一种半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其制备方法包括：提供衬底(100)；于所述衬底(100)内形成沟槽(150)；对所述沟槽(150)内壁进行氮化处理；在所述氮化处理后的所述沟槽(150)内形成金属层(140)本发明专利技术的制备方法通过对，氧化物层使用氮化处理生成SiON结构，可以有效抵挡Cl对氧化物层的扩散，降低漏电流并提高栅结构的可靠性。沉积TiN前进行氮化处理可以对氧化物层表面进行修补，有利于后续TiN的成核，获得连续均一的TiN薄膜，减少漏电流的发生。减少漏电流的发生。减少漏电流的发生。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制备方法及半导体结构


[0001]本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种半导体器件的制备方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]在半导体器件的结构中，二氧化硅作为栅极氧化层，为了增加对沟道的控制能力，通常都会很薄，当SiO2表面存在一定量的氧缺陷、OH键和H键等缺陷时，会影响后续薄膜成核的连续性，从而增加电子隧穿效应的发生概率和漏电流的产生。同时，TiN薄膜中Cl对栅极氧化层的扩散，会引起阈值电压的升高以及分布的离散度增加,引起电容的漏电。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种半导体器件的制备方法及半导体结构以解决现有技术中SiO2表面缺陷的技术问题。
[0004]为解决上述问题，本专利技术的第一方面提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于所述衬底内形成沟槽；对所述沟槽内壁进行氮化处理；在所述氮化处理后的所述沟槽内形成金属层。
[0005]在一些实施例中，所述衬底包括：基底和堆叠层，所述堆叠层为单层或多层结构。
[0006]在一些实施例中，所述堆叠层包括依次本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于所述衬底内形成沟槽；对所述沟槽内壁进行氮化处理；在所述氮化处理后的所述沟槽内形成金属层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中，所述衬底包括：基底和堆叠层，所述堆叠层为单层或多层结构。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其中，所述堆叠层包括依次在基底上层叠形成的第一隔绝层、介质层、第二隔绝层、介电层和第三隔绝层。4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其中，所述于所述衬底内形成沟槽包括：于基底内形成沟槽，于沟槽内壁形成堆叠层。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其中，所述堆叠层包括氧化层。6.根据权利要求1
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5任一项所述的半导体结构的制备方法，其中，所述对所述沟槽内壁进行氮化处理包括：通入含氮气体，对所述沟槽内壁进行所述氮化处理。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其中，所述含氮气体为氨气、氮气、氮气
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【专利技术属性】
技术研发人员：王中磊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：