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本发明公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其制备方法包括：提供衬底(100)；于所述衬底(100)内形成沟槽(150)；对所述沟槽(150)内壁进行氮化处理；在所述氮化处理后的所述沟槽(150)内形成金属层(140)本发明的制备方法...
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