一种晶圆加工用兆声清洗机制造技术

本发明专利技术公开了一种晶圆加工用兆声清洗机，包括底座和清洗仓，所述底座的顶部外侧与清洗仓的底部外侧固定安装，且底座的内部固定安装有清洗液存储罐。本发明专利技术利用流体力学使得清洗液在晶圆的上下表面，形成两个液体涡流，使得晶圆表面的杂质颗粒会被清洗液涡流推离晶圆表面后，又因惯性和涡流推力作用而远离晶圆表面，避免了漂浮在清洗液中的杂质颗粒因超/兆声波的震荡作用停止而再次下沉至晶圆上表面的问题，极大地提升了晶圆清洗效果，并且无需再次翻转晶圆后进行二次清洗，单个晶圆的清洗耗时缩短了一倍，提升了晶圆清洗效率，同时，构成了清洗液的循环利用系统，减少了清洗液的耗费，降低了晶圆清洗成本。降低了晶圆清洗成本。降低了晶圆清洗成本。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆加工用兆声清洗机


[0001]本专利技术涉及晶圆加工
，具体为一种晶圆加工用兆声清洗机。

技术介绍

[0002]晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品，晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅，二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅。
[0003]现有技术中，如中国专利号为：CN103489814A的“全自动兆声波半导体晶圆清洗设备”，其利用兆声波发生器产生的兆声波进入到设置在腔体中的兆声清洗机构，从进水端进入的洁净DI水会对应带上超声波能量，将正在清洗盘上旋转的工件上的污染物击穿气化；同时利用二流体清洗机构进入洁净DI水与进入的压缩空气进行混合产生雾化去离子水分子，而雾化后的水分子可以充满整个腔体及工件的小缝隙，达到完全清洗的效果。与现有技术相比，本专利技术利用二流体、高频兆声波及离子风相结合的清洗方式，实现了对高精密半导体晶圆的清洗，满足了其洁净度的要求；同时本专利技术还利用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工用兆声清洗机，包括底座（1）和清洗仓（2），其特征在于，所述底座（1）的顶部外侧与清洗仓（2）的底部外侧固定安装，且底座（1）的内部固定安装有清洗液存储罐（3），所述清洗仓（2）的前端设置有入料口（23），且清洗仓（2）的一侧设置有出料口（22），所述清洗仓（2）的内部设有密封腔（27），且密封腔（27）的内部设有转运机械臂（5）、垂直转运机构（6）、伸缩平台（7）和晶圆清洗机构（8），所述晶圆清洗机构（8）包括涡流清洗器（80）、废液电控阀（81）、抽吸泵（82）、高压叠片过滤器（83）、注入管（84）和导液泵（85），所述涡流清洗器（80）的底部通过废液电控阀（81）与抽吸泵（82）的输入端相连通，且抽吸泵（82）的输出端通过高压叠片过滤器（83）与清洗液存储罐（3）的底部相连通，所述涡流清洗器（80）的一侧通过注入管（84）与导液泵（85）的输出端相连通，且导液泵（85）的输入端与清洗液存储罐（3）的一侧相连通；所述涡流清洗器（80）包括清洗斗（801）、连接端头（802）、旋转盘（806）和卡套（8061），所述清洗斗（801）的内壁开设有斜面，且清洗斗（801）的内侧均匀开设有多个斜槽（803），每个所述斜槽（803）的内侧均通过通孔（8010）相连通，且通孔（8010）的一侧通过连接端头（802）与注入管（84）的一端相连通，所述清洗斗（801）的底部轴心处贯穿开设有导出孔（8011），且导出孔（8011）的内侧固定插接有连接管（8060），所述连接管（8060）的内侧通过卡套（8061）与旋转盘（806）的底部活动卡接，所述旋转盘（806）的顶部外侧均匀贯穿开设有多个引流孔a（807），所述清洗斗（801）的底部上表面固定安装有气囊环（805），且气囊环（805）的底部设有多个引流孔b（8050）。2.根据权利要求1所述的晶圆加工用兆声清洗机，其特征在于：所述清洗仓（2）的前端一侧固定安装有显示屏（25），且清洗仓（2）的另一侧活动安装有控制器（26），所述入料口（23）的前端固定安装有置物板a（20），所述出料口（22）的外侧固定安装有置物板b（21），所述入料口（23）和出料口（22）内侧均活动安装有仓门（24）。3.根据权利要求1所述的晶圆加工用兆声清洗机，其特征在于：所述密封腔（27）的底部固定安装有隔板（4），且隔板（4）的内侧贯穿开设有活动槽（40），所述隔板（4）的一侧顶部与垂直转运机构（...

【专利技术属性】
技术研发人员：华斌，杨仕品，孙先淼，
申请(专利权)人：智程半导体设备科技昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：