一种半导体器件的制备方法以及半导体器件技术

本公开实施例公开了一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，其中，所述半导体器件的制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括位于所述栅极沟槽内的栅电极以及位于所述栅电极和所述栅极沟槽之间的栅绝缘层；向所述衬底形成有所述栅极结构的一侧表面注入氟离子，并进行退火，以在所述衬底与所述栅绝缘层的至少部分交界处形成第一掺杂区。区。区。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制备方法以及半导体器件


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的制备方法以及半导体器件。

技术介绍

[0002]在动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)器件中，随着MOS器件的特征尺寸按照一定的比例不断的缩小，一些与MOS器件相关的场效应越来越高，随之导致栅极和源漏极区域的漏电增大和数据保留时间短等严重问题，对低功耗(lower power)DRAM的产品性能影响尤为明显。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体器件的制备方法以及半导体器件。
[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
[0005]提供衬底，在所述衬底上形成栅极沟槽；
[0006]在所述栅极沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括位于所述栅极沟槽内的栅电极以及位于所述栅电极和所述栅极沟槽之间的栅绝缘层；
[0007]向所述衬底形成有所述栅极结构的一侧表面注入氟离子，并进行退火，以在所述衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括位于所述栅极沟槽内的栅电极以及位于所述栅电极和所述栅极沟槽之间的栅绝缘层；向所述衬底形成有所述栅极结构的一侧表面注入氟离子，并进行退火，以在所述衬底与所述栅绝缘层的至少部分交界处形成第一掺杂区。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂区内形成有Si
‑
F键。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述衬底形成有所述栅极结构的一侧表面注入氟离子，包括：所述注入氟离子的能量为2Kev
‑
50Kev，所述注入氟离子的剂量为1
×
10
11
个/cm2‑1×
10
16
个/cm2。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述衬底形成有所述栅极结构的一侧表面注入氟离子，并进行退火的过程还包括：所述栅绝缘层与所述栅电极的至少部分交界处形成有第二掺杂区；所述第二掺杂区形成有Si
‑
F键。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺采用的反应气体为N2，所述N2气体流量为100～1000sccm。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行退火工艺的反应腔室的温度范围为700℃～1000℃。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：所述进行退火工艺的反应腔室内的O2的含量小于5ppm。8.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：晏陶燕，李洋，韦钧，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：