用于电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源以及电弧蒸发装置制造方法及图纸

本申请提出一种用于电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源。所述阴极弧蒸发源包括靶材。其中所述靶材的表面包括凹槽结构。所述凹槽结构经配置以限制阴极弧弧斑的移动并限制阴极弧弧斑产生的液滴逸出所述靶材的表面。本申请还提出一种电弧蒸发装置，其包括上述阴极弧蒸发源。其包括上述阴极弧蒸发源。其包括上述阴极弧蒸发源。

【技术实现步骤摘要】
用于电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源以及电弧蒸发装置


[0001]本申请涉及一种装置，详细来说，是有关于一种用于电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源以及电弧蒸发装置。

技术介绍

[0002]在现有的电弧蒸发装置中，当在对待加工工件进行镀膜工艺时，电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源的靶面金属离化后，会使得等离子体在靶面电磁场做螺旋线运动，以在待加工工件表面形成膜层。但是在等离子体形成过程中，弧斑跑动不够迅速，弧斑在靶面停留时间过长，导致部分熔池温度过高并产生大量中性液体颗粒。液体颗粒会在涂层表面形成贯穿颗粒并容易影响涂层性能。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供一种用于电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源以及电弧蒸发装置来解决上述问题。
[0004]依据本申请的一实施例，提供一种用于电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源。所述阴极弧蒸发源包括靶材。其中所述靶材的表面包括凹槽结构。所述凹槽结构经配置以限制阴极弧弧斑的移动并限制阴极弧弧斑产生的液滴逸出所述靶材的表面。
[0005]依据本申请的一实施例，所述凹槽结构包括U型槽。
[0006]依据本申请的一实施例，所述U型槽在所述靶材的表面形成封闭圆环。
[0007]依据本申请的一实施例，所述U型槽的数量为多个，多个所述U型槽在所述靶材的表面形成同心圆。
[0008]依据本申请的一实施例，所述U型槽的深度占所述阴极弧蒸发源的厚度的1/4到2/3。
[0009]依据本申请的一实施例，所述U型槽的深度占所述阴极弧蒸发源的厚度的一半。
[0010]依据本申请的一实施例，所述U型槽的宽度与深度比在1/2到3/2的范围。
[0011]依据本申请的一实施例，相邻两个所述U型槽的间距和所述U型槽的宽度比在1/2到3/2的范围。
[0012]依据本申请的一实施例，相邻两个U型槽的间距和U型槽的宽度的和小于阴极弧蒸发源的直径的一半。
[0013]依据本申请的一实施例，提出一种电弧蒸发装置。所述电弧蒸发装置包括上述的阴极弧蒸发源。
附图说明
[0014]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：
[0015]图1演示依据本申请一实施例的电弧蒸发装置的方块示意图。
[0016]图2A和图2B分别演示依据本申请一实施例的阴极弧蒸发源的剖视视图和俯视视图。
具体实施方式
[0017]以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
[0018]再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
[0019]虽然用以界定本申请较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本申请所属
中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
[0020]图1演示依据本申请一实施例的电弧蒸发装置1的方块示意图。在某些实施例中，电弧蒸发装置1用以对待加工工件(例如但并非一限制，刀具)进行镀膜工艺。在某些实施例中，电弧蒸发装置1包括阴极弧蒸发源11。在某些实施例中，阴极弧蒸发源11包括靶材。在某些实施例中，靶材的表面包括凹槽结构。在某些实施例中，所述凹槽结构经配置以限制阴极弧弧斑的移动并限制阴极弧弧斑产生的液滴逸出所述靶材的表面。在某些实施例中，电弧蒸发装置1还包括其他进行镀膜工艺的必要元部件，例如，设置在阴极弧蒸发源11后方的电磁铁和永久磁铁等。图1仅描绘与本申请专利技术精神相关的部件以维持图示简洁。
[0021]图2A和图2B分别演示依据本申请一实施例的阴极弧蒸发源21的剖视视图和俯视视图。在某些实施例中，阴极弧蒸发源21应用于对待加工工件进行镀膜工艺的电弧蒸发装置之中。在某些实施例中，阴极弧蒸发源21可以用以实现图1实施例中的阴极弧蒸发源11。在某些实施例中，阴极弧蒸发源21包括靶材S21。在某些实施例中，靶材S21可以是纯金属靶
材制成，例如钛金属。在某些实施例中，靶材S21可以是二元和多元素金属合金靶制成。在某些实施例中，靶材S21的表面包括凹槽结构211。
[0022]在某些实施例中，凹槽结构211包括多个U型槽211。在靶材S21的表面设置的U型槽211中具有磁场强度，可以使得弧斑的跑动被限制在U型槽211之中并且增加等离子体在U型槽内的碰撞几率，造成液滴被限制在U型槽211中，减少待加工工件上的涂层的颗粒，进而提高待加工工件的镀膜涂层细腻度。
[0023]在某些实施例中，多个U型槽211的每一者在靶材S21的表面形成封闭圆环。在某些实施例中，多个U型槽211在靶材S21的表面形成同心圆。虽然图2A和2B描绘的凹槽结构211包括多个U型槽211。然而，U型槽211在靶材S21的表面上的数量仅为范例说明。在其他实施例中，凹槽结构211也可以只包括一个在靶材S21的表面形成封闭圆环的U型槽211。本领域技术人员可以依据实际需要变更U型槽211在靶材S21上的数量。
[0024]在某些实施例中，U型槽211的深度H211占阴极弧蒸发源21的厚度H21的1/4到2/3。在某些实施例中，U型槽211的深度H211占阴极弧蒸发源21的厚度H21的一半。在某些实施例中，U本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源，其特征在于，包括：靶材，其中所述靶材的表面包括凹槽结构，所述凹槽结构经配置以限制阴极弧弧斑的移动并限制阴极弧弧斑产生的液滴逸出所述靶材的表面。2.如权利要求1所述的阴极弧蒸发源，其特征在于，所述凹槽结构包括U型槽。3.如权利要求2所述的阴极弧蒸发源，其特征在于，所述U型槽在所述靶材的表面形成封闭圆环。4.如权利要求2所述的阴极弧蒸发源，其特征在于，所述U型槽的数量为多个，多个所述U型槽在所述靶材的表面形成同心圆。5.如权利要求4所述的阴极弧蒸发源，其特征在于，所述U型槽的深度占所述阴极弧蒸发源的厚度的1/4...

【专利技术属性】
技术研发人员：温振伟，沈学忠，朱国朝，李庆超，贺林青，朗清凯，
申请(专利权)人：纳狮新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：