半导体结构及其制备方法和存储器件技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成初始结构，初始结构包括第一栅介质层和位于第一栅介质层上的第一栅极层，第一栅极层具有第一厚度；对初始结构进行氧化处理，在第一栅介质层与第一栅极层之间形成第二厚度的第二栅介质层，第二厚度小于第一厚度。上述半导体结构的制备方法，通过对初始结构中的第一栅极层进行氧化处理，在第一栅极层的表面生长得到高质量的第二栅介质层，消除了第一栅极层和第一栅介质层之间的界面处的悬挂键，提高了界面处的成膜质量。提高了界面处的成膜质量。提高了界面处的成膜质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法和存储器件


[0001]本专利技术涉及存储器
，特别是涉及一种半导体及其制备方法和半导体器件。

技术介绍

[0002]在栅介质层的表面制备栅极层时，由于栅极层及栅介质层的界面特性，栅极层的晶格的周期性会突然中断，从而在栅极层和栅介质层的界面处产生悬挂键，使得禁带中存在允许的电子能级，对半导体器件性能的提升和稳定造成了不利的影响。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述问题，提供一种半导体结构及其制备方法和存储器件。
[0004]本申请实施例公开了一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成初始结构，初始结构包括第一栅介质层和位于第一栅介质层上的第一栅极层，第一栅极层具有第一厚度；对初始结构进行氧化处理，在第一栅介质层与第一栅极层之间形成第二厚度的第二栅介质层，第二厚度小于第一厚度。
[0005]上述半导体结构的制备方法，通过对初始结构中的第一栅极层进行氧化处理，在第一栅极层的表面生长得到高质量的第二栅介质层，消除了第一栅极层和第一栅介质层之间的界面处的悬挂键，提高了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；于所述衬底上形成初始结构，所述初始结构包括第一栅介质层和位于所述第一栅介质层上的第一栅极层，所述第一栅极层具有第一厚度；对所述初始结构进行氧化处理，在所述第一栅介质层与所述第一栅极层之间形成第二厚度的第二栅介质层，所述第二厚度小于所述第一厚度。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用原位水汽生长工艺形成所述第一栅介质层。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所述初始结构进行氧化处理，在所述第一栅介质层与所述第一栅极层之间形成第二厚度的第二栅介质层，包括：对所述第一栅极层朝向所述第一栅介质层的表面进行氧化处理，形成所述第二栅介质层。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所述初始结构进行氧化处理，在所述第一栅介质层与所述第一栅极层之间形成第二厚度的第二栅介质层，包括：对所述第一栅极层进行氧化处理，在所述第一栅极层朝向所述第一栅介质层的界面上形成具有所述第二厚度的所述第二栅介质层，在所述第一栅极层远离所述第一栅介质层的界面上形成具有第三厚度的氧化层，所述第三厚度大于所述第二厚度，且所述第三厚度与所述第二厚度的和小于所述第一厚度；去除所述氧化层。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除所述氧化层之后，还包括：于所述第一栅极层的上表面形成第二栅极层。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第二栅极层的步骤包括：于所述第一栅极层的上表面形成第二栅极材料层；对所述第二栅极材料层进行退火处理；对所述第二栅极材料层进行刻蚀，得到所述第二栅极层。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一栅极层及所述第二栅极层包括多晶硅层，所述第一栅介质层、所述第二栅介质层及所述氧化层包括氧化硅层。8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一厚度包括5nm～100nm，所述第二厚度包括0.1nm～10nm。9.根据权利要求1
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8任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述氧化处理的步骤包括：提供反应腔室，将所述初始结构置于所述反应腔室内部；向...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，沈宇桐，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：