封装方法及封装结构技术

一种封装方法及封装结构，封装方法包括：提供基底、以及第一芯片，基底具有第一待键合面，第一待键合面上形成有第一互连电极，第一芯片具有第二待键合面，第二待键合面上形成有第二互连电极；利用键合层使第一待键合面和第二待键合面相键合，第一互连电极与第二互连电极错位相对，或者，第一互连电极在横向上避开第二互连电极设置，且第一互连电极与第二互连电极在纵向上具有间隙，键合层避开第一互连电极和第二互连电极设置；在第一互连电极与第二互连电极之间形成互连结构，互连结构包覆第一互连电极和第二互连电极，并填充于间隙中，用于实现第一互连电极与第二互连电极之间的电连接。本发明专利技术提高了封装可靠性。本发明专利技术提高了封装可靠性。本发明专利技术提高了封装可靠性。

【技术实现步骤摘要】
封装方法及封装结构


[0001]本专利技术实施例涉及半导体封装
，尤其涉及一种封装方法及封装结构。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，人们对集成电路的封装技术的要求相应也不断提高。现有的封装技术包括球栅阵列封装(ball grid array，BGA)、芯片尺寸封装(chip scale package，CSP)、晶圆级封装(wafer level package，WLP)、三维封装(3D)和系统封装(system in package，SiP)。
[0003]目前，为了满足集成电路封装的更低成本、更可靠、更快及更高密度的目标，先进的封装方法主要采用三维立体堆叠模式的晶圆级系统封装(wafer level package system in package，WLPSIP)，与传统的系统封装相比，晶圆级系统封装是在晶圆上完成封装集成制程，具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作量与设备的需求。
[0004]在晶圆级系统封装工艺中，不仅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，包括：提供基底、以及第一芯片，所述基底具有第一待键合面，所述第一待键合面上形成有第一互连电极，所述第一芯片具有第二待键合面，所述第二待键合面上形成有第二互连电极；利用键合层使所述第一待键合面和第二待键合面相键合，所述第一互连电极与第二互连电极错位相对，或者，所述第一互连电极在横向上避开所述第二互连电极设置，且所述第一互连电极与第二互连电极在纵向上具有间隙，所述键合层避开所述第一互连电极和第二互连电极设置；在所述第一互连电极与第二互连电极之间形成互连结构，所述互连结构包覆所述第一互连电极和第二互连电极，并填充于所述间隙中，用于实现第一互连电极与第二互连电极之间的电连接。2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，利用键合层使所述第一待键合面和第二待键合面相键合的步骤中，所述第一互连电极与第二互连电极错位相对，所述第一互连电极与第二互连电极包括正对面，所述正对面的面积至多为所述第一互连电极表面积或第二互连电极表面积的50％。3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，利用键合层使所述第一待键合面和第二待键合面相键合的步骤中，所述第一互连电极在横向上避开所述第二互连电极设置，所述第一互连电极和第二互连电极在水平方向的间距小于或等于所述第一互连电极和第二互连电极在垂直方向的间距。4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，利用键合层使所述第一待键合面和第二待键合面相键合的步骤中，所述第一互连电极与第二互连电极错位相对；所述第一互连电极的形状为方形，所述第一互连电极的边长中最小尺寸小于或等于20μm；或者，所述第一互连电极的形状为圆形，所述第一互连电极的直径小于或等于20μm；或者，所述第一互连电极的形状为椭圆形，所述第一互连电极的短轴小于或等于20μm。5.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，利用键合层使所述第一待键合面和第二待键合面相键合的步骤中，所述第一互连电极与第二互连电极错位相对；所述第二互连电极的形状为方形，所述第二互连电极的边长中最小尺寸小于或等于20μm；或者，所述第二互连电极的形状为圆形，所述第二互连电极的直径小于或等于20μm；或者，所述第二互连电极的形状为椭圆形，所述第二互连电极的短轴小于或等于20μm。6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，提供基底步骤中，所述基底为形成有多个第二芯片的第一晶圆，所述第二芯片具有第一待键合面，所述第一芯片的数量为多个；或者，所述基底为电路板，所述电路板具有第一待键合面；或者，所述基底为第二芯片，所述第二芯片具有第一待键合面。7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述第一互连电极与第二互连电极之间形成互连结构的步骤中，采用化学镀工艺形成所述互连结构。8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述提供第一芯片的步骤包括：提供形成有多个第一芯片的第二晶圆；利用键合层使所述第一待键合面和第二待键合面相键合后，形成所述互连结构之前，
还包括：切割所述第二晶圆，获得多个分立的所述第一芯片。9.一种封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：张镇凯，刘孟彬，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：