理气相沉积法或化学气相沉积法形成。
[0018]可选地，所述导电柱与所述靶标的材料为铜或铝。
[0019]可选地，所述牺牲层的材料为光刻胶。
[0020]可选地，所述靶标具有多个，所述多个靶标位于所述下层互连层的各个边角。
[0021]可选地，所述下层互连层位于塑封层以及裸片的正面上，所述裸片的正面暴露焊盘，所述下层互连层为再布线层。
[0022]可选地，所述下层互连层位于多个所述裸片的正面上。
[0023]经专利技术人分析，相关技术中层间对位精准度低的原因在于：层间介质层的上表面、导电柱的上表面以及靶标的上表面齐平，在层间介质层、导电柱以及靶标上依次形成电镀用供电层、牺牲层后，对牺牲层进行图形化形成开口时，由于电镀用供电层整面反光，图形化使用的掩模版无法与靶标的位置进行对准，这会造成开口位置偏离预设位置，从而开口内填充的上层金属块也会偏离预设位置。若导电柱的横截面积较小，则上层金属块无法与下层金属块电连接。为避免上述问题，则需增大导电柱的横截面积。
[0024]基于上述分析，本专利技术在形成电镀用供电层前，去除靶标周围的层间介质层形成孔洞。电镀用供电层的厚度较薄，不会填满孔洞，这使得对电镀用供电层上以及孔洞的洞口处形成的牺牲层进行图形化时，图形化使用的掩模版采用光学对准法，孔洞处的电镀用供电层不反光，掩模版可与靶标的位置进行精确对准，从而开口位置可精确位于预设位置，开口内填充的上层金属块也会精确位于预设位置，导电柱的横截面积可做小。
[0025]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：掩模版与靶标的位置进行对准时，孔洞使电镀用供电层形成暗环，能区分开靶标与周围结构，可提高层间对位精准度，从而提高产品集成度。
附图说明
[0026]图1是本专利技术第一实施例的金属互连结构的制作方法的流程图；
[0027]图2、图3、图6至图10是图1中的流程对应的中间结构示意图；
[0028]图4与图5是对照结构示意图；
[0029]图11与图12是本专利技术第二实施例的金属互连结构的制作方法对应的中间结构示意图；
[0030]图13与图14是对照结构示意图；
[0031]图15至图17是本专利技术第三实施例的金属互连结构的制作方法对应的中间结构示意图。
[0032]为方便理解本专利技术，以下列出本专利技术中出现的所有附图标记：
[0033]下层互连层21
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第一介质层211
[0034]下层金属块212
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伪下层金属块213
[0035]层间介质层22
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导电柱221
[0036]靶标222
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裸片11
[0037]裸片的正面11a
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裸片的背面11b
[0038]焊盘111
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塑封层12
[0039]塑封层的背面12b
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塑封层的正面12a
[0040]孔洞22a
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电镀用供电层23
[0041]牺牲层24
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开口24a
[0042]上层金属块25
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支撑板2
[0043]掩模版3
具体实施方式
[0044]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。
[0045]图1是本专利技术第一实施例的金属互连结构的制作方法的流程图；图2、图3、图6至图10是图1中的流程对应的中间结构示意图。图4与图5是对照结构示意图。
[0046]首先，参照图1中的步骤S1与图2所示，提供下层互连层21以及位于下层互连层21上的层间介质层22，层间介质层22内具有导电柱221与靶标222。
[0047]本实施例中，参照图2所示，下层互连层21位于塑封层12以及裸片11的正面11a上，裸片11的正面11a暴露焊盘111。换言本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供下层互连层以及位于所述下层互连层上的层间介质层，所述层间介质层内具有导电柱与靶标；至少去除所述靶标周围的所述层间介质层形成孔洞；在所述层间介质层、所述导电柱以及所述靶标上形成电镀用供电层；在所述电镀用供电层上以及所述孔洞的洞口处形成牺牲层，对所述牺牲层进行图形化形成若干开口；所述图形化使用的掩模版参照所述靶标的位置进行对准；在所述开口内电镀金属形成上层金属块。2.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述层间介质层为有机绝缘层，去除所述靶标周围的所述层间介质层采用激光灼烧法。3.根据权利要求2所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述有机绝缘层的材料为ABF。4.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述下层互连层包括第一介质层以及位于所述第一介质层内的下层金属块与伪下层金属块；去除所述靶标周围的所述层间介质层时，还去除承载所述靶标的伪下层金属块周围的所述第一介质层。5.根据权利要求4所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述伪下层金...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丹，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：