一种基于流场控制的高温蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种基于流场控制的高温蚀刻方法，包括：步骤S1，获取一基板，通过清洗溶液对基板的表面进行清洗；步骤S2，喷淋雾化溶液至基板的表面以形成一热能流场，实时检测热能流场的一实时温度；步骤S3，判断热能流场的实时温度是否大于一预设温度：若否，增大雾化溶液的温度并返回步骤S2；若是，转向步骤S4；步骤S4，喷淋蚀刻溶液至基板的表面进行蚀刻。有益效果是本方法实时检测热能流场的实时温度并通过调整雾化溶液的温度使实时温度大于预设温度，使雾化溶液与蚀刻溶液充分接触，以及在蚀刻过程中检测基板的表面温度并实时进行调整，提高蚀刻溶液的蚀刻效果。提高蚀刻溶液的蚀刻效果。提高蚀刻溶液的蚀刻效果。

【技术实现步骤摘要】
一种基于流场控制的高温蚀刻方法


[0001]本专利技术涉及基板蚀刻
，尤其涉及一种基于流场控制的高温蚀刻方法。

技术介绍

[0002]在高温化学品的湿法工艺处理过程中，需要对温度及浓度进行精准控制，然而在实际处理过程中，由于化学品的温度与浓度控制不够到位使得在输出前后会产生结晶化晶体在基板表面。
[0003]目前的蚀刻方法中大多采用检测喷嘴出口的溶液温度来进行温度控制，但是由于基板表面与喷嘴出口具有一定距离，使得溶液到达基板表面时会产生一定误差，会大大降低基板的蚀刻效果。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种基于流场控制的高温蚀刻方法，具体包括以下步骤：
[0005]步骤S1，获取一基板，通过清洗溶液对所述基板的表面进行清洗；
[0006]步骤S2，喷淋雾化溶液至所述基板的表面以形成一热能流场，实时检测所述热能流场的一实时温度；
[0007]步骤S3，判断所述热能流场的所述实时温度是否大于一预设温度：
[0008]若否，增大所述雾化溶液的温度并返回所述步骤S2；
[0009]若是，转向步骤S4；
[0010]步骤S4，喷淋蚀刻溶液至所述基板的表面进行蚀刻。
[0011]优选的，所述步骤S1通过一清洗装置对所述基板的表面进行清洗，所述清洗装置包括：
[0012]一放置台，用于放置所述基板；
[0013]一清洗喷嘴，用于喷淋所述清洗溶液至所述基板的表面进行清洗；
[0014]一转动轴，用于控制转动所述清洗喷嘴。
[0015]优选的，所述步骤S1包括：
[0016]步骤S11，获取所述基板，将所述基板放置于所述放置台上并控制所述放置台进行旋转；
[0017]步骤S12，控制所述转动轴转动所述清洗喷嘴至所述基板的上方并控制所述清洗喷嘴喷淋所述清洗溶液。
[0018]优选的，所述清洗喷嘴上设有一摄像装置，则所述步骤S12包括：
[0019]步骤S121，控制所述转动轴对所述清洗喷嘴进行转动，并控制所述摄像装置实时采集所述基板的一实时图像；
[0020]步骤S122，根据所述实时图像处理得到所述清洗喷嘴相对于所述基板的一实时位置；
[0021]步骤S123，判断所述实时位置是否与一预设位置匹配：
[0022]若是，控制所述转动轴停止转动所述清洗喷嘴并转向所述步骤S13；
[0023]若否，返回所述步骤S121。
[0024]优选的，所述清洗设备还包括一雾化喷嘴，所述雾化喷嘴上设有一第一温度检测装置，则所述步骤S2包括：
[0025]步骤S21，控制所述雾化喷嘴喷淋所述雾化溶液至所述基板的表面以形成所述热能流场；
[0026]步骤S22，控制所述第一温度检测装置实时检测所述热能流场的所述实时温度。
[0027]优选的，所述雾化喷嘴内设有一振动器，则所述步骤S21包括：
[0028]步骤S211，控制所述雾化喷嘴持续接收外部输入的一化学溶液，并控制所述振动器产生一超声波对所述化学溶液进行振动以形成所述雾化溶液；
[0029]步骤S212，控制所述雾化喷嘴喷淋所述雾化溶液至所述基板的表面以形成所述热能流场。
[0030]优选的，所述清洗设备还包括一蚀刻喷嘴，所述蚀刻喷嘴上设有一第二温度检测装置，则所述步骤S4包括：
[0031]步骤S41，控制所述蚀刻喷嘴喷淋所述蚀刻溶液至所述基板的表面以对所述基板表面的一光刻胶层进行蚀刻；
[0032]步骤S42，控制所述第二温度检测装置实时检测所述基板的一表面温度；
[0033]步骤S43，判断所述表面温度是否大于预设的一标准温度：
[0034]若否，增大所述雾化溶液的温度并返回所述步骤S42；
[0035]若是，维持所述雾化溶液的温度并退出。
[0036]优选的，所述蚀刻溶液为硫酸过氧化氢混合物、硫酸臭氧混合物、一号液、二号液、缓冲氧化物蚀刻液中的一种。
[0037]上述技术方案具有如下优点或有益效果：
