一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法，在外延层表面形成ONO结构；在第二氧化层上方设置第一掩膜，第一掩膜的设置位置与双栅极的位置相匹配；在第一掩膜下方留有的第二氧化层为双栅极间隔氧化层；在第二氧化层和双栅极间隔氧化层上方淀积多晶硅；回刻多晶硅，使双栅极间隔氧化层的表面外露，在双栅极间隔氧化层的两侧留有多晶硅侧墙，多晶硅侧墙为平面型VDMOS器件的双栅极结构。本发明专利技术的双栅极间隔氧化层在双栅极结构形成之前，先填充了双栅极之间的间隔区域，能够精确控制双栅极结构的位置，还能够实现体区注入成型的自对准，节省了工艺步骤，节约了成本。节约了成本。节约了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体为一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法。

技术介绍

[0002]在功率应用设备中，VDMOS器件可以被用于电源、降压变换器以及低压电机控制器中，以提供功率应用功能性。
[0003]器件的导通电阻R
ON
、最大击穿电压BV
DSS
和总电容是VDMOS设计的重要特性。这些特性是VDMOS器件的重要操作参数，它们决定了这些器件的应用。导通电阻通常取决于器件的设计和布局、工艺条件、温度、漂移区域长度、漂移区域的掺杂浓度以及用于制造器件的各种材料。击穿电压被定义为在不会引起电流呈指数增加的情况下可施加到晶体管的漏极的最大反向电压。而且，器件中的各种寄生电容会导致操作频率下降。
[0004]中国专利技术专利申请CN103035726A公开了一种双栅极VDMOS器件，包括双栅极结构，该双栅极包括第一栅极区域和第二栅极区域，第一栅极区域和第二栅极区域在第一栅极区域与第二栅极区域之间限定了间隙，以减小栅极
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在平面型VDMOS器件的外延层表面形成第一氧化层、氮化物层、第二氧化层的ONO结构；在所述第二氧化层上方设置第一掩膜，所述第一掩膜的设置位置与双栅极的位置相匹配；刻蚀所述第二氧化层和氮化物层，在所述第一掩膜下方留有的第二氧化层为双栅极间隔氧化层；去除所述第一掩膜；在所述第二氧化层和双栅极间隔氧化层上方淀积多晶硅；回刻所述多晶硅，使所述双栅极间隔氧化层的表面外露，在所述双栅极间隔氧化层的两侧留有多晶硅侧墙，所述多晶硅侧墙为平面型VDMOS器件的双栅极结构。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为800
‑
1200A，所述氮化物层的厚度为200
‑
500A、所述第二氧化层的厚度为5000
‑
10000A。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用高选择比的湿法腐蚀方式，刻蚀所述第二氧化层和氮化物层，在所述第一掩膜下方留有的第二氧化层为双栅极间隔氧化层。4.一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在平面型VDMOS器件的外延层表面形成第三氧化层；在所述第三氧化层上方设置第二掩膜，所述第二掩膜的设置位置与双栅极的位置相匹配...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾昀浦，黄健，孙闫涛，张楠，宋跃桦，刘静，吴平丽，
申请(专利权)人：江苏捷捷微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：