[0038](1)本方法通过雾化溶液于基板表面形成热能流场，通过蚀刻溶液与热能流场的充分接触对蚀刻溶液进行加热，具备定温的能力；
[0039](2)本方法对热能流场进行实时温度控制，维持基板表面全面性范围的高温气流包覆，维持温度的稳定性；
[0040](3)本方法通过热能流场使蚀刻溶液在基板表面更容易进行接触扩散。
附图说明
[0041]图1为本专利技术的较佳的实施例中，本方法的步骤流程图；
[0042]图2为本专利技术的较佳的实施例中，步骤S1的具体流程图；
[0043]图3为本专利技术的较佳的实施例中，步骤S12的具体流程图；
[0044]图4为本专利技术的较佳的实施例中，步骤S2的具体流程图；
[0045]图5为本专利技术的较佳的实施例中，步骤S21的具体流程图；
[0046]图6为本专利技术的较佳的实施例中，步骤S4的具体流程图。
具体实施方式
[0047]下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。本专利技术并不限定于该实施方式，只要符合本专利技术的主旨，则其他实施方式也可以属于本专利技术的范畴。
[0048]本专利技术的较佳的实施例中，基于现有技术中存在的上述问题，现提供一种基于流场控制的高温蚀刻方法，如图1所示，包括：
[0049]步骤S1，获取一基板，通过清洗溶液对基板的表面进行清洗；
[0050]步骤S2，喷淋雾化溶液至基板的表面以形成一热能流场，实时检测热能流场的一实时温度；
[0051]步骤S3，判断热能流场的实时温度是否大于一预设温度：
[0052]若否，增大雾化溶液的温度并返回步骤S2；
[0053]若是，转向步骤S4；
[0054]步骤S4，喷淋蚀刻溶液至基板的表面进行蚀刻。
[0055]本专利技术的较佳的实施例中，步骤S1通过一清洗装置对基板的表面进行清洗，清洗装置包括：
[0056]一放置台，用于放置基板；
[0057]一清洗喷嘴，用于喷淋清洗溶液至基板的表面进行清洗；
[0058]一转动轴，用于控制转动清洗喷嘴。
[0059]具体地，本实施例中，在实际操作中，先控制转动轴将清洗喷嘴移动至基板的上方并控制清洗喷嘴喷淋清洗溶液以对基板的表面进行湿润处理，喷淋结束后控制转动轴将清洗喷嘴移动至初始位置。
[0060]优选的，雾化溶液为去离子水或过氧化氢。
[0061]优选的，清洗喷嘴可以选用圆柱形喷嘴。
[0062]本专利技术的较佳的实施例中，如图2所示，步骤S1包括：
[0063]步骤S11，获取基板，将基板放置于放置台上并控制放置台进行旋转；
[0064]步骤S12，控制转动轴转动清洗喷嘴至基板的上方并控制清洗喷嘴喷淋清洗溶液。
[0065]本专利技术的较佳的实施例中，清洗喷嘴上设有一摄像装置，则本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于流场控制的高温蚀刻方法，其特征在于，具体包括以下步骤:步骤S1，获取一基板，通过清洗溶液对所述基板的表面进行清洗；步骤S2，喷淋雾化溶液至所述基板的表面以形成一热能流场，实时检测所述热能流场的一实时温度；步骤S3，判断所述热能流场的所述实时温度是否大于一预设温度：若否，增大所述雾化溶液的温度并返回所述步骤S2；若是，转向步骤S4；步骤S4，喷淋蚀刻溶液至所述基板的表面进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的高温蚀刻方法，其特征在于，所述步骤S1通过一清洗装置对所述基板的表面进行清洗，所述清洗装置包括：一放置台，用于放置所述基板；一清洗喷嘴，用于喷淋所述清洗溶液至所述基板的表面进行清洗；一转动轴，用于控制转动所述清洗喷嘴。3.根据权利要求2所述的高温蚀刻方法，其特征在于，所述步骤S1包括：步骤S11，获取所述基板，将所述基板放置于所述放置台上并控制所述放置台进行旋转；步骤S12，控制所述转动轴转动所述清洗喷嘴至所述基板的上方并控制所述清洗喷嘴喷淋所述清洗溶液。4.根据权利要求3所述的高温蚀刻方法，其特征在于，所述清洗喷嘴上设有一摄像装置，则所述步骤S12包括：步骤S121，控制所述转动轴对所述清洗喷嘴进行转动，并控制所述摄像装置实时采集所述基板的一实时图像；步骤S122，根据所述实时图像处理得到所述清洗喷嘴相对于所述基板的一实时位置；步骤S123，判断所述实时位置是否与一预设位置匹配：若是，控制所述转动轴停止转动所述清洗喷嘴并转向所...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖世保，陈丁堃，邓信甫，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：